Модули памяти Samsung SO-DIMM DDR3 4Gb

Название Модуль памяти SO-DIMM DDR4 8Gb PC25600 3200Mhz Samsung. Тип DDR4. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность PC25600. CL 22. Количество чипов каждого модуля 8. Напряжение...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Модуль памяти SODIMM Samsung M471B5273BH1-CF8 стандарта DDR3, с объемом памяти 4GB и пропускной способностью 8500 Мб/с. количество модулей в комплекте: 1 шт. объем одного модуля: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1066 МГц тайминги: 7-7-7-30 напряжение пит...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Модуль памяти SODIMM Samsung M471B5273BH1-CF8 стандарта DDR3, с объемом памяти 4GB и пропускной способностью 8500 Мб/с. количество модулей в комплекте: 1 шт. объем одного модуля: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1066 МГц тайминги: 7-7-7-30 напряжение пит...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M471B5173BH0-CK0 Samsung M471B5273DH0-CK0 Samsung M471B5273CH0-CK0 Samsung M471B5173BH0-CK0 Samsung M471B5273EB0-CK0 Обратите внимание, что данная модель памят...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Оперативная память Samsung DDR3 4GB 1333MHz SODIMM CL9 - это модуль памяти, который предназначен для ноутбуков. Он обеспечивает высокую производительность и стабильность работы системы. Оперативная память изготовлена из высококачественных компонентов, что позволяет ей р...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Оперативная память является одним из наиболее важных компонентов любого ПК. От ее объема будет зависеть не только быстродействие системы в целом, но и количество приложений, которые компьютер может запустить без ущерба в производительности. Кроме того, не следует забыва...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: DDR3, объем одного модуля: 4 ГБ, объем одного модуля (точно): 4 ГБ, тактовая частота: 1333 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 9

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: DDR3, объем одного модуля: 4 ГБ, объем одного модуля (точно): 4 ГБ, тактовая частота: 1066 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 7

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Модуль памяти SO-DIMM DDR4 2666Mhz 4Gb Samsung по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: DDR4, форм-фактор: DIMM, CL: 4

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

DDR3 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 ГБ, CL 11

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: DDR4, объем одного модуля: 8 ГБ, форм-фактор: DIMM, CL: 2

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Название Оперативная память DDR5 8Gb 4800 Mhz Samsung M425R1GB4BB0-CQK0D PC5-4800B So-Dimm для ноутбука. Тип DDR5. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 4800 МГц. Пропускная способность PC38400. CL 40. Количе...

CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.03 GTD Number 10005030/081122/3302029/002 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель Тайвань (китай) Партномер FL2666D4S19-8G высота(см) 0.5 Габариты (мм) 69.6 x 30 мм гарантия 2 года длина(см) 7 Дополнительная информация нет Количество кон...

Оперативная память 4 ГБ 2 шт. Samsung DDR3L 1600 SO-DIMM 4Gb 1.3v 2Rx4 PC3L-12800S-11-11-F3 DDR3L 1.3v-1.35v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2011-2015й год иногда 2016 -Intel: i3-2го i3-3го i3-4го(поколения) -Intel: i5-2го i5-3го i5-4го (по...

Модель PSD34G160081S Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (SPD) 1600МГц Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (SPD) 1.5В Напряжение (тест) 1.5В Задержка (SPD) 11-11-11 Задержка (тест) 11-11-11 Латентность CL11 Бренд PATRIOT PartNumber/Артикул...

Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 4GB 1333МГц 2Rx8 PC3-10600 - это высококачественный продукт от известного бренда Samsung. Она предназначена для использования в ноутбуках и других портативных устройствах, которые требуют высокой производительности и быстрой обрабо...

Модуль памяти для ноутбука SODIMM Samsung M471B1G73BH0-YK0 стандарта DDR3L напряжение 1.35В, с объемом памяти 8GB и пропускной способностью 12800 Мб/с и частотой 1600МГц. Перед покупкой убедитесь, что Ваш ноутбук поддерживает тип памяти DDR3L 1.35 вольт. Уточняйте инфор...

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm тип: DDR3L объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1600 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 11

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M471B5173BH0-CK0 Samsung M471B5273DH0-CK0 Samsung M471B5273CH0-CK0 Samsung M471B5173BH0-CK0 Samsung M471B5273EB0-CK0 Обратите внимание, что данная модель памят...

Модуль памяти Netac NTBSD3N16SP-08 — это один из элементов без которых не обойдётся ни один компьютер. От объёма оперативной памяти напрямую зависит скорость и быстродействие ПК. Представленная вашему вниманию модель функционирует на частоте 1600 МГц, благодаря чему он...

Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 4GB 1333МГц 2Rx8 PC3-10600 - это высококачественный продукт от известного бренда Samsung. Она предназначена для использования в ноутбуках и других портативных устройствах, которые требуют высокой производительности и быстрой обрабо...

Модуль памяти для ноутбука SODIMM Samsung M471B1G73BH0-YK0 стандарта DDR3L напряжение 1.35В, с объемом памяти 8GB и пропускной способностью 12800 Мб/с и частотой 1600МГц. Перед покупкой убедитесь, что Ваш ноутбук поддерживает тип памяти DDR3L 1.35 вольт. Уточняйте инфор...

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M471B5173BH0-CK0 Samsung M471B5273DH0-CK0 Samsung M471B5273CH0-CK0 Samsung M471B5173BH0-CK0 Samsung M471B5273EB0-CK0 Обратите внимание, что данная модель памят...

HYUNDAI / HYNIX DDR2 DIMM 1Gb тип: DDR2 Форм-фактор: DIMM

Оперативная память Samsung форм-фактора SODIMM, типа DDR3 с напряжением 1.5 В, и емкостью одного модуля равной 8 ГБ, предназначена для широкого спектра различных ноутбуков - игровых, рабочих, мультимедийных. Оперативная память Samsung оснащается чипами собственного прои...

Модуль памяти для ноутбука SODIMM Samsung M471B1G73BH0-YK0 стандарта DDR3L напряжение 1.35В, с объемом памяти 8GB и пропускной способностью 12800 Мб/с и частотой 1600МГц. Перед покупкой убедитесь, что Ваш ноутбук поддерживает тип памяти DDR3L 1.35 вольт. Уточняйте инфор...

Модель R534G1601S1S-UG Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.5В Задержка (тест) 11-11-11-28 Латентность CL11 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R534G1601S1S-UG Размер (модули памяти) 4096/1600 Вес...

Модуль памяти Patriot DDR3 SO-DIMM 4Gb 1600МГц CL11 (PSD34G16002S) Назначение: для ноутбуков DDR3. вес брутто: . вес нетто товара: . Напряжение: 1.5 v. Объем памяти: 4 ГБ. Рабочая частота: 1.6 ГГЦ. Тип памяти: DDR3. Форм-фактор памяти: SO-DIMM. Низкопрофильная: Нет. Рад...

Предупреждение Данный модуль работоспособен только в серверных материнских платах и серверных платформах с поддержкой регистровой памяти. В обычных платах с DDR5 не работает Основные характеристики Производитель Samsung Модель M321R2GA3BB6-CQK Тип оборудования Модуль па...

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны пл...

Общие характеристики Тип памяти: DDR3L Форм-фактор: SODIMM 204-контактный Тактовая частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 МБ/с Объем: 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC: нет Поддержка XMP: нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги...

M471A5143DB0-CPB 4GB 1Rx8 PC4-2133P-SA0-10 тип: DDR4 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 2133 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: M471B1G73BH0-CH9 M471B1G73CB0-CK0 Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) - ра...

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm тип: DDR3 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1066 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 7

Модуль памяти для ноутбука SODIMM Samsung M471B1G73BH0-YK0 стандарта DDR3L напряжение 1.35В, с объемом памяти 8GB и пропускной способностью 12800 Мб/с и частотой 1600МГц. Перед покупкой убедитесь, что Ваш ноутбук поддерживает тип памяти DDR3L 1.35 вольт. Уточняйте инфор...

Оперативная память Samsung 8GB DDR3-1600, M378B1G73QH0-CK0 Технические характеристики Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/сек Схема таймингов памяти...

Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 2Rx4 PC3-12800R-11-11-E2-D3 p/n: M393B5170GB0-CK0 для сервера, для компьютера НЕ подходит

DIMM малого размера. Меньше, чем обычные модули DIMM. Поддерживает x8/x16/до 2 рангов на модуль DIMM и конфигурацию 2DPC. Для систем с ограниченным пространством. Применение: ноутбук. Оперативная память SODIMM Samsung M471A1K43DB1-CWE великолепно подходит для комплектац...

Оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CTD] изготовлена с использованием качественных компонентов и материалов, за счет чего отличается высокой надежностью и стабильностью работы вне зависимости от того, насколько сложные задачи выполняются. Модель имеет объем...

Напряжение питания (В): 1.2 В Стандарт: DDR4 Форм-фактор: SODIMM Объем одного модуля: 4 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 4 ГБ Эффективная частота: 3200 МГц Пропускная способность: 25600 Мб/с Поддержка ECC: Нет Буферизованная (регистровая): Нет Ни...

Описание тип: DDR3L, объем одного модуля: 4 ГБ, объем одного модуля (точно): 4 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 11 Подробные характеристики Характеристики Тип DDR3L Форм-фактор SODIMM Количество модулей в компле...

Модуль памяти для ноутбука SODIMM Samsung M471B1G73BH0-YK0 стандарта DDR3L напряжение 1.35В, с объемом памяти 8GB и пропускной способностью 12800 Мб/с и частотой 1600МГц. Перед покупкой убедитесь, что Ваш ноутбук поддерживает тип памяти DDR3L 1.35 вольт. Уточняйте инфор...

Модуль памяти для ноутбука SODIMM Samsung M471B1G73BH0-YK0 стандарта DDR3L напряжение 1.35В, с объемом памяти 8GB и пропускной способностью 12800 Мб/с и частотой 1600МГц. Перед покупкой убедитесь, что Ваш ноутбук поддерживает тип памяти DDR3L 1.35 вольт. Уточняйте инфор...

Производитель SAMSUNG Наименование Оперативная память Samsung 4Gb, DDR3L, SODIMM, PC3-12800, 1600MHz, 1.35V, M471B5173DB0-YK0 Назначение Оперативная память для ноутбуков Модель M471B5173DB0-YK0 Тип памяти DDR3L Чип K4B4G0846D Объем модуля памяти 4 Гб Форм-фактор SODIM...

Коротко о товаре: Оперативная память Samsung DDR3 4Gb DIMM тип: DDR3 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1333 МГц Форм-фактор: DIMM количество модулей в комплекте: 1 шт

Оперативная память Samsung 8GB DDR3-1333 RDIMM PC3L-10600R, M393B1K70CH0-YH9. Объем модуля: 8 Гб. Кол-во планок в комплекте:1 шт. Форм-фактор памяти: DIMM. Ранг памяти: двухранговая. Тип памяти: DDR3 Registered. Ранги: 2R x 4. Напряжение питания: 1.5 V / 1.35 V. Тактова...

Память SO-DIMM DDR4 4Gb 2666MHz Samsung [M471A5244CB0-CTD] - это 4-гигабайтная оперативная память SODIMM, выпущенная легендарным производителем компьютерной и другой техники Samsung. Память соответствует типу DDR4, который в настоящее время является самым распространенн...

Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Количеств...

Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb 1.5v 2Rx8 PC3-12800S-11-11-F3 DDR3 1.5v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2010-2015й год иногда 2016 -Intel: i3-2го i3-3го (поколения) -Intel: i5-2го i5-3го (поколения) -Intel: i7-2г...

Оперативная память 8 ГБ Samsung DDR3L 1600 SO-DIMM 8Gb 1.3v -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2011-2015й год иногда 2016 -Intel: i3-2го i3-3го i3-4го(поколения) -Intel: i5-2го i5-3го i5-4го (поколения) -Intel: i7-2го i7-3го i7-4го (поколения) -на всю...

< tr class='sptr2'>Тип памяти DDR3 < tr class='sptr2'>Форм-фактор SODIMM 204-контактный < tr class='sptr2'>Тактовая частота 1333 МГц < tr class='sptr2'>Пропускная способность 10600 МБ/с < tr class='sptr2'>Объем 1 модуль 4 ГБ < tr class='sptr2'>Поддержка ECC нет < tr cla...

Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS...

Основные Суммарный объем памяти 4 ГБ Емкость одного модуля 4 ГБ Тип памяти DDR3 Тактовая частота, МГц 1333 Количество модулей в комплекте 1 Конструкция Радиатор Нет Размеры, мм 133*30 Заводские данные Пропускная способность, Мб/с 10600 CAS Latency (CL) тип: DDR3 объем...

Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 RAS to...

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: M471B1G73BH0-CH9 M471B1G73CB0-CK0 Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) - ра...

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M470T566QZ3-CE6 Samsung M470T5663EZ3-CE6 тип: DDR2 объем одного модуля: 2 ГБ тактовая частота: 667 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 ш...

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: M471B1G73BH0-CH9 M471B1G73CB0-CK0 Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) - ра...

[Модуль памяти] Память DIMM DDR3 4Gb PC12800 1600MHz CL11 Netac 1.5V (NTBSD3P16SP-04) Activate to Precharge Delay (tRAS) 28 CAS Latency (CL) 11 масса(кг) 0.12 GTD Number 10005030/230523/3135187 GTIN 06926337231174 Cтрана-производитель китай Партномер NTBSD3P16SP-04 RAS...

ОсновныеНабор1 модульОбъем8 ГБТипDDR3 DIMM RegisteredECCДаЧастота1600 МГцPC-индексPC3-12800CAS Latency11TНапряжение питания1.35 В Технические характеристикиРасположение чиповдвустороннееКоличество ранков1Число микросхем20Профили XMPНетПрофили AMPНет КонструкцияОхлаждени...

Оперативная память Samsung DDR3 2GB 2Rx8 PC3-10600S-09-11-F3 SO-DIMM p/n: M471B5673GB0-CH9 DDR3 2GB 2Rx8 PC3-10600S-09-11-F3 SO-DIMM тип: DDR3 объем одного модуля: 2 ГБ тактовая частота: 1333 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 11

Тип: DDR3L объем одного модуля: 8 ГБ тактовая частота: 1600 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 2 шт. особенности: игровая, для imac, для macbook, для моноблоков, для ноутбуков

Оперативная память SODIMM AMD Radeon R5 Entertainment Series [R534G1601S1S-U] может быть полезна владельцам мобильных компьютеров, которые рассчитаны на использование модулей DDR3. Устройство, объем которого равен 4 ГБ, обеспечивает возможность модернизации ноутбука. Ув...

DDR3 4Gb 1066 Mhz So-Dimm 1Rx8 Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB 1Rx8 PC3-8500S-07-10-F2 Производитель: Samsung Модель: M471B5273CH0-CF8 Назначение: для ноутбуков, нетбуков Форм-фактор: So-Dimm Объём: 4 Gb Тип: DDR3 Пропускная способность: PC8500 Тактовая частота: 1066 Mhz Р...

Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 RAS to...

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны пл...

Оперативная память Samsung 1x 16GB DDR3-1333 RDIMM PC3L-10600R Dual Rank x4 Modul, M393B2G70BH0-YH9 Технические характеристики STORAGE CAPACITY 16GB MEMORY TECHNOLOGY DDR3 SDRAM NUMBER OF MODULES 1 X 16GB BUS SPEED 1333MHZ DDR3-1333/PC3L-10600 DATA INTEGRITY CHECK ECC S...

Особенности комплектующих для ноутбуков в первую очередь выражаются в миниатюрности, что продиктовано компактными размерами устройств данного типа. Естественно это может стать определенной причиной не очень высокой надежности некоторых принадлежностей. Именно поэтому, м...

Частотная спецификация1600Форм-факторSO-DIMMТип поставкиOEMКоличество в упаковке1Тип памятиDDR3БрендAMDОбъем8192PartNumber/Артикул ПроизводителяR538G1601S2S-UOМодельR538G1601S2S-UOКоличество контактов204-pinПоказатель скоростиPC3-12800Скорость (тест)1600МГцНапряжение (т...

Оперативная память Compit CMPTDDR34GBSDL1600135 DDR3L 4GB SO-DIMM 1600MHz для ноутбуков имеет 4-гигабайтовый модуль, высоту в 31.25 мм, ее отличает современный продуктивный тип DDR 3L, обеспечивающий большую энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в у...

Модель HKED3082BAA2A0ZA1/8G Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.35В Латентность CL11 Бренд HIKVISION PartNumber/Артикул Производителя HKED3082BAA2A0ZA1/8G Вес упаковки (ед) 0.036 Тип памяти DDR3L Объем 8...

Оперативная память DDR3 SODIMM 1600MHz QOPP для ноутбука имеет современный продуктивный тип DDR 3, обеспечивающий большую энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На это же работает и диапа...

Тип: DDR3 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1600 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 11

Описание Характеристики Тип DDR3 Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля 4 ГБ Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность PC10600 Напряжение питания 1.5 В Количество контактов 204 Гарантийный срок 1 г. количество модулей в комплекте...

Производитель: Nanya Модель: NT4GC64B8HG0NS-CG Тип: DDR3 Форм-фактор: So-Dimm Объём: 4 Gb Пропускная способность: 10600S Частота: 1333 Mhz Латентность: 9 Ранг: двухранговая Тайминги: 9-9-9 Энергопотребление: 1,5 V тип: DDR3 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1...

Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет количество модулей в комплекте: 1 шт. объем одного модуля: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайми...

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 8 ГБ и 260-контактным модулем SODIMM? Предельная частота работы устройства достигает 32...

Для временного хранения данных выбирайте модуль памяти Micron DDR3 с форм-фактором SO-DIMM. Тип поставки говорит о том, что продукт полностью готов к эксплуатации. Объем модуля 4 Гб позволяет использовать его в качестве единственного модуля и в комбинации с другими моду...

Особенности комплектующих для ноутбуков в первую очередь выражаются в миниатюрности, что продиктовано компактными размерами устройств данного типа. Естественно это может стать определенной причиной не очень высокой надежности некоторых принадлежностей. Именно поэтому, м...

Модуль памяти Kingston KVR32S22S6/4 — это один из элементов без которых не обойдётся ни один компьютер. От объёма оперативной памяти напрямую зависит скорость и быстродействие ПК. Представленная вашему вниманию модель функционирует на частоте 3200 МГц, благодаря чему о...

8-гигабайтная оперативная память SODIMM AMD [R538G1601S2SL-U] – отличный вариант для комплектации мобильного компьютера. Это устройство памяти можно использовать как для модернизации существующих модулей памяти, так и, при наличии соответствующей технической возможности...

Совместимые модели: Hynix HMT351S6CFR8A-PB Hynix HMT451S6AFR8A-PB Hynix HMT451S6BFR8A-PB тип: DDR3L тактовая частота: 1600 МГц Форм-фактор: SODIMM

Название Kingston KVR1333D3N9-4G. Линейка ValueRAM. Тип DDR3. Форм-фактор DIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 4 ГБ. Тактовая частота 1333 МГц. Пропускная способность PC10600. CL 9. tRCD 9. tRP 9. Количество чипов каждого модуля 16. Напряжение...

Оперативная память SODIMM AMD Radeon R5 Entertainment Series [R534G1601S1S-U] может быть полезна владельцам мобильных компьютеров, которые рассчитаны на использование модулей DDR3. Устройство, объем которого равен 4 ГБ, обеспечивает возможность модернизации ноутбука. Ув...

Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет количество модулей в комплекте: 1 шт. объем одного модуля: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайми...

Серия продукции: Radeon R5 Entertainment Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR3 Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 8 ГБ Эффективная частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 Мб/с Поддержка ECC: Н...

Модуль памяти Patriot DDR4 SO-DIMM 8Gb 2400МГц CL17 (PSD48G240081S) Назначение: для ноутбуков DDR4. вес брутто: . вес нетто товара: . Напряжение: 1.2 v. Объем памяти: 8 ГБ. Рабочая частота: 2.4 ГГЦ. Тип памяти: DDR4. Форм-фактор памяти: SO-DIMM. Низкопрофильная: Нет. Ра...

[Модуль памяти] Patriot DDR4 8Gb 2666MHz PSD48G266681S RTL PC3-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Activate to Precharge Delay (tRAS) 43 CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.04 GTD Number 10005030/100523/3120305 GTIN 00814914025574 Cтрана-производитель тайвань (китай...

D_HEIGHT 1 D_LENGTH 10 D_WIDTH 7 EANUPCCode h0cq010236000052236z Error-correcting code (ECC) Да Буферизованная (Registered) Да Объем, ГБ 32GB Рабочее напряжение, В 1.2 V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3200 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0...

Оперативная память — одна из неотъемлемых составляющих компьютера. Тактовая частота и пропускная способность характеризуют скоростные характеристики памяти. Чем выше эти показатели, тем лучше, но стоит обратить внимание, что частота памяти должна согласовываться с часто...

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны пл...

Модули памяти для серверов 16gb, new oem Модуль памяти DIMM DDR3 16gb, 1066Mhz, Samsung ECC REG 4RX4 PC3-8500R M393B2K70CM0-CF8 Объем памяти комплекта 16 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1066 МГц Пропускная спосо...

Оперативная память Samsung 1x 16GB DDR3-1333 RDIMM PC3L-10600R Dual Rank x4 Modul, M393B2G70BH0-YH9 Технические характеристики STORAGE CAPACITY 16GB MEMORY TECHNOLOGY DDR3 SDRAM NUMBER OF MODULES 1 X 16GB BUS SPEED 1333MHZ DDR3-1333/PC3L-10600 DATA INTEGRITY CHECK ECC...

Оперативная память DDR4 SO-DIMM 2666MHz QOPP для ноутбука имеет современный продуктивный тип DDR 4, обеспечивающий большую, по сравнению с DDR3, энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На...

Модель памяти Kingston на 4GB форм-фактора SO-DIMM долго и верно будет служить владельцам ноутбуков, радуя пользователей самыми высокими скоростными показателями. тип: DDR3L объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1600 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в к...

Память DIMM DDR4 8Gb 3200MHz Samsung [M378A1G44AB0-CWE] - это высококачественный модуль оперативной памяти, разработанный и произведенный компанией Samsung. Память имеет объем одного модуля 8 ГБ, что позволяет обеспечить высокую производительность и быстродействие систе...