Оперативная память Samsung SDRAM 133 SO-DIMM 512Mb

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm тип: DDR объем одного модуля: 1 ГБ тактовая частота: 400 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 2.5

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Оперативная память Samsung M470T5663QZ3-CE6 для ноутбуков. Оперативная память DDR2 второго поколения отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением. Моду...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Модуль памяти Netac Basic DDR4 SO-DIMM 8Gb 2666МГц CL19 (NTBSD4N26SP-08) Назначение: для ноутбуков DDR4. вес брутто: . вес нетто товара: . Напряжение: 1.2 v. Объем памяти: 8 ГБ. Рабочая частота: 2.6 ГГЦ. Тип памяти: DDR4. Форм-фактор памяти: SO-DIMM. Низкопрофильная: Не...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

DDR3L 8GB 1600MHz 1.35V CL11 SODIMM - это высококачественная оперативная память, разработанная известным производителем электроники. Она предназначена для использования в ноутбуках и других устройствах, использующих компактные форм-факторы и низковольтные модули SODIMM....

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Desc: Тип памяти DDR2 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 512 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

HYUNDAI / HYNIX DDR2 DIMM 1Gb тип: DDR2 Форм-фактор: DIMM

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: SDRAM, объем одного модуля: 0.5 ГБ, объем одного модуля (точно): 0.50 ГБ, тактовая частота: 133 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 3

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Оперативная память Dimm SdRam 512Mb/PC-133 Hynix по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Оперативная память Dimm SdRam 512Mb/PC-133 Hynix по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Оперативная память Dimm SdRam 512Mb/PC-133 Hynix по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Оперативная память Dimm SdRam 512Mb/PC-133 Hynix по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

-- --, x512 МБ

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Оперативная память Samsung 1x 16GB DDR3-1333 RDIMM PC3L-10600R Dual Rank x4 Modul, M393B2G70BH0-YH9 Технические характеристики STORAGE CAPACITY 16GB MEMORY TECHNOLOGY DDR3 SDRAM NUMBER OF MODULES 1 X 16GB BUS SPEED 1333MHZ DDR3-1333/PC3L-10600 DATA INTEGRITY CHECK ECC...

Данный модуль оперативной памяти совместим с платформами intel и AMD Бывает Характеристики: • Стандарт: DDR SDRAM PC2700, 333 МГц • 512 Мб • Тайминги: 9-9-9 • Питание платы: 1.8 В • Количество чипов: 16 шт • Расположение чипов: одностороннее • Цвет: зеленый • Профиль: M...

Оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CTD] изготовлена с использованием качественных компонентов и материалов, за счет чего отличается высокой надежностью и стабильностью работы вне зависимости от того, насколько сложные задачи выполняются. Модель имеет объем...

Название Оперативная память DDR5 8Gb 4800 Mhz Samsung M425R1GB4BB0-CQK0D PC5-4800B So-Dimm для ноутбука. Тип DDR5. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 4800 МГц. Пропускная способность PC38400. CL 40. Количе...

Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR4 1600 SO-DIMM 8Gb пропускная способность PC17000 p/n: M391A1G43DB0-CPB SOKHA 107303352D7DC 1730 8Gb 2Rx8 PC4-2133P-SEO-10 DDR4 SO-DIMM Оперативная память SODIMM Samsung формата DDR4 имеет ряд важных преимуществ по сравнению с пр...

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M470T566QZ3-CE6 Samsung M470T5663EZ3-CE6 тип: DDR2 объем одного модуля: 2 ГБ тактовая частота: 667 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 ш...

Назначение: Для ноутбука Подсветка: Нет Тип памяти: DDR3 Форм-фактор: SO-DIMM Количество модулей в комплекте: 1 CAS Latency (CL): 11 Частота (МГц): 1600 Пропускная способность (Мегабитс): 12800 Объем одного модуля (Гб): 2 Общий объем (Гб) количество модулей в комплекте...

Тип: DDR Форм-фактор: DIMM количество модулей в комплекте: 1 шт

Категория: Proliant Memory Подкатегория: Genuine HP Memory Емкость: 512 MB Технология: DDR SDRAM Модель: 345112-851 Hewlett-Packard 413384-001 SPS-MEM DIMM тип: DDR2 объем одного модуля: 0.5 ГБ тактовая частота: 400 МГц Форм-фактор: DIMM особенности: ECC, Registered

Модуль памяти m378t6553cz3-cd5, DDR2, 512 Мб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина. количество модулей в комплекте: 1 шт. объем одного модуля: 0.5 ГБ тип: DDR2 DIMM 240-pin тактовая частота: 533 МГц напряжение питания: 1.8 В пропускная способно...

Модуль памяти SAMSUNG SODIMM DDR2 2GB 2Rx8 PC2-6400S-666-12-E3 Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению...

DIMM малого размера. Меньше, чем обычные модули DIMM. Поддерживает x8/x16/до 2 рангов на модуль DIMM и конфигурацию 2DPC. Для систем с ограниченным пространством. Применение: ноутбук. Оперативная память SODIMM Samsung M471A1K43DB1-CWE великолепно подходит для комплектац...

Модуль памяти m368l6523dus-ccc, DDR, 512 Мб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина

Модуль памяти DDR2 2 Гб x 1 шт. PC2-6400 (DDR2 800 МГц) Напряжение: 1.8 В (DDR2) тип: DDR2 объем одного модуля: 2 ГБ тактовая частота: 800 МГц Форм-фактор: DIMM

Оперативная память Kingston ValueRAM - это надежный и производительный модуль памяти DDR3, который может увеличить скорость работы вашего компьютера. Оперативная память - это важная составляющая любого компьютера, так как она отвечает за скорость обмена данными между пр...

Основные Суммарный объем памяти 2 ГБ Емкость одного модуля 2 ГБ Тип памяти DDR2 Тактовая частота, МГц 800 Количество модулей в комплекте 1 Заводские данные Пропускная способность, Мб/с 6400 CAS Latency (CL) количество модулей в комплекте: 1 шт. объем одного модуля: 2 Г...

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm тип: DDR2 объем одного модуля: 2 ГБ тактовая частота: 800 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 6

Тип: DDR4 Форм-фактор: DIMM

M471A5143DB0-CPB 4GB 1Rx8 PC4-2133P-SA0-10 тип: DDR4 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 2133 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт

Разумный выбор для ваших устройств. Повышенная производительность за счет увеличенной скорости и совместимости. Большая ёмкость позволяет вам хранить множество медиафайлов на Вашем телефоне, устанавливать игры на вашу портативную консоль или загружать ещё больше приложе...

8-гигабайтная оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43CB1-CRC] является отличным вариантом для модернизации мобильного компьютера, в котором используется память DDR4. Увеличив объем памяти, вы сможете повысить скорость работы операционной системы и большинства прогр...

Оперативная память Модуль памяти Crusial DDR2 2GB SO-DIMM 800мГц CT25664AC800 Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучш...

Категория: радиодетали. память MICRON MT41K512M8RG-107:N D9RVX DDR3L 1866 512M*8 1.35V

Оперативная память 8 ГБ Samsung DDR3L 1600 SO-DIMM 8Gb 1.3v -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2011-2015й год иногда 2016 -Intel: i3-2го i3-3го i3-4го(поколения) -Intel: i5-2го i5-3го i5-4го (поколения) -Intel: i7-2го i7-3го i7-4го (поколения) -на всю...

Оперативная память Hynix DDR3 4Gb 1600MHz OEM PC3-12800 SO-DIMM 204-pin original HMT451S6AFR8A тип: DDR3 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1600 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 11

Название Модуль памяти SO-DIMM DDR4 8Gb PC25600 3200Mhz Samsung. Тип DDR4. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность PC25600. CL 22. Количество чипов каждого модуля 8. Напряжение...

Модуль памяти для ноутбука SODIMM Samsung M471B1G73BH0-YK0 стандарта DDR3L напряжение 1.35В, с объемом памяти 8GB и пропускной способностью 12800 Мб/с и частотой 1600МГц. Перед покупкой убедитесь, что Ваш ноутбук поддерживает тип памяти DDR3L 1.35 вольт. Уточняйте инфор...

Модуль памяти SODIMM Samsung M471B5273BH1-CF8 стандарта DDR3, с объемом памяти 4GB и пропускной способностью 8500 Мб/с. количество модулей в комплекте: 1 шт. объем одного модуля: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1066 МГц тайминги: 7-7-7-30 напряжение пит...

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны пл...

Категория: комплектующие для ноутбуков.. память V-COLOR/D31G0510 DDR3 128*8-1.5 1.5V FBGA78

Память SO-DIMM DDR4 4Gb 2666MHz Samsung [M471A5244CB0-CTD] - это 4-гигабайтная оперативная память SODIMM, выпущенная легендарным производителем компьютерной и другой техники Samsung. Память соответствует типу DDR4, который в настоящее время является самым распространенн...

Основные Суммарный объем памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Емкость одного модуля 8 ГБ Тип памяти DDR5 Пропускная способность, Мб/с 44800 Тактовая частота, МГц 5600 Форм-фактор RAM SO-DIMM Конструкция Радиатор Нет Подсветка Нет Тайминги CA...

ОЗУ So-Dimm 512Mb PC2-4200, DDR2-533 Samsung M470T6554CZ3-CD5

Оперативная память Samsung DDR3 2GB 2Rx8 PC3-10600S-09-11-F3 SO-DIMM p/n: M471B5673GB0-CH9 DDR3 2GB 2Rx8 PC3-10600S-09-11-F3 SO-DIMM тип: DDR3 объем одного модуля: 2 ГБ тактовая частота: 1333 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 11

Работает на напряжениях 1.5В 1.35В Оперативная память DDR3 (4GB), SODIMM - 1333MHz Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5В 1.35В тип: DDR3 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1333 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 9

Модель KVR26S19S6/4 Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 19-19-19 Латентность CL19 Режим работы двухканальный Бренд KINGSTON PartNumber/Артикул Производителя KVR26S19S6/4 Количество ран...

Особенности комплектующих для ноутбуков в первую очередь выражаются в миниатюрности, что продиктовано компактными размерами устройств данного типа. Естественно это может стать определенной причиной не очень высокой надежности некоторых принадлежностей. Именно поэтому, м...

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков, мини пк и других устройств с разъемом sodimm тип: DDR2 объем одного модуля: 1 ГБ тактовая частота: 667 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт

Модель памяти Kingston на 4GB форм-фактора SO-DIMM долго и верно будет служить владельцам ноутбуков, радуя пользователей самыми высокими скоростными показателями. тип: DDR3L объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1600 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в к...

Оперативная память 4 ГБ 2 шт. Samsung DDR3L 1600 SO-DIMM 4Gb 1.3v 2Rx4 PC3L-12800S-11-11-F3 DDR3L 1.3v-1.35v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2011-2015й год иногда 2016 -Intel: i3-2го i3-3го i3-4го(поколения) -Intel: i5-2го i5-3го i5-4го (по...

Оперативная память Samsung M471A1K43BB1-CRC DDR4 2400 Mhz; Объем модуля 8 Gb Совместимые модели (список может быть не полным): Samsung M471A1K43CB1-CRC Samsung M471A1K43BB1-CRC количество модулей в комплекте: 1 шт. объем одного модуля: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin так...

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm тип: DDR3 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1066 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 7

Объем 2 Гб. Тип памяти: DDR3. Частота: 1333 МГц (PC-10600). Тип исполнения: для ноутбука SO-DIMM. Пропускная способность: PC-10600. Партномер KVR1333D3S9/2G количество модулей в комплекте: 1 шт. объем одного модуля: 2 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1333...

Модель R744G2400S1S-UO Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-19200 Скорость (тест) 2400МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 16-16-16-36 Латентность CL16 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R744G2400S1S-UO Серия Radeon R7 Performance Series Ти...

Количество модулей в комплекте: 1 шт. объем одного модуля: 0.5 ГБ тип: DDR2 DIMM 240-pin тактовая частота: 800 МГц тайминги: 6 напряжение питания: 1.8 В пропускная способность: PC6400 особенности: Unregistered

Модель PSD34G160081S Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (SPD) 1600МГц Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (SPD) 1.5В Напряжение (тест) 1.5В Задержка (SPD) 11-11-11 Задержка (тест) 11-11-11 Латентность CL11 Бренд PATRIOT PartNumber/Артикул...

Базовая единица: шт Тип: DDR3L Форм-фактор: SODIMM Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 4|ГБ Тактовая частота: 1600|МГц Пропускная способность: PC12800 CL: 11 tRCD: 11 tRP: 11 tRAS: 28 Напряжение питания: 1.35 В Количество рангов: 1 Количество конт...

Оперативная память Micron MT16LSDF6464HG-133D2 SDRAM 512Mb по выгодной цене

Заметному приросту работоспособности ноутбучного устройства может поспособствовать замена модулей памяти, имеющих недостаточный объем на более современные, имеющие расширенный показатель объема. Можно установить дополнительную планку памяти, если количество соответствую...

Модель HKED3082BAA2A0ZA1/8G Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.35В Латентность CL11 Бренд HIKVISION PartNumber/Артикул Производителя HKED3082BAA2A0ZA1/8G Вес упаковки (ед) 0.036 Тип памяти DDR3L Объем 8...

Оперативная память DDR3 SODIMM 1600MHz QOPP для ноутбука имеет современный продуктивный тип DDR 3, обеспечивающий большую энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На это же работает и диапа...

Модуль памяти Netac NTBSD3N16SP-08 — это один из элементов без которых не обойдётся ни один компьютер. От объёма оперативной памяти напрямую зависит скорость и быстродействие ПК. Представленная вашему вниманию модель функционирует на частоте 1600 МГц, благодаря чему он...

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 8 ГБ и 260-контактным модулем SODIMM? Предельная частота работы устройства достигает 32...

Память DIMM DDR4 8Gb 3200MHz Samsung [M378A1G44AB0-CWE] - это высококачественный модуль оперативной памяти, разработанный и произведенный компанией Samsung. Память имеет объем одного модуля 8 ГБ, что позволяет обеспечить высокую производительность и быстродействие систе...

Частотная спецификация1600Форм-факторSO-DIMMТип поставкиOEMКоличество в упаковке1Тип памятиDDR3БрендAMDОбъем8192PartNumber/Артикул ПроизводителяR538G1601S2S-UOМодельR538G1601S2S-UOКоличество контактов204-pinПоказатель скоростиPC3-12800Скорость (тест)1600МГцНапряжение (т...

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm тип: DDR объем одного модуля: 1 ГБ тактовая частота: 400 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 2.5

Серия продукции: Radeon R3 Value Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: SODIMM Стандарт памяти: DDR3 Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 8 ГБ Эффективная частота: 1333 МГц Пропускная способность: 10600 Мб/с Поддержка ECC: Нет Низ...

Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютер...

Модель PSD44G213381 Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-17000 Скорость (тест) 2133МГц Напряжение (тест) 1.2В Латентность CL15 Бренд PATRIOT PartNumber/Артикул Производителя PSD44G213381 Количество рангов (Ranks) single rank Количество чипов 8 Вес упаков...

[Модуль памяти] Patriot DDR4 8Gb 2666MHz PSD48G266681S RTL PC3-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Activate to Precharge Delay (tRAS) 43 CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.04 GTD Number 10005030/100523/3120305 GTIN 00814914025574 Cтрана-производитель тайвань (китай...

Оперативная память SODIMM AMD Radeon R5 Entertainment Series [R532G1601S1S-U] – хорошее решение для приобретения. Представленный модуль выпускается крупным производителем. Компания AMD использует при изготовлении исключительно проверенные компоненты, благодаря чему обес...

Модель R748G2606S2S-U Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 16-18-18-35 Латентность CL16 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R748G2606S2S-U Вес упаковки (ед) 0.017 Серия Radeon R7...

Модуль памяти Patriot PSD34G13332S — это один из элементов без которых не обойдётся ни один компьютер. От объёма оперативной памяти напрямую зависит скорость и быстродействие ПК. Представленная вашему вниманию модель функционирует на частоте 1333 МГц, благодаря чему он...

Основные характеристики Вес (грамм) 13 Количество контактов 204 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле 8 Линейка ES Модель ES.08G2V. GNH Напряжение (В) 1,2 Низкопрофильная Нет Общий объем памяти (ГБ) 8 Объем одного модуля (ГБ) 8 Поддержка Reg Н...

8-гигабайтная оперативная память SODIMM AMD [R538G1601S2SL-U] – отличный вариант для комплектации мобильного компьютера. Это устройство памяти можно использовать как для модернизации существующих модулей памяти, так и, при наличии соответствующей технической возможности...

Оперативная память DDR4 SO-DIMM 2666MHz QOPP для ноутбука имеет современный продуктивный тип DDR 4, обеспечивающий большую, по сравнению с DDR3, энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На...

[Модуль памяти] HPE 32GB (1x32GB) 2Rx4 PC4-2933Y-R DDR4 Registered Memory Kit for Gen10 Cascade Lake (P00924-B21 / P06189-001(B) / P03052-091) HPE 32GB (1x32GB) 2Rx4 PC4-2933Y-R DDR4 Registered Memory Kit for Gen10 Cascade Lake (P00924-B21 / P06189-001(B) / P03052-091)...

Модель PSD48G213381 Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-17000 Скорость (тест) 2133МГц Напряжение (тест) 1.2В Латентность CL15 Бренд PATRIOT PartNumber/Артикул Производителя PSD48G213381 Количество рангов (Ranks) single rank Количество чипов 8 Вес упаков...

Модель M323R2GA3BB0-CQK Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC5-38400 Скорость (тест) 4800МГц Напряжение (тест) 1.1В Латентность CL40 Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя M323R2GA3BB0-CQK Количество рангов (Ranks) single rank Размер (модули памяти...

XPOWER AirCool DDR4 - это высококачественное ОЗУ отличается потрясающей скоростью до 4133 МГц при низком энергопотреблении (1,4 В). Специально разработанный для самых страстных геймеров и мододелов, XPOWER AirCool DDR4 - лучшее решение для тех, кому требуется мощное и д...

Оперативная память – одна из важнейших деталей Вашего компьютера. Память поможет ускорить обмен данными на компьютере. Память Apacer AU04GFA60CATBGC обеспечит Вам быструю результативную работу за компьютером и комфортный отдых! Оперативная память незаменима для выполнен...

Оперативная память SO-DIMM DDR5 Netac Basic 16GB пригодится для установки в ноутбуки. Вариантов применения планки несколько, с ее помощью можно заменить старый модуль или расширить объем ОЗУ. Компания Netac гарантирует высокое качество плашки. Ее изготовление осуществля...

Модуль памяти Crucial DDR4 SO-DIMM 8Gb 3200МГц CL22 (CT8G4SFRA32A) вес брутто: . вес нетто товара: . Напряжение: 1.2 v. Объем памяти: 8 ГБ. Рабочая частота: 3.2 ГГЦ. Тип памяти: DDR4. Форм-фактор памяти: SO-DIMM. Низкопрофильная: Нет. Радиатор охлаждения: Нет. Объем одн...

8-гигабайтная оперативная память SODIMM Patriot Signature [PSD48G213381S] – модель от известного производителя памяти разных типов. Модуль совместим с ноутбуками, которые рассчитаны на монтаж памяти DDR4. Вы сможете без лишних усилий модернизировать существующую память...

БрендKINGSTONБуферизацияunbufferedФорм-факторDIMMТип поставкиRetКоличество в упаковке1СерияVALUERAMPartNumber/Артикул ПроизводителяKVR26N19S8/8Объем8192Частотная спецификация2666Скорость (тест)2666МГцЛатентностьCL19Тип памятиDDR4Количество контактов288-pinПоказатель ско...

[Модуль памяти] Samsung DDR5 64GB 4800MHz RDIMM PC5 38400R 2Rx4 Registred ECC 1.1V, M321R8GA0BB0-CQK Основные характеристики Вес (грамм) Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле Линейка Модель M321R8GA0BB0-CQK Напряжен...

Серия продукции: Radeon R5 Entertainment Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR3 Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 8 ГБ Эффективная частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 Мб/с Поддержка ECC: Н...

Тип: DDR4 тактовая частота: 3200 МГц Форм-фактор: SODIMM

Модель PVE2416G266C6K Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (SPD) 2666МГц Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (SPD) 1.2В Напряжение (тест) 1.2В Задержка (SPD) 19-19-19-43 Задержка (тест) 16-17-17-36 Латентность CL16 Бренд PATRIOT PartNumber/...

CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.03 GTD Number 10005030/050623/3147649 GTIN 04712389908100 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер EL.32G21. PSH высота(см) 4 гарантия 3 года длина(см) 15 Дополнительная информация нет Количество модулей в комплекте (шт) 2 Линейка X...

Модель R744G2606S1S-U Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 16-18-18-35 Латентность CL16 Режим работы двухканальный Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R744G2606S1S-U Размер (моду...

Код товара: 716926. Наличный и безналичный расчет! Быстрая доставка. 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 ВОсновные- Набор: 1 модуль- Объем: 8 ГБ- Тип: DDR3 DIMM- ECC: нет- Частота: 1600 МГц- PC-индекс: PC3-12800- CAS Latency: 11T- Тайм...

Activate to Precharge Delay (tRAS) CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.09 GTD Number 10005030/210423/3103960 GTIN 04712389906663 Cтрана-производитель Тайвань (китай) Партномер EL.16G21. GSH RAS to CAS Delay (tRCD) Row Precharge Delay (tRP) Вес (грамм) Высота (мм) 31 выс...

Модель AD4S26668G19-SGN Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Латентность CL19 Бренд A-DATA PartNumber/Артикул Производителя AD4S26668G19-SGN Количество рангов (Ranks) dual rank Длина упаковки (ед) 0.16...