Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2Т808А / Аналоги: КТ808А, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2SC1618, 2SD201, 2SD202, 2SD203, BLJY55, BLY47, KD602, KU606 / n-p-n переключательные
от 1 800 руб.
предложения от 1 магазина
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 напряжение: 60 В ти...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор MJ2955 (PNP, 15А, 60В)
от 179 руб.
предложения от 1 магазина
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор BJT 2N3963 (PNP, 0.2А, 80В)
от 186 руб.
предложения от 1 магазина
Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) - это мощный NPN транзистор, который используется в схемах управления мощными нагрузками, такими как электродвигатели, лампы и т. д. Он имеет максимальное напряжение до 400 В и максимальный ток до 8 А. Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) имее...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор MJE13007 400 В, 8 А, 80 Вт, TO-220 (RP)
от 157 руб.
предложения от 1 магазина
Транзисторы 2Т606А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В. Характеристики: Все характеристики h21э 15...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2Т606А
от 230 руб.
предложения от 1 магазина
Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Основные технические характеристики транзистора П214А: •...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор П214А
от 307 руб.
предложения от 1 магазина
Транзисторы 2Т904А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Основные технические характеристики транз...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2Т904А
от 1 000 руб.
предложения от 1 магазина
Детали для ремонта радиоэлектроники. произведено в СССР, дата производства
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2Т606А
от 950 руб.
предложения от 1 магазина
Коэффициент: передачи тока статический: 10-15 Частота: коэффициента передачи тока граничная: 270 МГц Напряжение: насыщения коллект/эмитт (U кэ) при заданном I к и заданном I б: 65 В Максимальное напряжение: коллект/база: 60 В Максимальное напряжение: коллект/эмитт (U кэ...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2Т949А
от 605 руб.
предложения от 1 магазина
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 20 Вт Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 30 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В Максимальное напряжение: эмиттер-база...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2Т932А
от 323 руб.
предложения от 1 магазина
Конфигурация: n-p-n Мощность: рассеиваемая: 100 мВт Частота: коэффициента передачи тока граничная: 1800 МГц Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В Максимальное напряжение: эми...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2Т382А
от 548 руб.
предложения от 1 магазина
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 5 Вт Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 75 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В Максимальное напряжение: эмиттер-база...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2Т933А
от 407 руб.
предложения от 1 магазина
Тип: Электронные компоненты
Транзистор SPB80N06S2-08 D2Pak, мар-ка 2N0608, MOSFET N-ch 55В 80А
от 536 руб.
Основные технические параметры КТ858А: КТ858А Транзистор КТ858А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не боле...
Транзистор КТ858А (2SC2335 мет)
от 310 руб.
TIP142T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT63B схема BDW42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP142T Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более...
TIP142T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT63B схема BDW42 характеристики цоколевка datasheet TIP142
от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3407 A79T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2SA795 аналог AN7912F характеристики цоколевка datasheet А79Т MOSFET A03407 Наименование прибора: AO3407 Маркировка: A79TF_X7*_A7 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеи...
AO3407 A79T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2SA795 аналог AN7912F характеристики цоколевка datasheet А79Т MOSFET A03407
от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipatio...
IRF740 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2841 схема BUZ61A характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 D331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SD471A схема KSC1008 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 8050 Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база,...
S8050 D331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SD471A схема KSC1008 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 8050
от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222 Характеристики транзистора P2N2222A Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база,...
2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222
от 391 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...
Печатная Плата для сборки Hi-Fi Транзисторный Усилитель 100 Вт PCB amplifier amp, 2 шт
от 1 290 руб.
Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...
Плата Транзисторный Усилитель AX12 100Вт, 2 шт
от 1 300 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...
Плата Транзисторный Усилитель Only Music 2.7 120 Вт
от 930 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...
Печатная Плата для сборки Hi-Fi Транзисторный Усилитель 100 Вт PCB amplifier amp, 1 шт
от 650 руб.
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...
GT50JR22 50JR22 IGBT-транзисторы Toshiba Оригинал 4шт
от 701 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...
Транзистор 2N3904 (NPN, 0.2А, 40В)
от 129 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...
Плата Транзисторный Усилитель AX12 100Вт, 1 шт
от 690 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2907 2F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N2907 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40 В Напряжение коллектор-база Uкбо (m...
2N2907 2F транзистор 5 штук SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка даташит
от 291 руб.
Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность колле...
Транзистор C945 TO-92, 2шт
от 220 руб.
Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт по выгодной цене
Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт
от 409 руб.
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...
Транзистор BFW16A (NPN, 0.3А, 25В)
от 149 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор 2SC8050
от 230 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2302 маркировка...
A2SHB транзистор 5 штук SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка даташит
от 391 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...
Плата Транзисторный Усилитель Only Music 2.7 120 ВтPCB amplifier, 2 шт
от 1 679 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов ВС337 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC337-16 схема 2N5818 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet MPSA06 Характеристики транзистора BC337 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не...
BC337 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC337-16 схема 2N5818 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet MPSA06
от 291 руб.
Транзисторы 2Т371А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях сверхвысоких частот. Выпускаются в металлостеклокерамическом корпусе с гибкими полосковы...
Транзистор 2Т371А / Аналоги: КТ371А, MA42265-287 / n-p-n сверхвысокочастотные усилительные
от 499 руб.
Ac-32156, MPS2222AG 2N2222A, Транзистор NPN 40В 0.6А TO-92, ABC, Транзисторы, ABC
MPS2222AG 2N2222A, Транзистор NPN 40В 0.6А TO-92
от 245 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...
Транзистор 2SC3461
от 245 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 H331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N4401 схема MPS2222AG характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N3904 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база,...
2N3904 H 331 транзистор 5 штук TO-92 аналог 2N4401 схема MPS2222AG характеристики ТО-92 цоколевка даташит
от 291 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная темпе...
Транзистор 2SK1202
от 354 руб.
2N2907A 331 транзистор (5 шт.) TO92 MPS751 схема KSA709 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2907А Характеристики транзистора 2N2907A Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база...
2N2907A 331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог MPS751 схема KSA709 характеристики ТО-92 цоколевка, datasheet 2Н2907А
от 291 руб.
Транзисторы 1Т341А германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц. Предназначены для применения в усилителях сверхвысокой частоты в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном ко...
Транзистор 1Т341Б
от 389 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток откр...
Транзистор BUK446-800A
от 338 руб.
Производитель: LUZAR Артикул (номер детали): LFR 0808 Резистор э/вент. охл. для а/м Hyundai Tucson 04-/KIA Sportage II 04- LUZAR LFR 0808 Свечи, диски, пружины, лампочки - цена за штуку, не за комплект. Шланги, трубки и т. п. цена за метр Замены
Резистор э/вент. охл. для а/м Hyundai Tucson (04-)/KIA Sportage II (04-) (тип Doowon) (LFR 0808) Лузар (LUZAR) LFR0808
от 1 900 руб.
Количество в упаковке: 25 шт
Транзисторы NEC 2SC1623-T1B, SOT23, 25шт
от 429 руб.
Двухканальный стерео усилитель высокой мощности цифровой аудио Тип чипа: TPA3110 Рабочее напряжение: DC8-26V Выходная мощность: 2*30 Вт Макс Сопротивление колонок: 4-8 Ом DC12V, 2*10 Вт DC26V, 2*30 W Канал: Поддержка двух каналов стерео Размеры:53*45*14 мм Возможно откл...
Стерео усилитель класса D 2*30Вт на TPA3110
от 851 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5551 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N5551G схема 2N5833 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, н...
2N5551 B 331 транзистор 5 штук TO-92 аналог 2N5551G схема 2N5833 характеристики ТО-92 цоколевка даташит
от 291 руб.
Транзисторы Toshiba 2SC4252, SC70, 10шт количество в упаковке: 10 шт
Транзисторы (Toshiba) 2SC4252, SC70, 10 шт
от 399 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.2 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...
Транзистор 2SD601A SMD
от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…560...
Транзистор биполярный 2SC6144 (C6144) NPN 50В 10А 25Вт
от 437 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5401 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2SA709 схема 2N5551 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5401 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В Напряжение коллектор-база, н...
2N5401 B 331 транзистор 5 штук TO-92 аналог 2SA709 схема 2N5551 характеристики ТО-92 цоколевка даташит
от 291 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3205 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог BUZ111S схема 2SK2985 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF3205 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 2...
IRF3205 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог BUZ111S схема 2SK2985 характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...
Транзистор BUZ80A
от 230 руб.
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Граничная час...
Транзистор KSP2222A TO92
от 230 руб.
КТ859А Транзистор КТ859А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпу...
Транзистор КТ859А
от 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcима...
Транзистор 2SD2544
от 230 руб.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами, Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзи...
Транзистор 2Т856А
от 850 руб.
Ac-1326, AO3409, A99T, Транзистор P-MOSFET полевой, -30В,-2.2А 1Вт, SOT-23, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), Alpha Omega количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
AO3409, A99T, Транзистор P-MOSFET полевой, -30В,-2.2А 1Вт, [SOT-23]
от 245 руб.
Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc, max 125W Ucb, max 1500V Uce, max 700V Ueb, max - Ic, max 8A Tj, max 150єC Ft, max 7MHz Cctip, pF 125 Hfe 40MIN Caps TOP3 Применение Power, Switching Аналоги: BU508A; Caps FIG
Транзистор BU908
от 403 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Ма...
Транзистор BU208A
от 255 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...
Транзистор 2SD1761
от 230 руб.
Структура транзистора: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, не более: 6 В Макcимальный ток коллектора, не более: 15 А...
Транзистор BU806
от 230 руб.
Маркировка: 26 Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-NPN Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение...
Транзистор DTC144ES
от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...
Транзистор 2SC2328A
от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 450 В Напряжение коллектор-база, не более: 1000 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...
Транзистор 18004
от 230 руб.
SS8550) Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент...
Транзистор 2SC8550
от 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-PNP Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эм...
Транзистор DTA124
от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная темпер...
Транзистор 2SK2324
от 230 руб.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-р-n усилительные с ненормированным 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, и нормированным 2Т201Д коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Основные технические характеристики транзистора 2Т201А: • Структура транзистора: n-p...
Транзистор 2Т201А
от 457 руб.
Характеристики: Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления тран...
Транзистор BC337-25
от 230 руб.
Маркировка: 6C Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-PNP Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение...
Транзистор DTA144ES
от 230 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов C3355 K JX транзистор (5 шт.) TO92 аналог S790T схема характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2SC3355 Биполярный транзистор 2SC3355 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: 2SC3355 Тип мат...
C3355 K JX транзистор (5 шт.) TO92 аналог S790T схема характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2SC3355
от 391 руб.
Количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор аналоги: КТ662А дополнительная информация: Предназначен для применения в быстродействующих ключевых устройствах электронных автоматических телефонных станций
Транзистор КТ662А
от 548 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...
Транзистор S9014 (NPN, 0.1А, 45В)
от 128 руб.
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...
Транзистор BUW90 (NPN, 20А, 125В)
от 211 руб.
N-канал 40В 343А (TO-220AB) MOSFET транзисторы International Rectifier на напряжение 40-100 В разработаны по новейшей Trench технологии и предназначены для DC-DC преобразователей и систем управления приводом с высоким рабочим током. Низкий уровень сопротивления открытог...
IRLB3034PBF транзистор
от 336 руб.
N Channel, Id=140A, Vds=75V, Rds(on)=0.007ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпус-TO-220AB-3, t-175°C
IRF3808PBF транзистор
от 325 руб.
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
Транзистор BJT 2N3963 (PNP, 0.2А, 80В)
от 186 руб.
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...
Транзистор BUW90 (NPN, 20А, 125В)
от 211 руб.
Совместимы с моделями Epson Stylus Photo 1410 Epson Stylus Photo 1500W Epson Stylus Photo 1400 Epson Artisan 1430 Epson L1800 Epson L1300 Epson Stylus Office T1100 Epson Stylus Office B1100 Epson PX-1004 Epson Stylus Photo R270 Epson Stylus Photo R390
Транзисторная пара A2210 И C6082
от 386 руб.
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...
Транзистор BFW16A (NPN, 0.3А, 25В)
от 149 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная темпер...
Транзистор 2SK2324
от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...
Транзистор BUZ80A
от 230 руб.
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3
Транзистор MJ2955 (PNP, 15А, 60В)
от 179 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная те...
Транзистор BU508A PLAST CHINA
от 200 руб.
Тип: транзистор
Транзистор 2SD2095
от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 35 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...
Транзистор 2SD1266
от 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...
Транзистор 2SD2333 JAPAN
от 236 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток откр...
Транзистор BUK446-800A
от 338 руб.
Маркировка: 6J Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-PNP Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжен...
Транзистор DTA143ES
от 230 руб.
Маркировка: 6C Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-PNP Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение...
Транзистор DTA144ES
от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 4 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe...
Транзистор 2SD1414
от 225 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 70 В Напряжение коллектор-база, не более: 150 В Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe...
Транзистор 2SD362
от 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента п...
Транзистор 2SD1762
от 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcи...
Транзистор 2SD879
от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 450 В Напряжение коллектор-база, не более: 1000 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...
Транзистор 18004
от 228 руб.
Тип: транзистор
Транзистор BU2508AF
от 200 руб.