Комплект из 10-и BC847C,215, транзистор биполярный кремниевый NPN 45В 0.1А 0.25Вт. Коэффициент усиления hFE мин. 420 Корпус SOT-23-3 (TO-236-3) Упаковка REEL, 3000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) количество в упаковке: 10 шт. тип: транзистор биполярный кр...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
BC847C,215, транзистор биполярный кремниевый NPN
от 159 руб.
предложения от 1 магазина
Биполярный транзистор, характеристики High voltage NPN Power Transistor, Vcbo=1500V, Ic=8A, Pc=35W (On-chip damper diode) Транзистор биполярный TT2222 NPN 1500V, 8A TO-220F
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
TT2222 транзистор
от 221 руб.
предложения от 1 магазина
Тип: Электронные компоненты
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор BC847CW SOT323, NPN, 45В, 0.1А, мар-ка 1G*, 10штук
от 423 руб.
предложения от 1 магазина
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
BC547C транзистор
от 180 руб.
предложения от 1 магазина
Ac-1243, BC847C-7-F,1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 300 МГц, 300 мВт, 100 мА, 600 hFE, ABC, Транзистры биполярные, ABC
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
BC847C-7-F,1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 300 МГц, 300 мВт, 100 мА, 600 hFE
от 235 руб.
предложения от 1 магазина
В комплекте 5 штук новых транзисторов СМД SOT-23 BC817-40 6C транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог BCW66H схема FMMT619 характеристики цоколевка datasheet FMMTA05 6С Характеристики транзистора ВС817-40 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряже...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
BC817-40 6C транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог BCW66H схема FMMT619 характеристики цоколевка datasheet FMMTA05 6С
от 291 руб.
предложения от 1 магазина
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка BC847B, цена от 9.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор BC847B
от 218 руб.
предложения от 1 магазина
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка BC847C, цена от 9 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор BC847C
от 218 руб.
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
КимКит Транзистор BC847B
от 218 руб.
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор BC847BW
от 142 руб.
предложения от 1 магазина
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка BC847BW, цена от 11.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор BC847BW
от 142 руб.
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор BC847C
от 218 руб.
предложения от 1 магазина
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не...
BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639
от 381 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов SS8050 Y1 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1036 схема 2SA1182 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Y-1 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не боле...
SS8050 Y1 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1036 схема 2SA1182 характеристики цоколевка datasheet
от 291 руб.
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов...
Набор биполярных транзисторов BCxxx, 200 штук
от 668 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC807-25 5B транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема BCW68 аналог BCX17 характеристики цоколевка datasheet MOSFET ВС807-25 5В Характеристики транзистора BC807-25 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В Напряжение кол...
BC807-25 5B транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема BCW68 аналог BCX17 характеристики цоколевка datasheet MOSFET ВС807-25 5В
от 291 руб.
Оптрон, многоканальный, Каналы 2, Вых транзисторный, 5
Оптрон ISOCOM ISP521-2XSM, Оптрон, многоканальный, Каналы 2, Вых транзисторный, 5, 1шт
от 190 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...
Транзистор BC327-25 (PNP, 0.5А, 45В)
от 129 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC640 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SA1625 схема KSA1625 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС640 Характеристики транзистора BC-640 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, н...
BC640 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SA1625 схема KSA1625 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС640
от 291 руб.
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=30V, Id=4,1A, Pd=1,4W, Rds(on)=52 mOhm
AO3407 транзистор
от 191 руб.
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...
Транзистор КТ315И, 10 штук / Аналоги: BCY65EDP, BCY65EPD, BCY65EPDM, BCY65EAP / n-p-n усилительные
от 499 руб.
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...
Транзистор 2П103А / Аналоги: КП103А, 2N3329 / полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа
от 550 руб.
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...
Транзистор 2Т808А / Аналоги: КТ808А, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2SC1618, 2SD201, 2SD202, 2SD203, BLJY55, BLY47, KD602, KU606 / n-p-n переключательные
от 1 800 руб.
Йств Технические параметры Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ, В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. тип: транзистор
IGBT транзистор ON Semiconductor FGL40N120AND 1200v 64a для сварочных аппаратов, ИБП, зарядных устро
от 630 руб.
Драйвер на базе 2-х MOSFET транзисторов D4184. Позволяет получить ШИМ до 36В, используется для светодиодных фонарей, двигателей постоянного тока, помп. Характеристики: Рабочее напряжение: 3.3-20В Выходное напряжение: 0-36 В Выходной ток нагрузки: 15А (до 30А при наличии...
Модуль MOSFET транзистора D4184 (силовой ключ)
от 213 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC559 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC558 схема BC556 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС559 Характеристики транзистора BC 559 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не бо...
BC559 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC558 схема BC556 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС559
от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3404 A49T транзистор 5 шт. SOT23 SMD MOSFET схема FDN372S аналог характеристики цоколевка datasheet А49Т A03404 Наименование прибора: AO3404 Маркировка: A49TF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощност...
AO3404 A49T транзистор 5 шт. SOT23 SMD MOSFET схема FDN372S аналог характеристики цоколевка datasheet А49Т A03404
от 391 руб.
Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...
Транзистор SPP-20N60C3, 20A, TO-220-AB
от 282 руб.
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...
GT50JR22 50JR22 IGBT-транзисторы Toshiba Оригинал 4шт
от 701 руб.
Производство китай!! Описание Trans IRG4BC20UD Chip N-CH 600V 13A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Технические параметры Технология/семейство gen4 Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 13 Импульсный ток коллектор...
IRG4BC20UDPBF, IGBT транзистор 600В 13А TO-220AB / 10 штук
от 1 300 руб.
Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...
Плата Транзисторный Усилитель AX12 100Вт, 2 шт
от 1 300 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор BC639
от 230 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...
Транзистор 2N3904 (NPN, 0.2А, 40В)
от 129 руб.
Транзистор 13003 в корпусе ТО-126 тип: транзистор
Транзистор 13003 корпус ТО-126
от 230 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...
Плата Транзисторный Усилитель Only Music 2.7 120 Вт
от 930 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -65 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по ток...
Транзистор BC556A
от 230 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...
Печатная Плата для сборки Hi-Fi Транзисторный Усилитель 100 Вт PCB amplifier amp, 1 шт
от 650 руб.
Тип: транзистор
Транзисторы NXP BC338-40, TO-92, 10 шт
от 399 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор BC338
от 219 руб.
Производитель STMicroelectronics Серия PowerMESH ™ II Упаковочная трубка Статус детали Устаревший N-канальный полевой транзистор типа FET Технология MOSFET (оксид металла) Напряжение слива к источнику (Vdss) 500 В Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C 8A (Tc) Напряжение...
Транзистор IRF840
от 230 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...
Печатная Плата для сборки Hi-Fi Транзисторный Усилитель 100 Вт PCB amplifier amp, 2 шт
от 1 290 руб.
Корпус DIP4, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 35 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ. Технические параметры: Количество каналов - 1 Напряжение изоляции (RMS), В 5000 Коэффициент передачи по току (Min)...
Оптрон (оптопара) транзистор PC817B (PC817-B), в корпусе DIP4 80В 50мА, в комплекте 10 штук (Ф)
от 381 руб.
Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт по выгодной цене
Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт
от 599 руб.
Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21...
Транзистор КТ973Б
от 230 руб.
Тип: транзистор
Транзисторы NXP BC556B, TO-92, 10 шт
от 379 руб.
Корпус TO225, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 12.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 250 Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой...
Транзистор BD135
от 230 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...
Плата Транзисторный Усилитель AX12 100Вт, 1 шт
от 690 руб.
Печатная плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Усилителя F120. Мощность 120Вт на нагрузку 4 Ома. Оконечный каскад построен на полевых транзисторах IRFP240 и IRFP9240. Напряжение питания двуполярное 56-0-56V Список элементов схемы усилителя F120: Микросхемы:...
Печатная Плата Усилитель F120 120W PCB amplifier amp 1 шт
от 679 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...
Плата Транзисторный Усилитель Only Music 2.7 120 ВтPCB amplifier, 2 шт
от 1 679 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...
Транзистор 2SC2328A
от 230 руб.
Внимание! Цена указывается за 1 единицу товара! Вы Смотрите: Номер товара: KCC0847BZ Производитель: KRAUF Название товара: Компрессор кондиционера Доступно для заказа: 2 Минимальное количество для заказа: 1 - заказывать кратно данному числу! Внимание! Делаем отправку...
Компрессор кондиционера KRAUF KCC0847BZ
от 31 816 руб.
Количество в упаковке: 25 шт
Транзисторы NXP BC846BW, SOT23-3, 25 шт
от 399 руб.
Конструктор не сложного в сборке Усилителя на транзисторах TIP120 и TIP125 и ОУ TL081. количество в упаковке: 1шт. напряжение: 15 тип: плата SMD-корпус: да
Усилитель Моно 12Вт на транзисторах TIP120 и TIP125 DIY
от 929 руб.
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент усиления транзист...
Транзистор BC450 (PNP, 0.3А, 100В)
от 128 руб.
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...
Транзистор MJE13001 (упаковка 2 шт)
от 230 руб.
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
Транзисторы КТ8181Б (MJE13004), TO-220, 5 шт
от 419 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...
Транзистор BUZ332A
от 373 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор 2SC8050
от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 75 Гра...
Транзистор TIP41C
от 230 руб.
PC817CN8 Оптопара транзисторная LTV-817S-TA1-C, Оптопара транзисторная, (=PC817), [DIP-4 SMD] OPTOCOUPLER 200-400%, SMD Корпус DIP4 Технические параметры Количество каналов 1 Напряжение изоляции (RMS), В 5000 Коэффициент передачи по току (Min), % 200 Коэффициент передач...
PC817CN8 SOP4 Оптопара транзисторная/5шт
от 360 руб.
Корпус DIP4, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 35 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ. Технические параметры: Количество каналов - 1 Напряжение изоляции (RMS), В 5000 Коэффициент передачи по току (Min)...
Оптрон (оптопара) транзистор PC817B (PC817-B), в корпусе DIP4 80В 50мА, в комплекте 5 штук (Ф)
от 326 руб.
Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...
Транзистор SPP20N60C3
от 302 руб.
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваема...
Транзистор BC160-16 (PNP,1А, 40В)
от 155 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-...
E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
N‐,Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Транзисторы EMA09N03AN ( A09N03 )
от 343 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов ВС337 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC337-16 схема 2N5818 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet MPSA06 Характеристики транзистора BC337 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не...
BC337 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC337-16 схема 2N5818 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet MPSA06
от 291 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…50...
Транзистор BC548B
от 181 руб.
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=60V, Id=75A, Pd=150W, Rds(on)=13 mOhm
CEP75N06 транзистор
от 251 руб.
NPN power transistors 32V, 4A, 36W, 3MHz
BD435 транзистор
от 211 руб.
Ac-15497, BC847B, 1F, Транзистор NPN 45В 0.2А 0.33Вт SOT-23, ABC, Тразисторы биполярные (BJTs), Nexperia B.V
BC847B, 1F, Транзистор NPN 45В 0.2А 0.33Вт [SOT-23]
от 285 руб.
Транзистор Nexperia B.V. [BC847B,215
Транзистор Nexperia B.V. [BC847B,215]
от 210 руб.
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor Vds=40V,n-channel:Id=6A,Rds(on)=31 mOhm,p-channel:Id=5A,Rds(on)=45 mOhm,Pd=2W
AO4614B транзистор
от 212 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC558 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC560 схема BC559 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС558 Характеристики транзистора BC 558 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не бо...
BC558 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC560 схема BC559 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС558
от 267 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC550 B транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC171 схема BC182 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС550 Характеристики транзистора BC550B Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не б...
BC550 B транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC171 схема BC182 характеристики ТО-92 цоколевка, datasheet ВС550
от 291 руб.
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics.Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваемая...
10 штук, Транзистор BC160-10 (PNP,1А, 40В)
от 406 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор BC338-25
от 230 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200..4...
Транзистор BC556B
от 230 руб.
Наименование производителя: BC557A Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряж...
Транзистор BC557A
от 230 руб.
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси максА 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи максВ 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.55 Ом/6А, 10В Максимальная рас...
Транзистор IRF740
от 230 руб.
Транзисторы BC847PN, SOT23-6, 10 шт по выгодной цене
Транзисторы BC847PN, SOT23-6, 10 шт
от 399 руб.
Характеристики транзистора MMBT5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт Коэф...
Транзистор MMBT5551 smd
от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200...
BC548B транзистор
от 181 руб.
Транзисторы Toshiba 2SC4252, SC70, 10шт количество в упаковке: 10 шт
Транзисторы (Toshiba) 2SC4252, SC70, 10 шт
от 399 руб.
Количество в упаковке: 10 шт
Транзисторы Philips BC337-16, TO-92, 10 шт
от 369 руб.
Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт количество в упаковке: 25 шт
Транзисторы КТ502В (BC327, BC556), TO-92, 25шт
от 599 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...
Транзистор 2SC3460
от 247 руб.
Блок транзисторный мотора отопителя Lifan, артикул LAX3745170 / LAX3745170
Блок транзисторный мотора отопителя Lifan LAX3745170
от 1 523 руб.
Транзистор 13003 в корпусу ТО-92 Цена за упаковку (2 шт) тип: транзистор
Транзистор 13003 корпус ТО-92 (2шт)
от 230 руб.
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 300 В, 15 Вт, 500 мА, 240 hFE тип: транзистор
Транзистор MJD340G
от 230 руб.
Тип: транзистор
Транзисторы КТ3107Ж (BC559), TO-92, 25шт
от 579 руб.
КТ859А Транзистор КТ859А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпу...
Транзистор КТ859А
от 230 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов BTA41-800B транзистор (2 шт.) симистор TO-3P аналог CQ218I-40N схема Q8040K7 характеристики цоколевка datasheet ВТА41-800В Тиристор BTA41-800B полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и управления...
BTA41-800B транзистор (2 шт.) симистор TO-3P аналог CQ218I-40N схема Q8040K7 характеристики цоколевка datasheet ВТА41-800В
от 591 руб.
Transistor Type NPN Current - Collector (Ic) (Max) 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V Vce Saturation (Max)@ Ib, Ic 400mV@ 20mA, 500mA тип: транзистор
Транзистор 2SD1996R
от 230 руб.
Маркировка: 6C Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-PNP Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение...
Транзистор DTA144ES
от 230 руб.
Транзистор отопителя салона, 0.5ВТ, 972353K100 HYUNDAI / KIA, артикул 97235-3K100 / 972353K100 тип: Резистор отопителя для авто тип автотехники: легковые автомобили модель автомобиля: Hyundai H1, Hyundai Sonata
Транзистор отопителя салона, 0.5ВТ, 972353K100 HYUNDAI / KIA 97235-3K100
от 3 342 руб.
Тип: Электронные компоненты
Транзистор BC846BW SOT323, мар-ка 1B 1Bp 1Bs 1Bt 1BW K1R, NPN, 65В, 0.1А, 10штук
от 423 руб.