Транзистор гт309

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

2N3055 Транзистор биполярный NPN 60В 15А TO-3 по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Совместимый бренд Intrnational Rectifier Тип Контроллер

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор npn. используется в приемнике globo x80. формирует напряжение 5 в для питания карты и картоприемника. тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор IRF7301TRPBF по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

N Channel, Id=1.3A, Vds=100V, Rds(on)=0.27ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=1.3W, корпус-DIP-4, t-175°C

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

ОЕМ

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

ОЕМ

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

ОЕМ тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

ОЕМ

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Эта матрица работает только на ноутбуках NP530U3C, NP530U3B LTN133AT23 80x, Технология- TN тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

ОЕМ

TRANSISTOR, NPN TO-251; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo:50V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:240mV; Power Dissipation:15W; Hfe, Min:200; ft, Typ:330MHz; Case Style: I-PAK; Termination Type: Through Hole

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзи...

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора...

S8550 Транзистор биполярный NPN 25 В 0.5A 1 Вт TO-92 по выгодной цене

ОЕМ

MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощно...

Lenovo IdeaPad Y40 Y40-70 Y40-70AT Y40-70AM FCN DFS470805CL0T FFGH DC28000ETF0 8 pin

FMMT618 618 NPN Биполярный транзистор СОТ-23 по выгодной цене

ОЕМ

ОЕМ тип: транзистор

ОЕМ

ОЕМ

ОЕМ тип: транзистор

MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC

Характеристики транзистора ГТ328Б Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 15 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10 мА Максимально допу...

Основные технические параметры ГТ703Б: ГТ703Б Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д предназначены для применения в усилителях мощности низкой частоты. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изол...

Транзисторы ГТ403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппарат...

Структура p-n-p Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Uкэо max 20 В Максимально постоянный ток коллектора Iк max — мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Рк max 100 мВт Статический коэффициент передачи тока h21э — Граничная частота коэффициента передачи fгр...

Структура p-n-p Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Uкэо max 20 В Максимально постоянный ток коллектора Iк max — мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Рк max 100 мВт Статический коэффициент передачи тока h21э — Граничная частота коэффициента передачи fгр...

Транзисторы ГТ403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппарат...

ГТ403Б Транзисторы ГТ403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Выпускаются в металлостеклянном корпус...

ГТ403Б Транзисторы ГТ403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Выпускаются в металлостеклянном корпус...

Транзисторы ГТ403Ж германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппарат...

Транзисторы ГТ403Ж германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппарат...

Тип: биполярный. Проводимость транзистора: NPN. Макс. напр. коллектор - база: 120 В. Макс. напр. коллектор - эмиттер: 120 В. Максимальная рассеиваемая мощность 250 мВт. Макс. допустимый ток коллектора: 30 мА. Рабочая частота до: 20 МГц. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126)

Тип: биполярный. Проводимость транзистора: NPN. Макс. напр. коллектор - база: 120 В. Макс. напр. коллектор - эмиттер: 120 В. Максимальная рассеиваемая мощность 250 мВт. Макс. допустимый ток коллектора: 30 мА. Рабочая частота до: 20 МГц. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126)

Количество в упаковке: 10 шт. тип: транзистор

Транзисторы П309М, TO-126, 10шт по выгодной цене

Тип: Электронные компоненты

Транзистор PMBFJ309 SOT23, N-ch field-effect transistor, 10штук по выгодной цене

Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы 1Т308В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p высокочастотные, импульсные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корп...

Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы 1Т308Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p высокочастотные, импульсные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корп...

Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы 1Т308В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p высокочастотные, импульсные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корп...

Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы 1Т308Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p высокочастотные, импульсные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корп...

Тип: транзистор

Транзистор NPN 40В 20мА 625мВт 800МГц, (=2SC9018), [TO-92

Транзистор NPN 40В 0.5А 0.625Вт 140МГц [TO-92

Биполярный транзистор, PNP, -20 В, 625 мВт, -500 мА, 144 hFE

Тип: транзистор

Транзистор NPN 60В 0.15А 0.625Вт 60МГц, (=2SC9014), [TO-92

Тип: транзистор

Технические характеристики Корпус TO-92 Вес 0,4 г NPN 600V,1.5A,1.4W,10MHz 0.15мкс

Тип: транзистор

Тип: транзистор

Тип: транзистор

Описание TRANSISTOR, NPN, TO-220 Transistor Type Bipolar Transistor Polarity NPN Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 250V Current Ic Continuous a Max 8A Voltage, Vce Sat Max 0.5V Power Dissipation 2W Min Hfe 50 ft, Typ 30MHz Case Style TO-220 Termination Type Through...

Тип: транзистор

Тип: транзистор

Описание Транзисторы / Полевые транзисторы / Радиочастотные (RF FET) транзисторы корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт N-канальный транзистор предназначен для коммутации ВЧ-сигналов

Тип: транзистор

Тип: транзистор

Транзистор NPN 400В 8А 80Вт

175MHz Po=15W, Vdd=12.5V, Pin=0.6W 520MHz Po=15W, Vdd=12.5V, Pin=3.0W Отправка из России (Москва) Отгрузка заказов со вторника по субботу включительно воскресенье И понедельник – выходные ДНИ

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 450 В Напряжение коллектор-база, не более: 1000 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 450 В Напряжение коллектор-база, не более: 1000 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...

AON7410 Транзистор по выгодной цене

Транзистор BD140 по выгодной цене

Тип: транзистор

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 6...

Транзистор BD139 по выгодной цене

КТ921А Транзисторы КТ921А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения. Используются для работы в составе электронной аппаратуры...

Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент...

MOSFET/мосфет) c гарантией 14 дней от магазина KITS. Цена в объявлении за 1 шт! Успейте купить по выгодным ценам, товар доступен в ограниченном количестве ️ Абсолютно новая деталь с завода Гарантия 14 дней с момента покупки Доставим в любую точку России в течение 7 дней...

Транзистор BC32725 по выгодной цене

Транзистор K3530 по выгодной цене

Транзистор K3562 по выгодной цене

Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 700(1500) В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 700(1500) В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 8000(15000) мА Максимально допустимая пост...

Транзистор 4410N по выгодной цене

Транзистор AO4466 по выгодной цене

Транзистор FDMS7698 по выгодной цене

СтруктураNPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В20 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс), В20 Максимально допустимый ток к ( Iк макс, А)0.02 Статический коэффициент передачи тока h21э мин...

Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В*: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс, А) 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк, Вт) 60

Описание СтруктураNPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс, А)3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин10 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц10.00 Максимальная...

Описание Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 10 А, 100 Вт Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 200 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 10 Статический коэффициент передачи тока h21э...

MOSFET/мосфет) c гарантией 14 дней от магазина KITS. Цена в объявлении за 1 шт! Успейте купить по выгодным ценам, товар доступен в ограниченном количестве ️ Абсолютно новая деталь с завода Гарантия 14 дней с момента покупки Доставим в любую точку России в течение 7 дней...

Транзистор MMBT4401 по выгодной цене

Silicon P-Channel MOSFET, Vdss=30V, Id=10A, Pd=1,9W, Rds(on)=10 mOhm (This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care)

Биполярный транзистор, характеристики: NF-L, 45V, 4A, 40W, >10MHz, B>750

Транзистор P-ch 45V 0.23A 0.7W

Биполярный транзистор, характеристики