Транзистор кп303

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор КП303Д 2шт по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы КП303А по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Полевой транзистор КП103 тип: Активные компоненты

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваема...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы КП303Е - это кремниевые полевые транзисторы, специально разработанные для использования в высокочастотных усилителях. Они имеют затвор на основе p-n перехода и канал n-типа, что позволяет им обеспечить высокое входное сопротивление. Транзисторы выпускаются в...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы КП303А - это кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Они предназначены для использования во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж,...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор КП303Е по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор КП303А по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы КП303А по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Описание СтруктураN-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси, В25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс, А20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В8 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс, Вт0.2 Крутизна характеристики S, мА/В4 КорпусKT-112 Прои...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

КП306А Транзисторы КП306А кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики. Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с вы...

Транзисторы КП103К - это кремниевые диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Они предназначены для использования во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транз...

Транзисторы КП350В - это кремниевые диффузно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Они предназначены для использования в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц. Транзисторы КП350В выпускаются...

Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...

Транзисторы КП103Е - это кремниевые полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Они предназначены для использования во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП103Е могут ис...

Транзисторы КП103Л - это кремниевые диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Они предназначены для использования во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транз...

Транзисторы КП103И - это кремниевые диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Они предназначены для использования во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транз...

Транзисторы КП103М - это кремниевые диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Они предназначены для использования во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транз...

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...

Основные технические параметры КП809А-2: КП809А-2 Транзисторы КП809А-2 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформато...

Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...

N‐,Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Драйвер на базе 2-х MOSFET транзисторов D4184. Позволяет получить ШИМ до 36В, используется для светодиодных фонарей, двигателей постоянного тока, помп. Характеристики: Рабочее напряжение: 3.3-20В Выходное напряжение: 0-36 В Выходной ток нагрузки: 15А (до 30А при наличии...

Перечень, транзисторов в наборе(по 10 шт): f1015 s9012 s8850 s8050 a92 a42 a733 c1815 2n3904 2n555 s9015 s9014 2n5401 c945 2nj906 s9013 s9018

Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...

Наименование: КП103И. Тип: Транзистор малой мощности (P < 0.3 Вт) с p-n - переходом и каналом p-типа. Максимальная рассеиваемая мощность (P (max)): 21 мВт. Максимальное напряжение сток-исток (UСИ (max)): 12 В

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20 Гр...

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5...

Транзистор 13003 в корпусе ТО-126 тип: транзистор

Конструктор не сложного в сборке Усилителя на транзисторах TIP120 и TIP125 и ОУ TL081. количество в упаковке: 1шт. напряжение: 15 тип: плата SMD-корпус: да

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...

IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...

Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...

Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

Тип N, 20 Вт, корпус TO-220

Количество в упаковке: 5 шт

Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...

Transistor Type NPN Current - Collector (Ic) (Max) 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V Vce Saturation (Max)@ Ib, Ic 400mV@ 20mA, 500mA тип: транзистор

Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21...

Корпус TO225, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 12.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 250 Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой...

Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность колле...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

Корпус mt2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1 Граничная частота коэф. передачи тока fгр, МГц 200 Максимальное напряжение к-э (Uкэо макс), В 50 Структура npn Максимально допустимый ток к (Iк макс)

Характеристики транзистора TIP117 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффи...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.2 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...

Напряжение сток-исток Uси (max): 60В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max) тип: транзистор

Транзистор 2SC5241 по выгодной цене

Характеристики транзистора MMBT5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт Коэф...

Структура p-n-p Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Uкэо max 20 В Максимально постоянный ток коллектора Iк max — мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Рк max 100 мВт Статический коэффициент передачи тока h21э — Граничная частота коэффициента передачи fгр...

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная тем...

Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси максА 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи максВ 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.55 Ом/6А, 10В Максимальная рас...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 730 pf...

Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваема...

Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Основные технические характеристики транзистора П214А: •...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый пост...

Транзистор 2N7000 N, 60В, 0.4А, TO-92 Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) - 1 Вт. Максимальный постоянный ток истока IDmax - 0,35А Максимальное напряжение сток-исток UDSmax - 60В. Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax - ±18В. тип: транзистор

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 90…600...

Транзистор 13003 в корпусу ТО-92 Цена за упаковку (2 шт) тип: транзистор

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...

MOSFET транзистор IRF640N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 200 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 18 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 0.15 ОмМаксимальная рассеиваемая мощност...

Количество в упаковке: 8 шт

Транзисторы П307ВМ, TO-126, 10шт по выгодной цене

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Граничная час...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF840 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP9NK50Z схема 2SK2542 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF840 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 500 В Максимальное напряжение затвора...

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 H331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N4401 схема MPS2222AG характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N3904 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база,...

Транзисторы 1Т341А германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц. Предназначены для применения в усилителях сверхвысокой частоты в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном ко...

Конфигурация: p-n-p Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Максимальный ток: коллектора импульсный: 200 мА Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 20 В Максимальное напряжение: коллектор-база: 25 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Мощность: рассеи...

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макc...

Основные технические параметры КП902А: КП902А Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Полевые транзисторы 2П902А, 2П902Б, КП902А, КП902Б, КП902В предназначены для применения в приемопередающих устройствах в диапазоне частот до...

Транзистор 13003 в корпусе ТО-220 тип: транзистор

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 450 В Напряжение коллектор-база, не более: 1000 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 125W Ucb,max 1500V Uce,max 700V Ueb,max - Ic,max 8A Tj,max 150єC Ft,max 7MHz Cctip,pF 125 Hfe 40MIN Caps TOP3 Применение Power, Switching Аналоги: BU508A; Caps FIG тип: транзистор

Описание Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250 Технические параметры Структура -- npn Макс....

Тип: транзистор

Количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор аналоги: КТ662А дополнительная информация: Предназначен для применения в быстродействующих ключевых устройствах электронных автоматических телефонных станций

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора...

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзи...

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

N-канал 40В 343А (TO-220AB) MOSFET транзисторы International Rectifier на напряжение 40-100 В разработаны по новейшей Trench технологии и предназначены для DC-DC преобразователей и систем управления приводом с высоким рабочим током. Низкий уровень сопротивления открытог...

Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 0,3 Вт Максимальное напряжение: коллектор-база: 40 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4 В Ток: коллектора постоянный: 30 мкА Коэффициент: передачи тока статический: 35-150 Частота: коэффициента передачи тока г...

Мощность: рассеиваемая постоянная: 0,16 Вт Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 40 В Максимальное напряжение: коллектор-база: 40 В Максимальный ток: 0,03 А Коэффициент: передачи тока статический: не менее 25 Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее...

Это биполярный низкочастотный усилительный транзистор, который имеет p-n-p структуру. Он предназначен для работы в режиме усиления малых сигналов в цепях постоянного и переменного тока. Транзистор П416Б имеет следующие параметры: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max...

Конфигурация: p-n-p Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Максимальный ток: коллектора импульсный: 300 мА Напряжение: пробивное коллектор-база: 50 В Мощность: рассеиваемая: 150 мВт Коэффициент: передачи тока статический: 20-60 Ток: коллектора обратный: 50 мкА...

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...