Транзистор кт805бм

10042 товара
Вы выбрали: Транзистор кт805бм x
Сбросить (2)

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 230 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 75 Граничная...

от 230 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

В комплекте 2 штуки новых транзисторов L7805CV транзистор (2 шт.) TO-220 аналог KA7805A схема LM7805CT характеристики цоколевка datasheet ВТА06 Линейный стабилизатор напряжения l7805cv помогает добиться неизменной величины этого параметра в 5 В при силе тока не более 1,...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 291 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов L7805CV транзистор (2 шт.) TO-220 аналог KA7805A схема LM7805CT характеристики цоколевка datasheet ВТА06 Линейный стабилизатор напряжения l7805cv помогает добиться неизменной величины этого параметра в 5 В при силе тока не более 1,5 А. В этой микросхеме есть 3...

от 291 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…500 Граничная частота коэффи...

от 230 руб.

Посмотреть

предложения от 2 магазинов

Транзистор S8050 по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 230 руб.
Транзистор S8050 по выгодной цене

от 230 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзистор КТ342БМ по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 195 руб.
Транзистор КТ342БМ по выгодной цене

от 195 руб.

Посмотреть

предложения от 2 магазинов

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 70 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 70 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 Граничная частота коэ...

от 230 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc, max 125W Ucb, max 1500V Uce, max 700V Ueb, max - Ic, max 8A Tj, max 150єC Ft, max 7MHz Cctip, pF 125 Hfe 40MIN Caps TOP3 Применение Power, Switching Аналоги: BU508A; Caps FIG

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 403 руб.
Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc, max 125W Ucb, max 1500V Uce, max 700V Ueb, max - Ic, max 8A Tj, max 150єC Ft, max 7MHz Cctip, pF 125 Hfe 40MIN Caps TOP3 Применение Power, Switching Аналоги: BU508A; Caps FIG

от 403 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 306 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

от 306 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 230 руб.
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Максимальное напряжение коллектор-б...

от 230 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Ип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 229 руб.
Ип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Макси...

от 229 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток отк...

от 309 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Oh...

от 309 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...

от 562 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток колле...

от 562 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Граничная...

от 230 руб.

Посмотреть

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 211 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 75 Граничная...

от 211 руб.

Посмотреть

Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.27 ом при 10a, 10в Максима...

от 470 руб.
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.27 ом при 10a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pс...

от 470 руб.

Посмотреть

Характеристики транзистора TIP117 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффи...

от 230 руб.
Характеристики транзистора TIP117 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффициент усиления транзистора по...

от 230 руб.

Посмотреть

Транзистор КТ805Б по выгодной цене

от 282 руб.
Транзистор КТ805Б по выгодной цене

от 282 руб.

Посмотреть

Транзистор КТ805Б по выгодной цене

от 282 руб.
Транзистор КТ805Б по выгодной цене

от 282 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 70 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe...

от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 70 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

Характеристики транзистора TIP117 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффи...

от 230 руб.
Характеристики транзистора TIP117 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффициент усиления транзистора по...

от 230 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...

от 441 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток колле...

от 441 руб.

Посмотреть

Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.27 ом при 10a, 10в Максимал...

от 480 руб.
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.27 ом при 10a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси...

от 480 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная темп...

от 357 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Вр...

от 357 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная темп...

от 297 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Вр...

от 297 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 299 руб.
Тип: транзистор

от 299 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 295 руб.
Тип: транзистор

от 295 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 511 руб.
Тип: транзистор

от 511 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 428 руб.
Тип: транзистор

от 428 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 466 руб.
Тип: транзистор

от 466 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 304 руб.
Тип: транзистор

от 304 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 421 руб.
Тип: транзистор

от 421 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 466 руб.
Тип: транзистор

от 466 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 810 руб.
Тип: транзистор

от 810 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 289 руб.
Тип: транзистор

от 289 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 421 руб.
Тип: транзистор

от 421 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 290 руб.
Тип: транзистор

от 290 руб.

Посмотреть

Транзистор КТ6116А по выгодной цене

от 236 руб.
Транзистор КТ6116А по выгодной цене

от 236 руб.

Посмотреть

Транзистор NPN, средней мощности, усилительный

от 249 руб.
Транзистор NPN, средней мощности, усилительный

от 249 руб.

Посмотреть

Биполярный транзистор, PNP, -20В, -0.1А, 0.3Вт, 250МГц, h21e=120…220 [КТ-26 / TO-92

от 218 руб.
Биполярный транзистор, PNP, -20В, -0.1А, 0.3Вт, 250МГц, h21e=120…220 [КТ-26 / TO-92

от 218 руб.

Посмотреть

Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 100 мВт Максимальное напряжение: коллектор-база: 20 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 3 В Максимальный ток: коллектора: 25 мА Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА Коэффициент: передачи тока статический: 2...

от 365 руб.
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 100 мВт Максимальное напряжение: коллектор-база: 20 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 3 В Максимальный ток: коллектора: 25 мА Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА Коэффициент: передачи тока статический: 25-150 Частота: коэффициента пе...

от 365 руб.

Посмотреть

Конфигурация: n-p-n Мощность: рассеиваемая макс 8 Вт Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 50 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 60 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 1 А Ток: коллектора обра...

от 216 руб.
Конфигурация: n-p-n Мощность: рассеиваемая макс 8 Вт Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 50 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 60 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 1 А Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА Коэффицие...

от 216 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 332 руб.
Тип: транзистор

от 332 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 331 руб.
Тип: транзистор

от 331 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 331 руб.
Тип: транзистор

от 331 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 290 руб.
Тип: транзистор

от 290 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 290 руб.
Тип: транзистор

от 290 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 331 руб.
Тип: транзистор

от 331 руб.

Посмотреть

Транзистор КТ920А по выгодной цене

от 951 руб.
Транзистор КТ920А по выгодной цене

от 951 руб.

Посмотреть

Конфигурация: n-p-n Мощность: рассеиваемая: 200 Вт Максимальное напряжение: коллектор-база: 50 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 3 В Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом упр...

от 409 руб.
Конфигурация: n-p-n Мощность: рассеиваемая: 200 Вт Максимальное напряжение: коллектор-база: 50 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 3 В Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической ц...

от 409 руб.

Посмотреть

Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 150 мВт Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 500 МГц Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 15 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4 В Максимальный ток: коллектора: 50 мА Ток: коллектора...

от 365 руб.
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 150 мВт Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 500 МГц Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 15 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4 В Максимальный ток: коллектора: 50 мА Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА Коэф...

от 365 руб.

Посмотреть

Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 350 мВт Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 5 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 40 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 0,15 А Ток: кол...

от 223 руб.
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 350 мВт Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 5 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 40 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 0,15 А Ток: коллектора обратный: не более 1 м...

от 223 руб.

Посмотреть

Конфигурация: n-p-n Мощность: рассеиваемая: 5,5 Вт Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 500 МГц Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 36 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 0,5 А Максимальный ток: к...

от 700 руб.
Конфигурация: n-p-n Мощность: рассеиваемая: 5,5 Вт Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 500 МГц Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 36 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 0,5 А Максимальный ток: коллектора импульсный: 1 А Ток:...

от 700 руб.

Посмотреть

Конфигурация: p-n-p Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 2 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 60 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 600 мА Ток: коллектора обратный: не более 0,01 мкА Коэффиц...

от 373 руб.
Конфигурация: p-n-p Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 2 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 60 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 600 мА Ток: коллектора обратный: не более 0,01 мкА Коэффициент: передачи тока статически...

от 373 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор, аналоги: КТ925А

от 700 руб.
Тип: транзистор, аналоги: КТ925А

от 700 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор, аналоги: КТ977А

от 412 руб.
Тип: транзистор, аналоги: КТ977А

от 412 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор, аналоги: КТ661А

от 373 руб.
Тип: транзистор, аналоги: КТ661А

от 373 руб.

Посмотреть

Транзистор PNP, 1.5А, 45В, h21e=40…100 [КТ-27-2 / TO-126

от 277 руб.
Транзистор PNP, 1.5А, 45В, h21e=40…100 [КТ-27-2 / TO-126

от 277 руб.

Посмотреть

Транзистор PNP, усилительный

от 222 руб.
Транзистор PNP, усилительный

от 222 руб.

Посмотреть

Транзистор PNP 40В 4А [TO-126

от 339 руб.
Транзистор PNP 40В 4А [TO-126

от 339 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 253 руб.
Тип: транзистор

от 253 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 283 руб.
Тип: транзистор

от 283 руб.

Посмотреть

Транзистор NPN, 1А, 350В, h21e =15 [КТ-2-7 / TO-39] (2N3439)

от 283 руб.
Транзистор NPN, 1А, 350В, h21e =15 [КТ-2-7 / TO-39] (2N3439)

от 283 руб.

Посмотреть

Транзистор PNP малой мощности

от 88 руб.
Транзистор PNP малой мощности

от 88 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 230 руб.
Тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ8108А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в импульсных источниках электропитания телевизоров. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-...

от 230 руб.
Транзисторы КТ8108А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в импульсных источниках электропитания телевизоров. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе тра...

от 230 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 222 руб.
Тип: транзистор

от 222 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 277 руб.
Тип: транзистор

от 277 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 339 руб.
Тип: транзистор

от 339 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 216 руб.
Тип: транзистор

от 216 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 249 руб.
Тип: транзистор

от 249 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 300 руб.
Тип: транзистор

от 300 руб.

Посмотреть

Транзистор NPN импульсный

от 300 руб.
Транзистор NPN импульсный

от 300 руб.

Посмотреть

Транзистор PNP, 0.6А, 60В, h21e=40…120 [КТ-27-2 / TO-126

от 216 руб.
Транзистор PNP, 0.6А, 60В, h21e=40…120 [КТ-27-2 / TO-126

от 216 руб.

Посмотреть

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…150...

от 200 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…150 Граничная частота коэффициент...

от 200 руб.

Посмотреть

Транзистор КТ837Е по выгодной цене

от 200 руб.
Транзистор КТ837Е по выгодной цене

от 200 руб.

Посмотреть

Структура npn Корпус КТ-9(TO-3) Вес, г 20

от 409 руб.
Структура npn Корпус КТ-9(TO-3) Вес, г 20

от 409 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ904А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Основные технические характеристики транз...

от 1 000 руб.
Транзисторы КТ904А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Основные технические характеристики транзистора КТ904А: • Структура тра...

от 1 000 руб.

Посмотреть

Транзистор КТ3127А по выгодной цене

от 330 руб.
Транзистор КТ3127А по выгодной цене

от 330 руб.

Посмотреть

Рубрика Транзистор кт805бм содержит 10042 товара, которые продаются в 50 магазинах по цене от 195 руб. до 4500 руб.
Новые категории
Может быть интересно
Почитайте отзывы покупателей на товары
Отзывы на электронные модули Отзывы на электронные модули стиральных машин Отзывы на регулятор мощности, напряжения переменного тока gsmin ak76 (220в, 50-220в, 2000w) диммер (зеленый)