Транзистор кт973а

11278 товаров
Вы выбрали: Транзистор кт973а x
Сбросить (2)

Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открыт...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Express доставка
от 170 руб.
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открытом состоянии, составляющее пор...

от 170 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3407 A79T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2SA795 аналог AN7912F характеристики цоколевка datasheet А79Т MOSFET A03407 Наименование прибора: AO3407 Маркировка: A79TF_X7*_A7 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеи...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

5 2 отзыва
от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3407 A79T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2SA795 аналог AN7912F характеристики цоколевка datasheet А79Т MOSFET A03407 Наименование прибора: AO3407 Маркировка: A79TF_X7*_A7 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Пр...
2 отзыва

от 391 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

КТ973А Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластма...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 295 руб.
КТ973А Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выво...

от 295 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 550 руб.
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибким...

от 550 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

В комплекте 5 штук новых транзисторов Z0607MA транзистор (5 шт.) симистор TO92 аналог AC0V8DGM схема MAC97-4 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet SM1G43 Триаки 0.8 Amp 600 Volt Технические параметры Конфигурация single Тип симистора logic-sensitive gate Максимальное...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

5 1 отзыв
от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов Z0607MA транзистор (5 шт.) симистор TO92 аналог AC0V8DGM схема MAC97-4 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet SM1G43 Триаки 0.8 Amp 600 Volt Технические параметры Конфигурация single Тип симистора logic-sensitive gate Максимальное напряжение в закрытом состоян...
1 отзыв

от 391 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 180 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420…800 Граничная частота коэффиц...

от 180 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзистор КТ973А по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 136 руб.
Транзистор КТ973А по выгодной цене

от 136 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

60V 2A p-n-p составной

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 242 руб.
60V 2A p-n-p составной

от 242 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

60V 2A p-n-p составной

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 242 руб.
60V 2A p-n-p составной

от 242 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Основные технические параметры КТ973А: КТ973А Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Тип прибора указывается на кор...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 270 руб.
Основные технические параметры КТ973А: КТ973А Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не бол...

от 270 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Основные технические параметры КТ973А: КТ973А Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Тип прибора указывается на кор...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 270 руб.
Основные технические параметры КТ973А: КТ973А Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не бол...

от 270 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

60V 2A p-n-p составной

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 242 руб.
60V 2A p-n-p составной

от 242 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 V Предельное постоя...

от 129 руб.

Посмотреть

MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro тип: тран...

5 1 отзыв
от 368 руб.
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro тип: транзистор
1 отзыв

от 368 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 80 Максимальное напр...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 80 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс,...

от 391 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ801А - это переключательные кремниевые радиодетали структуры n-p-n. Они предназначены для использования в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания и других радиотехнических и электронных устройствах. Транзисторы поставляются в м...

от 139 руб.
Транзисторы КТ801А - это переключательные кремниевые радиодетали структуры n-p-n. Они предназначены для использования в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания и других радиотехнических и электронных устройствах. Транзисторы поставляются в металлостеклянном корпусе с гиб...

от 139 руб.

Посмотреть

IRF4905PBF - Транзистор полевой P-канальный. Макс. напряжение сток-исток - 55В. Ток стока - 74А. Макс. мощность рассеивания - 200Вт. Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Максимальный ток: d - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 74 А Тип: МОП - Транзист...

от 225 руб.
IRF4905PBF - Транзистор полевой P-канальный. Макс. напряжение сток-исток - 55В. Ток стока - 74А. Макс. мощность рассеивания - 200Вт. Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Максимальный ток: d - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 74 А Тип: МОП - Транзистор, кремниевый, 1 P-канал Напр...

от 225 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов SS8550 Y2 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1037 схема 2SA1620 характеристики цоколевка datasheet SS8550 Транзистор PNP 25В 1.5А sot23 Описание и характеристики SS8550 Структура - p-n-p Артикул: TRN025 Напряжение коллектор-эмит...

от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов SS8550 Y2 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1037 схема 2SA1620 характеристики цоколевка datasheet SS8550 Транзистор PNP 25В 1.5А sot23 Описание и характеристики SS8550 Структура - p-n-p Артикул: TRN025 Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Маркировк...

от 291 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом...

от 391 руб.

Посмотреть

Pm-71765, КТ972А, Транзистор биполярный, NPN, 60В, 2А, 8Вт, h21е 750 КТ-27TO-126, Россия, Транзистры биполярные, Интеграл количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 245 руб.
Pm-71765, КТ972А, Транзистор биполярный, NPN, 60В, 2А, 8Вт, h21е 750 КТ-27TO-126, Россия, Транзистры биполярные, Интеграл количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 245 руб.

Посмотреть

Описание Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor Технические параметры Технология/семейство field stop Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А 180 Напряжение насыщения при номи...

от 540 руб.
Описание Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor Технические параметры Технология/семейство field stop Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9 Максимальн...

от 540 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ355А - это сверхвысокочастотные усилительные транзисторы с ненормированным коэффициентом шума, предназначенные для усиления и генерирования электрических сигналов в широком диапазоне частот. Они используются в электронной аппаратуре общего назначения и мар...

от 129 руб.
Транзисторы КТ355А - это сверхвысокочастотные усилительные транзисторы с ненормированным коэффициентом шума, предназначенные для усиления и генерирования электрических сигналов в широком диапазоне частот. Они используются в электронной аппаратуре общего назначения и маркируются цифро-буквенным кодом...

от 129 руб.

Посмотреть

Характеристики транзистора КТ855А Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 250 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 250 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 5000(8000) мА Максим...

от 270 руб.
Характеристики транзистора КТ855А Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 250 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 250 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 5000(8000) мА Максимально допустимая постоянная ра...

от 270 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 V Предельное посто...

от 129 руб.

Посмотреть

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

от 186 руб.
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 ВМ...

от 186 руб.

Посмотреть

Транзистор КТ898А1 TO-3PML, KT898A1 NPN, 1шт по выгодной цене

от 530 руб.
Транзистор КТ898А1 TO-3PML, KT898A1 NPN, 1шт по выгодной цене

от 530 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ34N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1115 схема BUZ101S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ34N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ34N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1115 схема BUZ101S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ34N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состо...

от 391 руб.

Посмотреть

Основные технические параметры КТ347А: КТ347А Транзисторы КТ347А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывод...

от 280 руб.
Основные технические параметры КТ347А: КТ347А Транзисторы КТ347А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается н...

от 280 руб.

Посмотреть

Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...

5 1 отзыв
от 149 руб.
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic)...
1 отзыв

от 149 руб.

Посмотреть

Характеристики транзистора КТ8136А Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 600 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 400 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000(15000) мА Мак...

от 270 руб.
Характеристики транзистора КТ8136А Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 600 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 400 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000(15000) мА Максимально допустимая постоянная...

от 270 руб.

Посмотреть

КТ890А Транзисторы КТ890А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в схемах зажигания автомобильных двигателей. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Масса транзистора не более 6,0 г. в комплекте:...

от 455 руб.
КТ890А Транзисторы КТ890А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в схемах зажигания автомобильных двигателей. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Масса транзистора не более 6,0 г. в комплекте: 5 шт. назначение: двигателем

от 455 руб.

Посмотреть

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20…90...

от 230 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20…90 Граничная частота коэффициент...

от 230 руб.

Посмотреть

Основные технические параметры КТ827А: КТ827А Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторит...

от 790 руб.
Основные технические параметры КТ827А: КТ827А Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройства...

от 790 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов MCR100-8 транзистор (5 шт.) TO92 аналог DCR100-8 схема EC103M характеристики ТО-92 цоколевка datasheet X00602MA Описание Silicon Controlled Rectifier, 0.8A, 800mA, 600V, 600V, TO-92 Технические параметры Максимальное обратное напряж...

от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов MCR100-8 транзистор (5 шт.) TO92 аналог DCR100-8 схема EC103M характеристики ТО-92 цоколевка datasheet X00602MA Описание Silicon Controlled Rectifier, 0.8A, 800mA, 600V, 600V, TO-92 Технические параметры Максимальное обратное напряжение Uобр, В 600 Макс. повторя...

от 391 руб.

Посмотреть

Транзистор КТ3102АМ TO-92, транзистор NPN, 50В, 0.2А, 0.25Вт, 200Мгц, 10штук по выгодной цене

от 433 руб.
Транзистор КТ3102АМ TO-92, транзистор NPN, 50В, 0.2А, 0.25Вт, 200Мгц, 10штук по выгодной цене

от 433 руб.

Посмотреть

Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 75 мВт Максимальное напряжение: коллектор-база: 50 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА Коэффициент: передачи тока ста...

от 260 руб.
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 75 мВт Максимальное напряжение: коллектор-база: 50 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА Коэффициент: передачи тока статический: 30-120 Частота: коэф...

от 260 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC517 транзистор (5 шт.) TO92 аналог MPSA12 схема КТ645А характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС517 Характеристики транзистора BC517 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не бо...

от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC517 транзистор (5 шт.) TO92 аналог MPSA12 схема КТ645А характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС517 Характеристики транзистора BC517 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-б...

от 291 руб.

Посмотреть

КТ801А Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указы...

от 260 руб.
КТ801А Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транз...

от 260 руб.

Посмотреть

Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) - это мощный NPN транзистор, который используется в схемах управления мощными нагрузками, такими как электродвигатели, лампы и т. д. Он имеет максимальное напряжение до 400 В и максимальный ток до 8 А. Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) имее...

от 157 руб.
Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) - это мощный NPN транзистор, который используется в схемах управления мощными нагрузками, такими как электродвигатели, лампы и т. д. Он имеет максимальное напряжение до 400 В и максимальный ток до 8 А. Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) имеет тепловой коэффициент переход...

от 157 руб.

Посмотреть

КТ890А Транзисторы КТ890А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в схемах зажигания автомобильных двигателей. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Масса транзистора не более 6,0 г. в комплекте:...

от 295 руб.
КТ890А Транзисторы КТ890А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в схемах зажигания автомобильных двигателей. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Масса транзистора не более 6,0 г. в комплекте: 3 шт. назначение: двигателем

от 295 руб.

Посмотреть

PC817CN8 Оптопара транзисторная LTV-817S-TA1-C, Оптопара транзисторная, (=PC817), [DIP-4 SMD] OPTOCOUPLER 200-400%, SMD Корпус DIP4 Технические параметры Количество каналов 1 Напряжение изоляции (RMS), В 5000 Коэффициент передачи по току (Min), % 200 Коэффициент передач...

от 360 руб.
PC817CN8 Оптопара транзисторная LTV-817S-TA1-C, Оптопара транзисторная, (=PC817), [DIP-4 SMD] OPTOCOUPLER 200-400%, SMD Корпус DIP4 Технические параметры Количество каналов 1 Напряжение изоляции (RMS), В 5000 Коэффициент передачи по току (Min), % 200 Коэффициент передачи по току (Max), % 400 Тип вхо...

от 360 руб.

Посмотреть

Категория: радиодетали. транзистор 2SC5706-T-TL T0-252

от 180 руб.
Категория: радиодетали. транзистор 2SC5706-T-TL T0-252

от 180 руб.

Посмотреть

Модуль управления MOSFET MOS развязкой по оптопаре и транзистором AOD4184 (40В, 50А) MS011 (Черный) - это мощное устройство, которое позволяет контролировать передачу электрического сигнала между двумя устройствами, используя оптопару и транзистор. Этот модуль обеспечив...

от 247 руб.
Модуль управления MOSFET MOS развязкой по оптопаре и транзистором AOD4184 (40В, 50А) MS011 (Черный) - это мощное устройство, которое позволяет контролировать передачу электрического сигнала между двумя устройствами, используя оптопару и транзистор. Этот модуль обеспечивает надежную и безопасную рабо...

от 247 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipatio...

3 1 отзыв
от 291 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Case Sty...
1 отзыв

от 291 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

Основные технические параметры КТ858А: КТ858А Транзистор КТ858А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не боле...

от 310 руб.
Основные технические параметры КТ858А: КТ858А Транзистор КТ858А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 3 г. Основные технические ха...

от 310 руб.

Посмотреть

2SJ6920 Биполярный транзистор 20А, 3МГц, 200В Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 1700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 20 Ст...

от 620 руб.
2SJ6920 Биполярный транзистор 20А, 3МГц, 200В Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 1700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 20 Статический коэффициент передачи...

от 620 руб.

Посмотреть

Транзистор полевой N-канальный 30В 32A 7-Pin Применяются для ремонта ЭУР (Электрического усилителя руля) в автомобиле LADA (ВАЗ) Granta. Технические характеристики: Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С I...

от 2 041 руб.
Транзистор полевой N-канальный 30В 32A 7-Pin Применяются для ремонта ЭУР (Электрического усилителя руля) в автомобиле LADA (ВАЗ) Granta. Технические характеристики: Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А: 32 Максимальное п...

от 2 041 руб.

Посмотреть

IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...

5 8 отзывов
от 701 руб.
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой транзистор управляет мощным бипо...
8 отзывов

от 701 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт

от 490 руб.
Количество в упаковке: 5 шт

от 490 руб.

Посмотреть

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...

от 230 руб.
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления мото...

от 230 руб.

Посмотреть

Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...

от 1 800 руб.
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип корп...

от 1 800 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток откр...

от 338 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) тип:...

от 338 руб.

Посмотреть

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

от 930 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – BC560 – 4 шт. • VT4, VT8, VT14,...

от 930 руб.

Посмотреть

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 230 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 75 Граничная...

от 230 руб.

Посмотреть

Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

от 690 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопровождения. тип: Электронные комп...

от 690 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

от 419 руб.
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

от 419 руб.

Посмотреть

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

от 650 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара 2SC2774 и 2SA1170. Сборку осущ...

от 650 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: IGBT Маркировка: H20R1203 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 310 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic|@25℃, A: 40 Напряжение насыщения кол...

от 547 руб.
Тип транзистора: IGBT Маркировка: H20R1203 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 310 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic|@25℃, A: 40 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sa...

от 547 руб.

Посмотреть

Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность колле...

от 220 руб.
Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность коллектора: 0.25 Вт. Корпус: TO-92....

от 220 руб.

Посмотреть

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

от 1 679 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – BC560 – 4 шт. • VT4, VT8, VT14,...

от 1 679 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене

от 420 руб.
Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене

от 420 руб.

Посмотреть

Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

от 1 300 руб.
Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопровождения. тип: Электронные комп...

от 1 300 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ805ВМ, TO-220, 5шт по выгодной цене

от 599 руб.
Транзисторы КТ805ВМ, TO-220, 5шт по выгодной цене

от 599 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ315И,КТ-13, 40шт по выгодной цене

от 599 руб.
Транзисторы КТ315И,КТ-13, 40шт по выгодной цене

от 599 руб.

Посмотреть

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

от 1 290 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара 2SC2774 и 2SA1170. Сборку осущ...

от 1 290 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 639 руб.
Тип: транзистор

от 639 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 599 руб.
Тип: транзистор

от 599 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…350...

от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…350 Граничная частота коэффициент...

от 230 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт

от 599 руб.
Количество в упаковке: 5 шт

от 599 руб.

Посмотреть

Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...

от 230 руб.
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи тока - 8МГц. Максимальное нап...

от 230 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ315Ж,КТ-13, 40шт по выгодной цене

от 599 руб.
Транзисторы КТ315Ж,КТ-13, 40шт по выгодной цене

от 599 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт

от 629 руб.
Количество в упаковке: 5 шт

от 629 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 20 шт

от 599 руб.
Количество в упаковке: 20 шт

от 599 руб.

Посмотреть

Производство китай!! Описание Trans IRG4BC20UD Chip N-CH 600V 13A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Технические параметры Технология/семейство gen4 Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 13 Импульсный ток коллектор...

от 1 300 руб.
Производство китай!! Описание Trans IRG4BC20UD Chip N-CH 600V 13A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Технические параметры Технология/семейство gen4 Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 13 Импульсный ток коллектора (Icm), А 52 Напряжение насыщ...

от 1 300 руб.

Посмотреть

Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...

от 499 руб.
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодо...

от 499 руб.

Посмотреть

Ac-10000, 20N60C3, Транзистор MOSFET N-канал 600В 20.7А TO-220FP, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), Infineon Technologies количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 404 руб.
Ac-10000, 20N60C3, Транзистор MOSFET N-канал 600В 20.7А TO-220FP, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), Infineon Technologies количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 404 руб.

Посмотреть

Транзистор 2N7000 N, 60В, 0.4А, TO-92 Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) - 1 Вт. Максимальный постоянный ток истока IDmax - 0,35А Максимальное напряжение сток-исток UDSmax - 60В. Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax - ±18В. тип: транзистор

от 181 руб.
Транзистор 2N7000 N, 60В, 0.4А, TO-92 Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) - 1 Вт. Максимальный постоянный ток истока IDmax - 0,35А Максимальное напряжение сток-исток UDSmax - 60В. Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax - ±18В. тип: транзистор

от 181 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт по выгодной цене

от 599 руб.
Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт по выгодной цене

от 599 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20 Гр...

от 190 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20 Граничная частота коэффициента п...

от 190 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 639 руб.
Тип: транзистор

от 639 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ361Б,КТ-13, 40шт по выгодной цене

от 692 руб.
Транзисторы КТ361Б,КТ-13, 40шт по выгодной цене

от 692 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 70 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц 20 Максимальная рассеиваемая мощ...

от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 70 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц 20 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 30 Корпус кт-28-2(то...

от 230 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт по выгодной цене

от 409 руб.
Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт по выгодной цене

от 409 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 599 руб.
Тип: транзистор

от 599 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…350...

от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…350 Граничная частота коэффициент...

от 230 руб.

Посмотреть

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…...

от 280 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…100 Граничная частота коэффици...

от 280 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ315Ж зелёные,КТ-13, 40шт по выгодной цене

от 692 руб.
Транзисторы КТ315Ж зелёные,КТ-13, 40шт по выгодной цене

от 692 руб.

Посмотреть

Транзисторы проверены на стенде. Партия 9202 Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Граничная частота коэффициента передачи т...

от 230 руб.
Транзисторы проверены на стенде. Партия 9202 Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц 20 Максимальная р...

от 230 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт

от 669 руб.
Количество в упаковке: 5 шт

от 669 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 25 шт

от 692 руб.
Количество в упаковке: 25 шт

от 692 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 2 шт

от 639 руб.
Количество в упаковке: 2 шт

от 639 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...

от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Макс...

от 230 руб.

Посмотреть

Frequency - Transition 900MHz Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V Transistor Type NPN Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant Power - Max 2W DC Current Gain (hFE) (Min)@ Ic, Vce 25@ 150mA, 5V Current - Collector (Ic) (Max) 250mA Тип монтажа...

от 710 руб.
Frequency - Transition 900MHz Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V Transistor Type NPN Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant Power - Max 2W DC Current Gain (hFE) (Min)@ Ic, Vce 25@ 150mA, 5V Current - Collector (Ic) (Max) 250mA Тип монтажа Поверхностный Корпус (размер)...

от 710 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

от 403 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Мак...

от 403 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

от 373 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Макс...

от 373 руб.

Посмотреть

Рубрика Транзистор кт973а содержит 11278 товаров, которые продаются в 56 магазинах по цене от 20 руб. до 4500 руб.
Новые категории
Может быть интересно
Почитайте отзывы покупателей на товары
Отзывы на электронные модули Отзывы на электронные модули стиральных машин Отзывы на регулятор мощности, напряжения переменного тока gsmin ak76 (220в, 50-220в, 2000w) диммер (зеленый)