Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10…...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор MJE13005 NPN, 400В, 4А, 75Вт - 5 штук
от 602 руб.
предложения от 2 магазинов
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
предложения от 1 магазина
В комплекте 2 штуки новых транзисторов BD135 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог BD137 схема BD165 характеристики цоколевка datasheet MJE722 Характеристики транзистора BD135 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более:...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
BD135 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог BD137 схема BD165 характеристики, цоколевка datasheet MJE722
от 391 руб.
предложения от 1 магазина
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 13009
от 230 руб.
предложения от 1 магазина
Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) - это мощный NPN транзистор, который используется в схемах управления мощными нагрузками, такими как электродвигатели, лампы и т. д. Он имеет максимальное напряжение до 400 В и максимальный ток до 8 А. Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) имее...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор MJE13007 400 В, 8 А, 80 Вт, TO-220 (RP)
от 157 руб.
предложения от 1 магазина
IRF4905PBF - Транзистор полевой P-канальный. Макс. напряжение сток-исток - 55В. Ток стока - 74А. Макс. мощность рассеивания - 200Вт. Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Максимальный ток: d - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 74 А Тип: МОП - Транзист...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор IRF4905 TO-220 (RP)
от 225 руб.
предложения от 1 магазина
TRANSISTOR, NPN TO-220; Transistor Type:Power High Voltage Switching; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:400V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:6V; Hfe, Min:8; Case Style:TO-220 (SOT-78B)
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор MJE13005
от 166 руб.
предложения от 1 магазина
Наименование производителя: MJE13005D Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое на...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор MJE13005D
от 122 руб.
предложения от 1 магазина
Описание товара MJE13005DF (MJE13004/MJE13005F) 700/400V;4A;30W;
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор MJE13005DF
от 134 руб.
предложения от 1 магазина
Описание товара MJE13005DF (MJE13004/MJE13005F) 700/400V;4A;30W;
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор MJE13005DF
от 192 руб.
предложения от 1 магазина
Наименование производителя: MJE13005D Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое на...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
КимКит Транзистор MJE13005D
от 116 руб.
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзисторы КТ8181А MJE13005, TO-220, 5 шт
от 420 руб.
предложения от 1 магазина
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=30V, Id=4,1A, Pd=1,4W, Rds(on)=52 mOhm
AO3407 транзистор
от 191 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420...
BC547C транзистор
от 180 руб.
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 110 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.008 ом при 62a, 10в Макси...
Транзистор IRF3205
от 230 руб.
В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки новых транзисторов D209L транзистор (2 шт.) TO-247 TO-3P аналог MJE13009 схема 2SC3320 характеристики цоколевка datasheet микросхема D209L применяется в различных переключающих схемах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных...
D209L транзистор (2 шт.) TO-247 TO-3P аналог MJE13009 схема 2SC3320 характеристики цоколевка datasheet микросхема
от 491 руб.
Транзистор оригинальный. Заводское качество. Фото не из Интернета. Напряжение: V; Ток: А; Мощность: W
Транзистор PHE13005.127 Заводское качество
от 190 руб.
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...
5 штук Транзистор 13009
от 550 руб.
Транзистор оригинальный. Заводское качество. Фото не из Интернета. Напряжение: 400V; Ток: 4А; Мощность: 75W
Транзистор ST13005A Заводское качество
от 220 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...
Транзистор BC327-25 (PNP, 0.5А, 45В)
от 129 руб.
Наименование производителя: MJE13007 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое нап...
Транзистор MJE13007 - 5 штук
от 601 руб.
Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене
Транзисторы КТ8181А MJE13005, TO-220, 5 шт
от 420 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 80 Максимальное напр...
P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
Транзисторы КТ8181Б (MJE13004), TO-220, 5 шт
от 419 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRL2505 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2554 схема IRL2505PBF характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRL2505 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвор...
IRL2505 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2554 схема IRL2505PBF характеристики, цоколевка datasheet MOSFET
от 491 руб.
Количество в упаковке: 5 шт
Транзисторы КТ8175А (MJE13003BP), TO-220, 5 шт
от 490 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов SS8550 Y2 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1037 схема 2SA1620 характеристики цоколевка datasheet SS8550 Транзистор PNP 25В 1.5А sot23 Описание и характеристики SS8550 Структура - p-n-p Артикул: TRN025 Напряжение коллектор-эмит...
SS8550 Y2 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1037 схема 2SA1620 характеристики цоколевка datasheet
от 291 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора...
IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...
Транзистор BFW16A (NPN, 0.3А, 25В)
от 149 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов D882 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог 2SD882 схема BD187 характеристики цоколевка datasheet BDX35 Характеристики транзистора 2SD882 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более:...
D882 TO-126 транзистор (2 шт.) 2SD882 схема BD187 характеристики цоколевка datasheet BDX35
от 391 руб.
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открыт...
Полевой транзистор, N-канальный GSMIN IRF3205 55В, 110А, -55+175C (Черный)
от 149 руб.
NPN medium power transistors 45V 1A 200mA 0,83W 100Mhz
BC635-16 транзистор
от 184 руб.
NPN power transistors 32V, 4A, 36W, 3MHz
BD435 транзистор
от 211 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов SS8050 Y1 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1036 схема 2SA1182 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Y-1 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не боле...
SS8050 Y1 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1036 схема 2SA1182 характеристики цоколевка datasheet
от 291 руб.
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...
Транзистор 13009
от 230 руб.
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...
Транзистор MJE13001 (упаковка 2 шт)
от 230 руб.
Биполярный транзистор, характеристики High voltage NPN Power Transistor, Vcbo=1500V, Ic=8A, Pc=35W (On-chip damper diode) Транзистор биполярный TT2222 NPN 1500V, 8A TO-220F
TT2222 транзистор
от 221 руб.
NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor 400V/600V, 0,2A, 0,6W ICBO 100/200mA
MJE13001 транзистор
от 183 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов Z0607MA транзистор (5 шт.) симистор TO92 аналог AC0V8DGM схема MAC97-4 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet SM1G43 Триаки 0.8 Amp 600 Volt Технические параметры Конфигурация single Тип симистора logic-sensitive gate Максимальное...
Z0607MA транзистор (5 шт.) симистор TO92 аналог AC0V8DGM схема MAC97-4 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet SM1G43
от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipatio...
IRF740 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2841 схема BUZ61A характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 291 руб.
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor Vds=40V,n-channel:Id=6A,Rds(on)=31 mOhm,p-channel:Id=5A,Rds(on)=45 mOhm,Pd=2W
AO4614B транзистор
от 212 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF530N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF530N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В С...
IRF530N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...
Транзистор 2П103А / Аналоги: КП103А, 2N3329 / полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа
от 550 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...
Транзистор 2N3904 (NPN, 0.2А, 40В)
от 129 руб.
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...
Транзистор 2Т808А / Аналоги: КТ808А, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2SC1618, 2SD201, 2SD202, 2SD203, BLJY55, BLY47, KD602, KU606 / n-p-n переключательные
от 1 800 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13009 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2SC2335 схема 2SC2898 характеристики цоколевка datasheet MJE13009 MJE13009-2 транзистор NPN E13009-2 400В 12А TO-220 Наименование: E13009-2 Маркировка на корпусе: E13009-2 Структура транзисто...
E13009-2 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2SC2335 схема 2SC2898 характеристики цоколевка datasheet MJE13009
от 391 руб.
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...
Транзистор КТ315И, 10 штук / Аналоги: BCY65EDP, BCY65EPD, BCY65EPDM, BCY65EAP / n-p-n усилительные
от 499 руб.
Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...
Транзистор SPP-20N60C3, 20A, TO-220-AB
от 282 руб.
N‐,Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Транзисторы EMA09N03AN ( A09N03 )
от 343 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 72 A Максимальная темпе...
Транзистор IRF1010N
от 376 руб.
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...
GT50JR22 50JR22 IGBT-транзисторы Toshiba Оригинал 4шт
от 701 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор BC338-25
от 230 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...
Плата Транзисторный Усилитель Only Music 2.7 120 Вт
от 930 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...
Транзистор 2SC2328A
от 230 руб.
Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21...
Транзистор КТ973Б
от 230 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...
Печатная Плата для сборки Hi-Fi Транзисторный Усилитель 100 Вт PCB amplifier amp, 2 шт
от 1 290 руб.
Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...
Плата Транзисторный Усилитель AX12 100Вт, 2 шт
от 1 300 руб.
Конструктор не сложного в сборке Усилителя на транзисторах TIP120 и TIP125 и ОУ TL081. количество в упаковке: 1шт. напряжение: 15 тип: плата SMD-корпус: да
Усилитель Моно 12Вт на транзисторах TIP120 и TIP125 DIY
от 929 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...
Печатная Плата для сборки Hi-Fi Транзисторный Усилитель 100 Вт PCB amplifier amp, 1 шт
от 650 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...
Плата Транзисторный Усилитель AX12 100Вт, 1 шт
от 690 руб.
Корпус TO225, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 12.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 250 Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой...
Транзистор BD135
от 230 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...
Плата Транзисторный Усилитель Only Music 2.7 120 ВтPCB amplifier, 2 шт
от 1 679 руб.
Напряжение сток-исток Uси (max): 60В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max) тип: транзистор
Транзистор IRFZ44N
от 230 руб.
IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А. Технические характеристики: Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А: 33 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В: 20 Сопротивление канала в от...
Транзистор IRF540NPBF, 2 шт
от 184 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...
Транзистор BUZ91AF
от 230 руб.
Производитель STMicroelectronics Серия PowerMESH ™ II Упаковочная трубка Статус детали Устаревший N-канальный полевой транзистор типа FET Технология MOSFET (оксид металла) Напряжение слива к источнику (Vdss) 500 В Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C 8A (Tc) Напряжение...
Транзистор IRF840
от 230 руб.
1. S8050 20шт 2. S8550 20шт 3. S9012 20шт 4. S9013 20шт 5. S9014 20шт 6. 2N3904 20шт 7. 2N3906 20шт 8. C1815 20шт 9. A1015 20шт 10. MJE13001 20шт количество в упаковке: 200 шт
Набор транзисторов в корпусах TO-92 в коробке 200шт
от 1 198 руб.
Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...
Транзистор SPP20N60C3
от 302 руб.
Transistor Type NPN Current - Collector (Ic) (Max) 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V Vce Saturation (Max)@ Ib, Ic 400mV@ 20mA, 500mA тип: транзистор
Транзистор 2SD1996R
от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток откр...
Транзистор BUK446-800A
от 338 руб.
PXT8550; PXT8050 TRANSISTOR(NPN) FEATURES Compliment to PXT8050 SOT-89 1. BASE MARKING: Y2 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO V
Транзистор PXT8050
от 230 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов B772P транзистор (2 шт.) TO-126 аналог B772 схема 2SB743 характеристики цоколевка datasheet 2SB744 Характеристики транзистора B772P Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более...
B772P транзистор (2 шт.) TO-126 аналог B772 схема 2SB743 характеристики цоколевка datasheet В772
от 391 руб.
RFP50N06 является N-канальным силовым МОП-транзистором 60В, который использует процесс MegaFET. Этот процесс использует особенности, приближающиеся к тем, которые применяются в интегральных схемах LSI, что обеспечивает оптимальное использование кремния и приводит к выда...
Транзистор RFP50N06
от 254 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов IRLML6401 F2C18 транзистор (5 шт.) ЧИП SOT23 SMD схема IRLML6401TRPBF характеристики SI2305DS-T1-E3 цоколевка SOT-23-3 datasheet MOSFET Наименование прибора: IRLML6401 Маркировка: 1F* Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальн...
IRLML6401 F2C18 транзистор (5 шт.) ЧИП SOT23 SMD схема IRLML6401TRPBF характеристики SI2305DS-T1-E3 цоколевка SOT-23-3 datasheet MOSFET
от 391 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...
Транзистор IRF520
от 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Мак...
Транзистор 2SC3688
от 230 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -35 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.6 Вт Коэффициент усиления транзистора по ток...
Транзистор 2SA1271
от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…50...
BC548B транзистор
от 181 руб.
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока...
Транзистор 2SA1376
от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...
Транзистор IRFPC50
от 403 руб.
Количество в упаковке: 3 шт. тип: транзистор
Транзистор GSMIN IRF3205 комплект 3шт (Черный)
от 325 руб.
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=60V, Id=75A, Pd=150W, Rds(on)=13 mOhm
CEP75N06 транзистор
от 251 руб.
Конфигурация: p-n-p Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Максимальный ток: коллектора импульсный: 200 мА Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 20 В Максимальное напряжение: коллектор-база: 25 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Мощность: рассеи...
Транзистор КТ3107Ж
от 224 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC558 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC560 схема BC559 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС558 Характеристики транзистора BC 558 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не бо...
BC558 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC560 схема BC559 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС558
от 267 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов BTA41-600B транзистор (2 шт.) TO-3P аналог CQ218I-40M схема Q4040K7 характеристики цоколевка datasheet ВТА41-600В описание Тиристор BTA41-600B полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и управления...
BTA41-600B транзистор (2 шт.) симистор TO-3P CQ218I-40M схема Q4040K7 характеристики, цоколевка, datasheet ВТА41-600В
от 461 руб.
Тип: транзистор
Транзисторы MJE13003, TO-126, 8 шт
от 439 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2301 A1SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог UT6401 схема AO3407A характеристики цоколевка datasheet Транзистор SI2301, A1SHB (20В, 2.2A, 1.25Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2301 маркировка A...
SI2301 A1SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог UT6401 схема AO3407A характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC550 B транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC171 схема BC182 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС550 Характеристики транзистора BC550B Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не б...
BC550 B транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC171 схема BC182 характеристики ТО-92 цоколевка, datasheet ВС550
от 291 руб.
Транзистор 13003 в корпусу ТО-92 Цена за упаковку (2 шт) тип: транзистор
Транзистор 13003 корпус ТО-92 (2шт)
от 230 руб.
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
Транзисторы (Россия) TIP32, TO220, 5 шт
от 459 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...
Транзистор 2SC3460
от 247 руб.
Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5...
Транзистор IRF9620
от 230 руб.
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 300 В, 15 Вт, 500 мА, 240 hFE тип: транзистор
Транзистор MJD340G
от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый пост...
Транзистор IRF9630
от 230 руб.
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.5 ом при 2.7a, 10в Максим...
Транзистор IRF830
от 262 руб.
Описание Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-pa...
Транзисторы IKW75N60T ( K75T60 )
от 766 руб.