Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 13009
от 230 руб.
предложения от 1 магазина
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13009 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2SC2335 схема 2SC2898 характеристики цоколевка datasheet MJE13009 MJE13009-2 транзистор NPN E13009-2 400В 12А TO-220 Наименование: E13009-2 Маркировка на корпусе: E13009-2 Структура транзисто...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
E13009-2 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2SC2335 схема 2SC2898 характеристики цоколевка datasheet MJE13009
от 391 руб.
предложения от 1 магазина
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3407 A79T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2SA795 аналог AN7912F характеристики цоколевка datasheet А79Т MOSFET A03407 Наименование прибора: AO3407 Маркировка: A79TF_X7*_A7 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеи...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
AO3407 A79T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2SA795 аналог AN7912F характеристики цоколевка datasheet А79Т MOSFET A03407
от 391 руб.
предложения от 1 магазина
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
предложения от 1 магазина
В комплекте 2 штуки новых транзисторов BD135 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог BD137 схема BD165 характеристики цоколевка datasheet MJE722 Характеристики транзистора BD135 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более:...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
BD135 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог BD137 схема BD165 характеристики, цоколевка datasheet MJE722
от 391 руб.
предложения от 1 магазина
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
5 штук Транзистор 13009
от 550 руб.
предложения от 1 магазина
Биполярный транзистор, характеристики
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
MJE13009 транзистор
от 220 руб.
предложения от 1 магазина
Биполярный транзистор, характеристики
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
MJE13009 транзистор
от 220 руб.
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
КимКит Транзистор MJE13009
от 224 руб.
предложения от 1 магазина
КимКит Транзистор MJE13009 по выгодной цене
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
КимКит Транзистор MJE13009
от 224 руб.
предложения от 1 магазина
Наименование производителя: ST13009 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое нап...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор ST13009 MJE13009
от 458 руб.
предложения от 1 магазина
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макc...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор MJE13009 (ST13009)
от 406 руб.
предложения от 1 магазина
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRL2505 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2554 схема IRL2505PBF характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRL2505 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвор...
IRL2505 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2554 схема IRL2505PBF характеристики, цоколевка datasheet MOSFET
от 491 руб.
В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки новых транзисторов D209L транзистор (2 шт.) TO-247 TO-3P аналог MJE13009 схема 2SC3320 характеристики цоколевка datasheet микросхема D209L применяется в различных переключающих схемах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных...
D209L транзистор (2 шт.) TO-247 TO-3P аналог MJE13009 схема 2SC3320 характеристики цоколевка datasheet микросхема
от 491 руб.
Транзистор 13003 в корпусе ТО-126 тип: транзистор
Транзистор 13003 корпус ТО-126
от 230 руб.
Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) - это мощный NPN транзистор, который используется в схемах управления мощными нагрузками, такими как электродвигатели, лампы и т. д. Он имеет максимальное напряжение до 400 В и максимальный ток до 8 А. Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) имее...
Транзистор MJE13007 400 В, 8 А, 80 Вт, TO-220 (RP)
от 157 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 80 Максимальное напр...
P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 110 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.008 ом при 62a, 10в Макси...
Транзистор IRF3205
от 230 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не...
BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639
от 381 руб.
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=30V, Id=4,1A, Pd=1,4W, Rds(on)=52 mOhm
AO3407 транзистор
от 191 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов D882 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог 2SD882 схема BD187 характеристики цоколевка datasheet BDX35 Характеристики транзистора 2SD882 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более:...
D882 TO-126 транзистор (2 шт.) 2SD882 схема BD187 характеристики цоколевка datasheet BDX35
от 391 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10…...
Транзистор MJE13005 NPN, 400В, 4А, 75Вт - 5 штук
от 602 руб.
Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене
Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт
от 420 руб.
Наименование производителя: MJE13007 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое нап...
Транзистор MJE13007 - 5 штук
от 601 руб.
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
Транзисторы КТ8181Б (MJE13004), TO-220, 5 шт
от 419 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipatio...
IRF740 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2841 схема BUZ61A характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 291 руб.
Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимальн...
BU406 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2SC2335 схема 2SC3039 характеристики цоколевка datasheet
от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ46N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1542 схема BUZ102S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ46N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 2...
IRFZ46N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1542 схема BUZ102S характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...
Транзистор MJE13001 (упаковка 2 шт)
от 230 руб.
High voltage fast-switching PNP power transistor, Vces=500V, Ic=1,5A, hfe=25, Ptot=1,6W, complementary NPN transistor STN83003
STN93003 транзистор
от 209 руб.
NPN power transistors 32V, 4A, 36W, 3MHz
BD435 транзистор
от 211 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов L7905CV транзистор (2 шт.) TO-220 аналог KA7905 схема TA79005P характеристики цоколевка datasheet ВТА06 Микросхема L7905CV представляет собой стабилизатор напряжения с выходным напряжением -5,0 В отрицательной полярности. Предназна...
L7905CV транзистор (2 шт.) TO-220 аналог KA7905 схема TA79005P характеристики цоколевка datasheet ВТА06
от 291 руб.
NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor 400V/600V, 0,2A, 0,6W ICBO 100/200mA
MJE13001 транзистор
от 183 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора...
IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
Биполярный транзистор, характеристики High voltage NPN Power Transistor, Vcbo=1500V, Ic=8A, Pc=35W (On-chip damper diode) Транзистор биполярный TT2222 NPN 1500V, 8A TO-220F
TT2222 транзистор
от 221 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3205 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог BUZ111S схема 2SK2985 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF3205 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 2...
IRF3205 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог BUZ111S схема 2SK2985 характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor Vds=40V,n-channel:Id=6A,Rds(on)=31 mOhm,p-channel:Id=5A,Rds(on)=45 mOhm,Pd=2W
AO4614B транзистор
от 212 руб.
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...
Транзистор 2Т808А / Аналоги: КТ808А, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2SC1618, 2SD201, 2SD202, 2SD203, BLJY55, BLY47, KD602, KU606 / n-p-n переключательные
от 1 800 руб.
N‐,Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Транзисторы EMA09N03AN ( A09N03 )
от 343 руб.
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...
Транзистор КТ315И, 10 штук / Аналоги: BCY65EDP, BCY65EPD, BCY65EPDM, BCY65EAP / n-p-n усилительные
от 499 руб.
Йств Технические параметры Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ, В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. тип: транзистор
IGBT транзистор ON Semiconductor FGL40N120AND 1200v 64a для сварочных аппаратов, ИБП, зарядных устро
от 630 руб.
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...
Транзистор 2П103А / Аналоги: КП103А, 2N3329 / полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа
от 550 руб.
2SJ6920 Биполярный транзистор 20А, 3МГц, 200В Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 1700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 20 Ст...
Транзистор 2SJ6920(A) (2-21F1A)
от 620 руб.
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...
GT50JR22 50JR22 IGBT-транзисторы Toshiba Оригинал 4шт
от 701 руб.
Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...
Плата Транзисторный Усилитель AX12 100Вт, 2 шт
от 1 300 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...
Плата Транзисторный Усилитель Only Music 2.7 120 Вт
от 930 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор BC338-25
от 230 руб.
Количество в упаковке: 5 шт
Транзисторы КТ8175А (MJE13003BP), TO-220, 5 шт
от 490 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...
Транзистор 2SC2328A
от 230 руб.
Конструктор не сложного в сборке Усилителя на транзисторах TIP120 и TIP125 и ОУ TL081. количество в упаковке: 1шт. напряжение: 15 тип: плата SMD-корпус: да
Усилитель Моно 12Вт на транзисторах TIP120 и TIP125 DIY
от 929 руб.
Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21...
Транзистор КТ973Б
от 230 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...
Плата Транзисторный Усилитель AX12 100Вт, 1 шт
от 690 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...
Плата Транзисторный Усилитель Only Music 2.7 120 ВтPCB amplifier, 2 шт
от 1 679 руб.
Корпус TO225, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 12.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 250 Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой...
Транзистор BD135
от 230 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...
Печатная Плата для сборки Hi-Fi Транзисторный Усилитель 100 Вт PCB amplifier amp, 1 шт
от 650 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...
Печатная Плата для сборки Hi-Fi Транзисторный Усилитель 100 Вт PCB amplifier amp, 2 шт
от 1 290 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420…80...
Транзистор BC547C
от 200 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...
Транзистор IRF520
от 230 руб.
Производитель STMicroelectronics Серия PowerMESH ™ II Упаковочная трубка Статус детали Устаревший N-канальный полевой транзистор типа FET Технология MOSFET (оксид металла) Напряжение слива к источнику (Vdss) 500 В Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C 8A (Tc) Напряжение...
Транзистор IRF840
от 230 руб.
Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...
Транзистор SPP20N60C3
от 302 руб.
КТ859А Транзистор КТ859А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпу...
Транзистор КТ859А
от 230 руб.
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока...
Транзистор 2SA1376
от 230 руб.
Transistor Type NPN Current - Collector (Ic) (Max) 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V Vce Saturation (Max)@ Ib, Ic 400mV@ 20mA, 500mA тип: транзистор
Транзистор 2SD1996R
от 230 руб.
Напряжение сток-исток Uси (max): 60В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max) тип: транзистор
Транзистор IRFZ44N
от 230 руб.
В комплекте 2 штуки новых деталей TIP36C транзистор (2 шт.) TO-247 аналог TIP36CG схема характеристики цоколевка datasheet TO-3P микросхема Характеристики транзистора TIP36C Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не б...
TIP36C транзистор (2 шт.) TO-247 аналог TIP36CG схема характеристики цоколевка datasheet TO-3P микросхема
от 379 руб.
Транзисторы BUK444-200A, TO-220, 4шт количество в упаковке: 4 шт
Транзисторы BUK444-200A, TO-220, 4 шт
от 529 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -35 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.6 Вт Коэффициент усиления транзистора по ток...
Транзистор 2SA1271
от 230 руб.
IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А. Технические характеристики: Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А: 33 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В: 20 Сопротивление канала в от...
Транзистор IRF540NPBF, 2 шт
от 184 руб.
1. S8050 20шт 2. S8550 20шт 3. S9012 20шт 4. S9013 20шт 5. S9014 20шт 6. 2N3904 20шт 7. 2N3906 20шт 8. C1815 20шт 9. A1015 20шт 10. MJE13001 20шт количество в упаковке: 200 шт
Набор транзисторов в корпусах TO-92 в коробке 200шт
от 1 198 руб.
Биполярный транзистор, характеристики NF, 40V, 5A, 0,75W, 150MHz тип: транзистор
Транзистор 2SD965
от 195 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...
Транзистор S9012 (PNP, 0.5А, 20В)
от 128 руб.
Количество в упаковке: 3 шт. тип: транзистор
Транзистор GSMIN IRF3205 комплект 3шт (Черный)
от 325 руб.
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=60V, Id=75A, Pd=150W, Rds(on)=13 mOhm
CEP75N06 транзистор
от 251 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC558 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC560 схема BC559 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС558 Характеристики транзистора BC 558 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не бо...
BC558 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC560 схема BC559 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС558
от 267 руб.
Тип: транзистор
Транзисторы MJE13003, TO-126, 8 шт
от 439 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2301 A1SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог UT6401 схема AO3407A характеристики цоколевка datasheet Транзистор SI2301, A1SHB (20В, 2.2A, 1.25Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2301 маркировка A...
SI2301 A1SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог UT6401 схема AO3407A характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC550 B транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC171 схема BC182 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС550 Характеристики транзистора BC550B Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не б...
BC550 B транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC171 схема BC182 характеристики ТО-92 цоколевка, datasheet ВС550
от 291 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов BTA41-600B транзистор (2 шт.) TO-3P аналог CQ218I-40M схема Q4040K7 характеристики цоколевка datasheet ВТА41-600В описание Тиристор BTA41-600B полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и управления...
BTA41-600B транзистор (2 шт.) симистор TO-3P CQ218I-40M схема Q4040K7 характеристики, цоколевка, datasheet ВТА41-600В
от 461 руб.
Тип: Электронные компоненты
Транзистор MJE13001 TO-92, мар-ка 13001, NPN, 10штук
от 490 руб.
Наименование производителя: ST13003K Маркировка: 13003 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимал...
Транзистор ST13003-K (13003) NPN, 400В, 1.5А, 40Вт
от 272 руб.
Транзистор 13003 в корпусу ТО-92 Цена за упаковку (2 шт) тип: транзистор
Транзистор 13003 корпус ТО-92 (2шт)
от 230 руб.
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 300 В, 15 Вт, 500 мА, 240 hFE тип: транзистор
Транзистор MJD340G
от 230 руб.
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
Транзисторы (Россия) TIP32, TO220, 5 шт
от 459 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...
Транзистор BUZ80A
от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 730 pf...
Транзистор IRF634A
от 230 руб.
Наименование производителя: BC557A Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряж...
Транзистор BC557A
от 230 руб.
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси максА 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи максВ 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.55 Ом/6А, 10В Максимальная рас...
Транзистор IRF740
от 230 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (...
Транзистор 2SB1185
от 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...
Транзистор 2SC3460
от 247 руб.
SPA20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) тип: т...
Транзистор SPA20N60C3
от 334 руб.
Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5...
Транзистор IRF9620
от 230 руб.
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...
Транзистор 2SD882
от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый пост...
Транзистор IRF9630
от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор S8050
от 230 руб.
Описание Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-pa...
Транзисторы IKW75N60T ( K75T60 )
от 766 руб.
Транзистор 13003 в корпусе ТО-220 тип: транзистор
Транзистор 13003 корпус ТО-220
от 230 руб.