Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 13009
от 230 руб.
предложения от 1 магазина
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222 Характеристики транзистора P2N2222A Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база,...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222
от 391 руб.
предложения от 1 магазина
Ac-32857, TIP147T, Транзистор Дарлингтона PNP 100В 10А 125Вт TO-220, ABC, Транзистры биполярные, ABC
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
TIP147T, Транзистор Дарлингтона PNP 100В 10А 125Вт [TO-220]
от 297 руб.
предложения от 1 магазина
Купить ULN2003AN DIP16 Микросхему матричную сборку из семи транзисторов Дарлингтона 500мА Вы можете в нашем магазине с доставкой по России по доступной цене
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
ULN2003AN DIP16 Микросхема из семи транзисторов Дарлингтона 500мА
от 230 руб.
предложения от 1 магазина
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более:...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet TIP12
от 391 руб.
предложения от 1 магазина
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 напряжение: 60 В ти...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор MJ2955 (PNP, 15А, 60В)
от 179 руб.
предложения от 1 магазина
ULN2003ADR Микросхема матричная сборка из семи транзисторов Дарлингтона 500мА SO-16 Купить микросхему ULN2003ADR Вы можете в нашем магазине по доступной цене с доставкой по России и странам СНГ
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
ULN2003ADR Микросхема из семи транзисторов Дарлингтона 500мА SO-16
от 225 руб.
предложения от 1 магазина
Микросхема для импульсных источников питания. Партномер ULN2004AN. количество в упаковке: 1 шт. тип: микросхема
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
ULN2004AN DIP16 Микросхема из семи транзисторов Дарлингтона 500мА
от 235 руб.
предложения от 1 магазина
Микросхема для импульсных источников питания. Партномер ULN2004AN
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
ULN2004AN DIP16 Микросхема из семи транзисторов Дарлингтона 500мА
от 235 руб.
предложения от 1 магазина
ULN2004ADR Микросхема из семи транзисторов Дарлингтона 500мА SO-16 по выгодной цене
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
ULN2004ADR Микросхема из семи транзисторов Дарлингтона 500мА SO-16
от 225 руб.
предложения от 1 магазина
ULN2003AN DIP16 Микросхема из семи транзисторов Дарлингтона 500мА по выгодной цене
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
ULN2003AN DIP16 Микросхема из семи транзисторов Дарлингтона 500мА
от 230 руб.
предложения от 1 магазина
Ac-32860, TIP102, NPN составной Дарлингтон транзистор с шунтирующими резисторами, 80Вт, TO-220, ABC, Транзистры биполярные, ABC
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
TIP102, NPN составной Дарлингтон транзистор с шунтирующими резисторами, 80Вт, [TO-220]
от 235 руб.
предложения от 1 магазина
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro тип: тран...
IRFP260NPBF транзистор
от 368 руб.
Ac-39832, ULN2003AN, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, DIP-16, ABC, Микросхемы, Транзисторные сборки Дарлингтона, ABC количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
ULN2003AN, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, [DIP-16]
от 235 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов BD135 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог BD137 схема BD165 характеристики цоколевка datasheet MJE722 Характеристики транзистора BD135 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более:...
BD135 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог BD137 схема BD165 характеристики, цоколевка datasheet MJE722
от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ34N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1115 схема BUZ101S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ34N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В...
IRFZ34N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1115 схема BUZ101S характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 367 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...
Транзистор IRF520
от 230 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3400 A09T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема FDN339AN аналог SN74LVC1G125DBVR характеристики цоколевка datasheet А09Т MOSFET A03400 Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF_A09T Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальн...
AO3400 A09T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема FDN339AN аналог SN74LVC1G125DBVR характеристики цоколевка datasheet А09Т MOSFET A03400
от 291 руб.
IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В 20 Сопротивление канала в откры...
IRF840PBF транзистор
от 245 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...
Транзистор BUZ332A
от 373 руб.
TIP142T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT63B схема BDW42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP142T Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более...
TIP142T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT63B схема BDW42 характеристики цоколевка datasheet TIP142
от 391 руб.
Ac-39833, ULN2003AFWG, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА SO-16, ABC, Микросхемы, Транзисторные сборки Дарлингтона, ABC
ULN2003AFWG, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА [SO-16]
от 235 руб.
Транзистор 2N7000 N, 60В, 0.4А, TO-92 Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) - 1 Вт. Максимальный постоянный ток истока IDmax - 0,35А Максимальное напряжение сток-исток UDSmax - 60В. Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax - ±18В. тип: транзистор
2N7000 транзистор
от 181 руб.
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...
Транзистор MJE13001 (упаковка 2 шт)
от 230 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF540N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1116 схема HUF75623P3 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF540N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затво...
IRF540N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1116 схема HUF75623P3 характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов B772P транзистор (2 шт.) TO-126 аналог B772 схема 2SB743 характеристики цоколевка datasheet 2SB744 Характеристики транзистора B772P Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более...
B772P транзистор (2 шт.) TO-126 аналог B772 схема 2SB743 характеристики цоколевка datasheet В772
от 391 руб.
Тип: Электронные компоненты
Транзистор ZTX614 TO-92mod, NPN Darlington transistor
от 446 руб.
Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимальн...
BU406 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2SC2335 схема 2SC3039 характеристики цоколевка datasheet
от 391 руб.
Ac-31437, BU808DFI, Транзистор NPN DARLINGTON, высоковольтный, сопротивление Э-Б от 40 Ом ISOWATT-218, ABC, Тразисторы биполярные (BJTs), Vishay количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
BU808DFI, Транзистор NPN DARLINGTON, высоковольтный, сопротивление Э-Б от 40 Ом [ISOWATT-218]
от 312 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не...
BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639
от 381 руб.
Ac-32861, TIP127, Транзистор PNP Darlington 100В 5А 2Вт TO-220, ABC, Транзистры биполярные, ABC
TIP127, Транзистор PNP Darlington 100В 5А 2Вт [TO-220]
от 235 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC559 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC558 схема BC556 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС559 Характеристики транзистора BC 559 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не бо...
BC559 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC558 схема BC556 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС559
от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipatio...
IRF740 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2841 схема BUZ61A характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...
Транзистор BFW16A (NPN, 0.3А, 25В)
от 149 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420...
BC547C транзистор
от 180 руб.
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...
Транзистор КТ315И, 10 штук / Аналоги: BCY65EDP, BCY65EPD, BCY65EPDM, BCY65EAP / n-p-n усилительные
от 499 руб.
Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность колле...
Транзистор C945 TO-92, 2шт
от 220 руб.
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...
Транзистор 2Т808А / Аналоги: КТ808А, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2SC1618, 2SD201, 2SD202, 2SD203, BLJY55, BLY47, KD602, KU606 / n-p-n переключательные
от 1 800 руб.
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...
Транзистор 2П103А / Аналоги: КП103А, 2N3329 / полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа
от 550 руб.
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...
GT50JR22 50JR22 IGBT-транзисторы Toshiba Оригинал 4шт
от 701 руб.
Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене
Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт
от 420 руб.
Кремниевые высоковольтные планарно-эпитаксиальные р-п-р транзисторы средней мощности КT644A, КT644Б, КТ644В, КТ644Г предназначены для применения в схемах усиления и переключения радиоэлектронной аппаратуры. Размеры кристалла 0,6 х 0,6 мм. Маркировка транзисторов в соотв...
Транзистор КТ644А
от 230 руб.
Тип: транзистор
Транзисторы MEV TIP41C, TO-220, 4 шт
от 420 руб.
Варианты: Режим усиления Ток стока: 4.0 А Полярность: N Тип корпуса: TO-220 Рабочая температура: -55.150 °C Время восстановления: 1200 nstyp Сопротивление включения: 2.5 Ω Питающее напряжение стока: 600 В Рабочая температура, мин -55 °C Рабочая температура, макс 150 °C...
Транзистор BUK455-600B
от 585 руб.
Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт по выгодной цене
Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт
от 409 руб.
Количество в упаковке: 5 шт
Транзисторы КТ8175А (MJE13003BP), TO-220, 5 шт
от 490 руб.
Тип: транзистор
Транзисторы 2SC4242, TO-220, 5 шт
от 479 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8550 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог MPSA92 схема MPSW51G характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8550 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более...
S8550 D331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог MPSA92 схема MPSW51G характеристики ТО-92 цоколевка datasheet
от 291 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор TIP42C
от 230 руб.
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
Транзисторы FairChild 2SC2688-Y, TO-126F, 5 шт
от 459 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 80 Максимальное напр...
P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
Количество в упаковке: 20 шт
Транзисторы КТ6114В (SS8050D), TO-92, 20шт
от 599 руб.
Количество в упаковке: 5 шт
Транзисторы КТ683Е, TO-126, 5шт
от 599 руб.
Транзисторы ГТ403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппарат...
Транзистор ГТ403А (упаковка 2 шт)
от 254 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор BC639
от 230 руб.
Количество в упаковке: 5 шт
Транзисторы КТ8110Б, TO-220, 5 шт
от 669 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов L7905CV транзистор (2 шт.) TO-220 аналог KA7905 схема TA79005P характеристики цоколевка datasheet ВТА06 Микросхема L7905CV представляет собой стабилизатор напряжения с выходным напряжением -5,0 В отрицательной полярности. Предназна...
L7905CV транзистор (2 шт.) TO-220 аналог KA7905 схема TA79005P характеристики цоколевка datasheet ВТА06
от 291 руб.
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 300 В, 15 Вт, 500 мА, 240 hFE тип: транзистор
Транзистор MJD340G
от 230 руб.
MOSFET транзистор IRF640N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 200 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 18 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 0.15 ОмМаксимальная рассеиваемая мощност...
IRF640NPBF транзистор
от 232 руб.
N-Channel QFET MOSFET, Vdss=600V, Id=12A, Rds(on)=0,65 Ohm, Pd=225W
FQP12N60C транзистор
от 270 руб.
Корпус DIP-16. Драйверы питания транзисторов Дарлингтона представляют собой высоковольтные сильноточные переключающие матрицы, содержащие несколько пар Дарлингтона с открытым коллектором и встроенные подавляющие диоды для индуктивных нагрузок. Максимальный ток каждого в...
ULN2003AN, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА
от 165 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...
Транзистор S8550 (PNP, 1.5А, 25В)
от 167 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток от...
Транзистор BUK456-1000A
от 267 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...
Транзистор BUZ80A
от 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...
Транзистор BUV48B
от 230 руб.
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...
Транзистор 2SD882
от 230 руб.
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=40V, Id=8A, N-channel: Rds(on)=33 mOhm, Pd=20W, P-channel: Rds(on)=50 mOhm, Pd=30W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
AOD606 транзистор
от 254 руб.
Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 8 Статический коэффициент переда...
2SC5707 транзистор
от 192 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов ВС337 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC337-16 схема 2N5818 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet MPSA06 Характеристики транзистора BC337 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не...
BC337 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC337-16 схема 2N5818 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet MPSA06
от 291 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...
Транзисторы IRF730
от 229 руб.
NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR Ucbo=100V, Ic=5A, Pc=65W, Iceo=0,5mA, hfe=1000, complementary PNP type TIP127 Наименование производителя: TIP122 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение кол...
Транзистор TIP122
от 230 руб.
Вы можете купить упаковку 10 шт. полевых транзисторов мосфетов Mosfet IRFZ44N. Мосфет является незаменимым электронным компонентом современных электронных устройств, таких как блоки питания, персональные компьютеры и пр. Характеристики транзистора IRFZ44N. N-канал. Корп...
10 шт. Mosfet irfz44N полевой транзистор / Ардуино Arduino электронный компонент
от 650 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток отк...
Транзистор BUK456-800
от 309 руб.
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.5 ом при 2.7a, 10в Максим...
Транзистор IRF830
от 262 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 H331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N4401 схема MPS2222AG характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N3904 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база,...
2N3904 H 331 транзистор 5 штук TO-92 аналог 2N4401 схема MPS2222AG характеристики ТО-92 цоколевка даташит
от 291 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ44N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1720 схема HUF75321S3S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ44N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затво...
IRFZ44N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1720 схема HUF75321S3S характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 291 руб.
Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21...
Транзистор КТ972Б (упаковка 3 шт)
от 230 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...
Транзистор S9012 (PNP, 0.5А, 20В)
от 128 руб.
Популярные среди сервисных центров по ремонту сварочной и силовой схемотехники N канальные IGBT транзисторы GT50JR22, поставляемые напрямую с завода Toshiba. IGBT транзисторы переводятся как Биполярные Транзисторы с Изолированным Затвором. Они возникли при совмещении би...
GT50JR22 N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba | 2191 Партия A22/129 (07.2021 г. в.)
от 320 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тра...
Транзистор S9012 (PNP, 0.5А, 20В)
от 128 руб.
Максимальная рабочая температура: +150 °C Максимальный непрерывный ток стока: 37 A Тип корпуса: TO-247 Максимальное рассеяние мощности: 357 Вт Минимальная рабочая температура: -55 °C Minimum Gate Threshold Voltage: 3V Максимальное сопротивление сток-исток: 104 mΩ Максим...
Транзистор FCH104N60F
от 1 257 руб.
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...
Транзистор BFW16A (NPN, 0.3А, 25В)
от 149 руб.
Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5...
Транзистор IRF9620
от 230 руб.
N 30V 100A 5.3mOm
Транзисторы CEP83A3
от 343 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...
Транзистор 2N3906
от 161 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток откр...
Транзистор BUK446-800A
от 338 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор S8050
от 230 руб.
Количество в упаковке: 8 шт
Транзисторы КТ9180В, TO-126, 8 шт
от 449 руб.
Транзисторы ST BF420, TO-92, 10 шт по выгодной цене
Транзисторы ST BF420, TO-92, 10 шт
от 399 руб.
Транзисторы П308М, TO-126, 10шт по выгодной цене
Транзисторы П308М, TO-126, 10шт
от 439 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...
Транзистор 2SC3460
от 247 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 7 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...
Транзистор 2SC3789
от 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Мак...
Транзистор BUH515D
от 236 руб.
В комплекте 2 штуки новых деталей ULN2003A микросхема (2 шт.) SOP-16 аналог LB1233, схема UPA2003C характеристики цоколевка datasheet MC1413L Микросхема ULN2003a — это транзисторная сборка Дарлингтона с выходными ключами повышенной мощности, имеющая на выходах защитные...
ULN2003A микросхема (2 шт.) SOP-16 аналог LB1233, схема UPA2003C характеристики цоколевка datasheet MC1413L
от 391 руб.
Транзисторы КТ961Б, TO-126, 5 шт по выгодной цене
Транзисторы КТ961Б, TO-126, 5 шт
от 420 руб.
Транзисторы КТ940А1 (BF459, BF458,BF422), TO-92, 20шт по выгодной цене
Транзисторы КТ940А1 (BF459, BF458,BF422), TO-92, 20шт
от 599 руб.