Транзисторы дарлингтона

11197 товаров
Вы выбрали: транзисторы дарлингтона x
Сбросить (2)

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 230 руб.
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления мото...

от 230 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222 Характеристики транзистора P2N2222A Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база,...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222 Характеристики транзистора P2N2222A Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 75 В Напряжение эмит...

от 391 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Ac-32857, TIP147T, Транзистор Дарлингтона PNP 100В 10А 125Вт TO-220, ABC, Транзистры биполярные, ABC

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 297 руб.
Ac-32857, TIP147T, Транзистор Дарлингтона PNP 100В 10А 125Вт TO-220, ABC, Транзистры биполярные, ABC

от 297 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Купить ULN2003AN DIP16 Микросхему матричную сборку из семи транзисторов Дарлингтона 500мА Вы можете в нашем магазине с доставкой по России по доступной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 230 руб.
Купить ULN2003AN DIP16 Микросхему матричную сборку из семи транзисторов Дарлингтона 500мА Вы можете в нашем магазине с доставкой по России по доступной цене

от 230 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более:...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 391 руб.
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более:...

от 391 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 напряжение: 60 В ти...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 179 руб.
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 напряжение: 60 В тип: транзистор

от 179 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

ULN2003ADR Микросхема матричная сборка из семи транзисторов Дарлингтона 500мА SO-16 Купить микросхему ULN2003ADR Вы можете в нашем магазине по доступной цене с доставкой по России и странам СНГ

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 225 руб.
ULN2003ADR Микросхема матричная сборка из семи транзисторов Дарлингтона 500мА SO-16 Купить микросхему ULN2003ADR Вы можете в нашем магазине по доступной цене с доставкой по России и странам СНГ

от 225 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Микросхема для импульсных источников питания. Партномер ULN2004AN. количество в упаковке: 1 шт. тип: микросхема

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 235 руб.
Микросхема для импульсных источников питания. Партномер ULN2004AN. количество в упаковке: 1 шт. тип: микросхема

от 235 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Микросхема для импульсных источников питания. Партномер ULN2004AN

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 235 руб.
Микросхема для импульсных источников питания. Партномер ULN2004AN

от 235 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

ULN2004ADR Микросхема из семи транзисторов Дарлингтона 500мА SO-16 по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 225 руб.
ULN2004ADR Микросхема из семи транзисторов Дарлингтона 500мА SO-16 по выгодной цене

от 225 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

ULN2003AN DIP16 Микросхема из семи транзисторов Дарлингтона 500мА по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 230 руб.
ULN2003AN DIP16 Микросхема из семи транзисторов Дарлингтона 500мА по выгодной цене

от 230 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Ac-32860, TIP102, NPN составной Дарлингтон транзистор с шунтирующими резисторами, 80Вт, TO-220, ABC, Транзистры биполярные, ABC

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 235 руб.
Ac-32860, TIP102, NPN составной Дарлингтон транзистор с шунтирующими резисторами, 80Вт, TO-220, ABC, Транзистры биполярные, ABC

от 235 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro тип: тран...

5 1 отзыв
от 368 руб.
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro тип: транзистор
1 отзыв

от 368 руб.

Посмотреть

Ac-39832, ULN2003AN, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, DIP-16, ABC, Микросхемы, Транзисторные сборки Дарлингтона, ABC количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 235 руб.
Ac-39832, ULN2003AN, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, DIP-16, ABC, Микросхемы, Транзисторные сборки Дарлингтона, ABC количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 235 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов BD135 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог BD137 схема BD165 характеристики цоколевка datasheet MJE722 Характеристики транзистора BD135 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более:...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов BD135 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог BD137 схема BD165 характеристики цоколевка datasheet MJE722 Характеристики транзистора BD135 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 45 В Напряжение эмиттер-база,...

от 391 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ34N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1115 схема BUZ101S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ34N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В...

от 367 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ34N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1115 схема BUZ101S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ34N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состо...

от 367 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...

от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Макс...

от 230 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3400 A09T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема FDN339AN аналог SN74LVC1G125DBVR характеристики цоколевка datasheet А09Т MOSFET A03400 Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF_A09T Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальн...

от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3400 A09T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема FDN339AN аналог SN74LVC1G125DBVR характеристики цоколевка datasheet А09Т MOSFET A03400 Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF_A09T Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd):...

от 291 руб.

Посмотреть

IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал​ Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500​ Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8​ Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В 20 Сопротивление канала в откры...

от 245 руб.
IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал​ Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500​ Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8​ Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) п...

от 245 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

от 373 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Макс...

от 373 руб.

Посмотреть

TIP142T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT63B схема BDW42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP142T Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более...

5 1 отзыв
от 391 руб.
TIP142T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT63B схема BDW42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP142T Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более...
1 отзыв

от 391 руб.

Посмотреть

Ac-39833, ULN2003AFWG, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА SO-16, ABC, Микросхемы, Транзисторные сборки Дарлингтона, ABC

от 235 руб.
Ac-39833, ULN2003AFWG, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА SO-16, ABC, Микросхемы, Транзисторные сборки Дарлингтона, ABC

от 235 руб.

Посмотреть

Транзистор 2N7000 N, 60В, 0.4А, TO-92 Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) - 1 Вт. Максимальный постоянный ток истока IDmax - 0,35А Максимальное напряжение сток-исток UDSmax - 60В. Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax - ±18В. тип: транзистор

от 181 руб.
Транзистор 2N7000 N, 60В, 0.4А, TO-92 Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) - 1 Вт. Максимальный постоянный ток истока IDmax - 0,35А Максимальное напряжение сток-исток UDSmax - 60В. Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax - ±18В. тип: транзистор

от 181 руб.

Посмотреть

Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...

от 230 руб.
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи тока - 8МГц. Максимальное нап...

от 230 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF540N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1116 схема HUF75623P3 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF540N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затво...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF540N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1116 схема HUF75623P3 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF540N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открыт...

от 391 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов B772P транзистор (2 шт.) TO-126 аналог B772 схема 2SB743 характеристики цоколевка datasheet 2SB744 Характеристики транзистора B772P Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов B772P транзистор (2 шт.) TO-126 аналог B772 схема 2SB743 характеристики цоколевка datasheet 2SB744 Характеристики транзистора B772P Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-баз...

от 391 руб.

Посмотреть

Тип: Электронные компоненты

от 446 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 446 руб.

Посмотреть

Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимальн...

5 2 отзыва
от 391 руб.
Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллек...
2 отзыва

от 391 руб.

Посмотреть

Ac-31437, BU808DFI, Транзистор NPN DARLINGTON, высоковольтный, сопротивление Э-Б от 40 Ом ISOWATT-218, ABC, Тразисторы биполярные (BJTs), Vishay количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 312 руб.
Ac-31437, BU808DFI, Транзистор NPN DARLINGTON, высоковольтный, сопротивление Э-Б от 40 Ом ISOWATT-218, ABC, Тразисторы биполярные (BJTs), Vishay количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 312 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не...

от 381 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмитте...

от 381 руб.

Посмотреть

Ac-32861, TIP127, Транзистор PNP Darlington 100В 5А 2Вт TO-220, ABC, Транзистры биполярные, ABC

от 235 руб.
Ac-32861, TIP127, Транзистор PNP Darlington 100В 5А 2Вт TO-220, ABC, Транзистры биполярные, ABC

от 235 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC559 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC558 схема BC556 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС559 Характеристики транзистора BC 559 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не бо...

от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC559 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC558 схема BC556 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС559 Характеристики транзистора BC 559 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -30 В Напряжение эмиттер-...

от 391 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipatio...

3 1 отзыв
от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Case Sty...
1 отзыв

от 391 руб.

Посмотреть

Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...

5 1 отзыв
от 149 руб.
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic)...
1 отзыв

от 149 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420...

от 180 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420…800 Граничная частота коэффиц...

от 180 руб.

Посмотреть

Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...

от 499 руб.
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодо...

от 499 руб.

Посмотреть

Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность колле...

от 220 руб.
Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность коллектора: 0.25 Вт. Корпус: TO-92....

от 220 руб.

Посмотреть

Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...

от 1 800 руб.
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип корп...

от 1 800 руб.

Посмотреть

Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...

от 550 руб.
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибким...

от 550 руб.

Посмотреть

IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...

5 6 отзывов
от 701 руб.
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой транзистор управляет мощным бипо...
6 отзывов

от 701 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене

от 420 руб.
Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене

от 420 руб.

Посмотреть

Кремниевые высоковольтные планарно-эпитаксиальные р-п-р транзисторы средней мощности КT644A, КT644Б, КТ644В, КТ644Г предназначены для применения в схемах усиления и переключения радиоэлектронной аппаратуры. Размеры кристалла 0,6 х 0,6 мм. Маркировка транзисторов в соотв...

от 230 руб.
Кремниевые высоковольтные планарно-эпитаксиальные р-п-р транзисторы средней мощности КT644A, КT644Б, КТ644В, КТ644Г предназначены для применения в схемах усиления и переключения радиоэлектронной аппаратуры. Размеры кристалла 0,6 х 0,6 мм. Маркировка транзисторов в соответствии с техническими условия...

от 230 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 420 руб.
Тип: транзистор

от 420 руб.

Посмотреть

Варианты: Режим усиления Ток стока: 4.0 А Полярность: N Тип корпуса: TO-220 Рабочая температура: -55.150 °C Время восстановления: 1200 nstyp Сопротивление включения: 2.5 Ω Питающее напряжение стока: 600 В Рабочая температура, мин -55 °C Рабочая температура, макс 150 °C...

от 585 руб.
Варианты: Режим усиления Ток стока: 4.0 А Полярность: N Тип корпуса: TO-220 Рабочая температура: -55.150 °C Время восстановления: 1200 nstyp Сопротивление включения: 2.5 Ω Питающее напряжение стока: 600 В Рабочая температура, мин -55 °C Рабочая температура, макс 150 °C Рассеяние мощности: 100 Вт ти...

от 585 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт по выгодной цене

от 409 руб.
Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт по выгодной цене

от 409 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт

от 490 руб.
Количество в упаковке: 5 шт

от 490 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 479 руб.
Тип: транзистор

от 479 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов S8550 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог MPSA92 схема MPSW51G характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8550 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более...

от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8550 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог MPSA92 схема MPSW51G характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8550 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-баз...

от 291 руб.

Посмотреть

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 230 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 75 Граничная...

от 230 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

от 459 руб.
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

от 459 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 80 Максимальное напр...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 80 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс,...

от 391 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 20 шт

от 599 руб.
Количество в упаковке: 20 шт

от 599 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт

от 599 руб.
Количество в упаковке: 5 шт

от 599 руб.

Посмотреть

Транзисторы ГТ403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппарат...

от 254 руб.
Транзисторы ГТ403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпуска...

от 254 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт

от 669 руб.
Количество в упаковке: 5 шт

от 669 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов L7905CV транзистор (2 шт.) TO-220 аналог KA7905 схема TA79005P характеристики цоколевка datasheet ВТА06 Микросхема L7905CV представляет собой стабилизатор напряжения с выходным напряжением -5,0 В отрицательной полярности. Предназна...

от 291 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов L7905CV транзистор (2 шт.) TO-220 аналог KA7905 схема TA79005P характеристики цоколевка datasheet ВТА06 Микросхема L7905CV представляет собой стабилизатор напряжения с выходным напряжением -5,0 В отрицательной полярности. Предназначена для стабилизации отрицате...

от 291 руб.

Посмотреть

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 300 В, 15 Вт, 500 мА, 240 hFE тип: транзистор

от 230 руб.
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 300 В, 15 Вт, 500 мА, 240 hFE тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

MOSFET транзистор IRF640N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 200 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 18 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 0.15 ОмМаксимальная рассеиваемая мощност...

от 232 руб.
MOSFET транзистор IRF640N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 200 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 18 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 0.15 ОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 150 ВтКрутизна характеристи...

от 232 руб.

Посмотреть

N-Channel QFET MOSFET, Vdss=600V, Id=12A, Rds(on)=0,65 Ohm, Pd=225W

от 270 руб.
N-Channel QFET MOSFET, Vdss=600V, Id=12A, Rds(on)=0,65 Ohm, Pd=225W

от 270 руб.

Посмотреть

Корпус DIP-16. Драйверы питания транзисторов Дарлингтона представляют собой высоковольтные сильноточные переключающие матрицы, содержащие несколько пар Дарлингтона с открытым коллектором и встроенные подавляющие диоды для индуктивных нагрузок. Максимальный ток каждого в...

от 165 руб.
Корпус DIP-16. Драйверы питания транзисторов Дарлингтона представляют собой высоковольтные сильноточные переключающие матрицы, содержащие несколько пар Дарлингтона с открытым коллектором и встроенные подавляющие диоды для индуктивных нагрузок. Максимальный ток каждого выхода составляет 500 мА или вы...

от 165 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

5 1 отзыв
от 167 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное...
1 отзыв

от 167 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток от...

от 267 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) тип...

от 267 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.8 A Ма...

от 230 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...

от 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток колле...

от 230 руб.

Посмотреть

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...

от 230 руб.
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Максимальное напряжение коллектор-б...

от 230 руб.

Посмотреть

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=40V, Id=8A, N-channel: Rds(on)=33 mOhm, Pd=20W, P-channel: Rds(on)=50 mOhm, Pd=30W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 254 руб.
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=40V, Id=8A, N-channel: Rds(on)=33 mOhm, Pd=20W, P-channel: Rds(on)=50 mOhm, Pd=30W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 254 руб.

Посмотреть

Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 8 Статический коэффициент переда...

5 2 отзыва
от 192 руб.
Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200 560 Грани...
2 отзыва

от 192 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов ВС337 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC337-16 схема 2N5818 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet MPSA06 Характеристики транзистора BC337 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не...

от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов ВС337 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC337-16 схема 2N5818 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet MPSA06 Характеристики транзистора BC337 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмитте...

от 291 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

от 229 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Ма...

от 229 руб.

Посмотреть

NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR Ucbo=100V, Ic=5A, Pc=65W, Iceo=0,5mA, hfe=1000, complementary PNP type TIP127 Наименование производителя: TIP122 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение кол...

от 230 руб.
NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR Ucbo=100V, Ic=5A, Pc=65W, Iceo=0,5mA, hfe=1000, complementary PNP type TIP127 Наименование производителя: TIP122 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcи...

от 230 руб.

Посмотреть

Вы можете купить упаковку 10 шт. полевых транзисторов мосфетов Mosfet IRFZ44N. Мосфет является незаменимым электронным компонентом современных электронных устройств, таких как блоки питания, персональные компьютеры и пр. Характеристики транзистора IRFZ44N. N-канал. Корп...

5 3 отзыва
от 650 руб.
Вы можете купить упаковку 10 шт. полевых транзисторов мосфетов Mosfet IRFZ44N. Мосфет является незаменимым электронным компонентом современных электронных устройств, таких как блоки питания, персональные компьютеры и пр. Характеристики транзистора IRFZ44N. N-канал. Корпус - TO-220AB. Напряжение проб...
3 отзыва

от 650 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток отк...

от 309 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) тип:...

от 309 руб.

Посмотреть

Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.5 ом при 2.7a, 10в Максим...

5 1 отзыв
от 262 руб.
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.5 ом при 2.7a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность P...
1 отзыв

от 262 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 H331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N4401 схема MPS2222AG характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N3904 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база,...

5 1 отзыв
от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 H331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N4401 схема MPS2222AG характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N3904 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмит...
1 отзыв

от 291 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ44N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1720 схема HUF75321S3S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ44N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затво...

от 291 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ44N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1720 схема HUF75321S3S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ44N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открыт...

от 291 руб.

Посмотреть

Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21...

от 230 руб.
Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750 Граничная частота ко...

от 230 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 20 V Предельное постоя...

от 128 руб.

Посмотреть

Популярные среди сервисных центров по ремонту сварочной и силовой схемотехники N канальные IGBT транзисторы GT50JR22, поставляемые напрямую с завода Toshiba. IGBT транзисторы переводятся как Биполярные Транзисторы с Изолированным Затвором. Они возникли при совмещении би...

5 6 отзывов
от 320 руб.
Популярные среди сервисных центров по ремонту сварочной и силовой схемотехники N канальные IGBT транзисторы GT50JR22, поставляемые напрямую с завода Toshiba. IGBT транзисторы переводятся как Биполярные Транзисторы с Изолированным Затвором. Они возникли при совмещении биполярного и полевого транзисто...
6 отзывов

от 320 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тра...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 20 V Предельное пост...

от 128 руб.

Посмотреть

Максимальная рабочая температура: +150 °C Максимальный непрерывный ток стока: 37 A Тип корпуса: TO-247 Максимальное рассеяние мощности: 357 Вт Минимальная рабочая температура: -55 °C Minimum Gate Threshold Voltage: 3V Максимальное сопротивление сток-исток: 104 mΩ Максим...

от 1 257 руб.
Максимальная рабочая температура: +150 °C Максимальный непрерывный ток стока: 37 A Тип корпуса: TO-247 Максимальное рассеяние мощности: 357 Вт Минимальная рабочая температура: -55 °C Minimum Gate Threshold Voltage: 3V Максимальное сопротивление сток-исток: 104 mΩ Максимальное напряжение сток-исток:...

от 1 257 руб.

Посмотреть

Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...

5 1 отзыв
от 149 руб.
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic)...
1 отзыв

от 149 руб.

Посмотреть

Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5...

от 230 руб.
Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A Максимальная температура кан...

от 230 руб.

Посмотреть

N 30V 100A 5.3mOm

от 343 руб.
N 30V 100A 5.3mOm

от 343 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...

от 161 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 V Предельное посто...

от 161 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток откр...

от 338 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) тип:...

от 338 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 8 шт

от 449 руб.
Количество в упаковке: 8 шт

от 449 руб.

Посмотреть

Транзисторы ST BF420, TO-92, 10 шт по выгодной цене

от 399 руб.
Транзисторы ST BF420, TO-92, 10 шт по выгодной цене

от 399 руб.

Посмотреть

Транзисторы П308М, TO-126, 10шт по выгодной цене

от 439 руб.
Транзисторы П308М, TO-126, 10шт по выгодной цене

от 439 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...

от 247 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток колле...

от 247 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 7 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...

от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 7 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 320 Граничная ча...

от 230 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Мак...

от 236 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток колле...

от 236 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых деталей ULN2003A микросхема (2 шт.) SOP-16 аналог LB1233, схема UPA2003C характеристики цоколевка datasheet MC1413L Микросхема ULN2003a — это транзисторная сборка Дарлингтона с выходными ключами повышенной мощности, имеющая на выходах защитные...

5 1 отзыв
от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых деталей ULN2003A микросхема (2 шт.) SOP-16 аналог LB1233, схема UPA2003C характеристики цоколевка datasheet MC1413L Микросхема ULN2003a — это транзисторная сборка Дарлингтона с выходными ключами повышенной мощности, имеющая на выходах защитные диоды, которые предназначены д...
1 отзыв

от 391 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ961Б, TO-126, 5 шт по выгодной цене

от 420 руб.
Транзисторы КТ961Б, TO-126, 5 шт по выгодной цене

от 420 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ940А1 (BF459, BF458,BF422), TO-92, 20шт по выгодной цене

от 599 руб.
Транзисторы КТ940А1 (BF459, BF458,BF422), TO-92, 20шт по выгодной цене

от 599 руб.

Посмотреть

Рубрика транзисторы дарлингтона содержит 11197 товаров, которые продаются в 56 магазинах по цене от 5 руб. до 19600 руб.
Новые категории
Может быть интересно
Почитайте отзывы покупателей на товары
Отзывы на электронные модули Отзывы на электронные модули стиральных машин Отзывы на регулятор мощности, напряжения переменного тока gsmin ak76 (220в, 50-220в, 2000w) диммер (зеленый)