Транзисторы МП

МП25 Транзисторы МП25 германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Комплект из 10-и BC847C,215, транзистор биполярный кремниевый NPN 45В 0.1А 0.25Вт. Коэффициент усиления hFE мин. 420 Корпус SOT-23-3 (TO-236-3) Упаковка REEL, 3000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) количество в упаковке: 10 шт. тип: транзистор биполярный кр...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открыт...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы МП16А германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные. Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов. Основные технические характеристики транзистора МП16А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянн...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор МП38 2шт по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки новых транзисторов D209L транзистор (2 шт.) TO-247 TO-3P аналог MJE13009 схема 2SC3320 характеристики цоколевка datasheet микросхема D209L применяется в различных переключающих схемах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы МП14 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках. Основные технические характеристики т...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая: 200 мВт Частота: коэффициента передачи тока предельная: не менее 1 МГц Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Ток: коллектора обратный: не более 25 мкА Коэффициент: передачи тока статический: 20-35 Сопротивление: насы...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

В комплекте 5 штук новых транзисторов Z0607MA транзистор (5 шт.) симистор TO92 аналог AC0V8DGM схема MAC97-4 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet SM1G43 Триаки 0.8 Amp 600 Volt Технические параметры Конфигурация single Тип симистора logic-sensitive gate Максимальное...

Транзистор МП26Б 2шт по выгодной цене

Конфигурация: p-n-p Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Максимальный ток: коллектора импульсный: 300 мА Напряжение: пробивное коллектор-база: 50 В Мощность: рассеиваемая: 150 мВт Коэффициент: передачи тока статический: 20-60 Ток: коллектора обратный: 50 мкА...

MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro тип: тран...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не...

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222 Характеристики транзистора P2N2222A Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база,...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC807-25 5B транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема BCW68 аналог BCX17 характеристики цоколевка datasheet MOSFET ВС807-25 5В Характеристики транзистора BC807-25 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В Напряжение кол...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 80 Максимальное напр...

В комплекте 5 штук новых транзисторов СМД SOT-23 BC817-40 6C транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог BCW66H схема FMMT619 характеристики цоколевка datasheet FMMTA05 6С Характеристики транзистора ВС817-40 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряже...

N Channel, Id=140A, Vds=75V, Rds(on)=0.007ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпус-TO-220AB-3, t-175°C тип: транзистор

IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал​ Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500​ Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8​ Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В 20 Сопротивление канала в откры...

TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более:...

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=30V, Id=4,1A, Pd=1,4W, Rds(on)=52 mOhm

IRF4905PBF - Транзистор полевой P-канальный. Макс. напряжение сток-исток - 55В. Ток стока - 74А. Макс. мощность рассеивания - 200Вт. Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Максимальный ток: d - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 74 А Тип: МОП - Транзист...

В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не боле...

FGA60N65SMD, IGBT, 650V, 120A, TO-3PN Корпус TO3P Наименование: FGA60N65SMD Тип транзистора: IGBT Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 600 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650 Напряжение насыщения коллектор-...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF530N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF530N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В С...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC817-25 6B транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема BCW66 аналог FMMT620 характеристики цоколевка datasheet MOSFET ВС807-25 5В Характеристики транзистора BC817-25 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение ко...

Тип: Электронные компоненты

П701 Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе жесткими вывод...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-...

2N7002LT1 SOT23 Технические параметры Структура N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 0.115 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл, мОм 7500 М...

Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваема...

В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 D331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SD471A схема KSC1008 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 8050 Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база,...

Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) - это мощный NPN транзистор, который используется в схемах управления мощными нагрузками, такими как электродвигатели, лампы и т. д. Он имеет максимальное напряжение до 400 В и максимальный ток до 8 А. Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) имее...

Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открыт...

N Channel, Id=209A, Vds=75V, Rds(on)=0.0045ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпусTO-247AC-3, t-175°C

Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент усиления транзист...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420...

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...

Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...

В комплекте 5 штук новых транзисторов S9018 J8 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог С9018 схема KTC9019 характеристики цоколевка datasheet S9018 относятся к малошумящим (NC до 4,0 дБ) широкополосным транзисторам. Типовая граничная частота коэффициента передачи тока наход...

Напряжение сток-исток Uси (max): 60В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max) тип: транзистор

В комплекте 5 штук новых транзисторов BS170FTA MV транзистор (5 шт.) SOT23 SMD схема DMG6968U-7 характеристики 2N6660 цоколевка SOT-23-3 datasheet N-MOSFET BS170FTA, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3] Наименование прибора: BS170FTA Маркировка: MV Тип транзис...

Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 напряжение: 60 В ти...

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 110 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.008 ом при 62a, 10в Макси...

Модуль управления MOSFET MOS развязкой по оптопаре и транзистором AOD4184 (40В, 50А) MS011 (Черный) - это мощное устройство, которое позволяет контролировать передачу электрического сигнала между двумя устройствами, используя оптопару и транзистор. Этот модуль обеспечив...

В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2302 маркировка...

В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки LR7843 транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог CSD17559Q5T (TI) схема AUIRFB8409 (INFIN) характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET Наименование прибора: IRLR7843 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеи...

Йств Технические параметры Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ, В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. тип: транзистор

Транзистор 2N7000 N, 60В, 0.4А, TO-92 Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) - 1 Вт. Максимальный постоянный ток истока IDmax - 0,35А Максимальное напряжение сток-исток UDSmax - 60В. Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax - ±18В. тип: транзистор

В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3400 A09T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема FDN339AN аналог SN74LVC1G125DBVR характеристики цоколевка datasheet А09Т MOSFET A03400 Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF_A09T Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальн...

Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...

Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...

Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...

2SJ6920 Биполярный транзистор 20А, 3МГц, 200В Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 1700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 20 Ст...

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 1AM транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог FMMT2222AR схема KTN2222AS характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не бол...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3710 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог HUF75639P3 схема STP40NF10 характеристики цоколевка datasheet MOSFET STP50NE10 Характеристики транзистора IRF3710 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжен...

Тип транзистора: IGBT Маркировка: 50T65FD1 Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 235 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20 Максимальный постоянный то...

В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2306 A6SHB транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема AFN2302S аналог AM2306N характеристики цоколевка datasheet AP2302AGN SI2306DS Транзистор полевой Маркировка A6SHB Структура N-канал Напряжение Сток-Исток 30В Максимальный ток Стока (25°С...

В комплекте 2 штуки новых деталей B772 транзистор (2 шт.) SOT-89 SMD аналог BD132 схема BD186 характеристики цоколевка datasheet 2SB772 Характеристики транзистора 2SB772 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более:...

IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Количество в упаковке: 4 шт

Конструктор не сложного в сборке Усилителя на транзисторах TIP120 и TIP125 и ОУ TL081. количество в упаковке: 1шт. напряжение: 15 тип: плата SMD-корпус: да

Транзистор 13003 в корпусе ТО-126 тип: транзистор

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

SPA20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)

Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

Корпус DIP4, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 35 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ. Технические параметры: Количество каналов - 1​ Напряжение изоляции (RMS), В 5000 ​Коэффициент передачи по току (Min)...

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене

Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси максА 18 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи максВ 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.15 Ом/11А, 10В Максимальная ра...

Производитель STMicroelectronics Серия PowerMESH ™ II Упаковочная трубка Статус детали Устаревший N-канальный полевой транзистор типа FET Технология MOSFET (оксид металла) Напряжение слива к источнику (Vdss) 500 В Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C 8A (Tc) Напряжение...

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор - база: 75V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база: 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W Граничная частот...

Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21...

Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 70 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц 20 Максимальная рассеиваемая мощ...

Тип: транзистор

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная тем...

Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 74 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.02 Ом/38А, 10В Максимальная...

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2907 2F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N2907 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40 В Напряжение коллектор-база Uкбо (m...

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...

Корпус DIP4, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 35 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ. Технические параметры: Количество каналов - 1​ Напряжение изоляции (RMS), В 5000 ​Коэффициент передачи по току (Min)...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF520N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1927 схема IRFW520A характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF520N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора...

Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Основные технические характеристики транзистора П214А: •...

Полевой транзистор SMK0760 в корпусе GD TO-220F-3L Полярность: N Максимальное напряжение сток-исток - 600V Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии - 1Ohm Максимальный ток - 7A Максимальный импульсный ток - 28A Ток утечки сток-исток (max) - 1mkA Пороговое нап...

Описание Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-pa...

Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5...