Транзистор 2n5551

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5551 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N5551G схема 2N5833 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, н...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5551 G1 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог MMBT5551 схема KST5551 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: Электронные компоненты

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открыт...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N7000 CXE транзистор (5 шт.) TO-92 аналог BS170 схема BSS138 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet N-канальный полевой транзистор 2N7000, как указано в его технических характеристиках, идеально подходят для широкого спектра устр...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Биполярный транзистор, характеристики NPN 160В/ 0.6A/1.5 Вт, Кус=60...250 f=300МГц

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка 2N5551, цена от 14 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Описание Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250 Технические параметры Структура -- npn Макс....

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Технические параметры Корпус TO92-3 Тип упаковки Bulk (россыпь) Нормоупаковка 1000 шт. Вес брутто 0.2 г. Тип транзистора NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс 160V Ток коллектора Макс. 600mA Мощность Макс

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Ac-40388, MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, SOT-23, ABC, Транзистры биполярные, ABC,, MMBT5551LT1G MMBT5551 СОТ-23 2N5551 SMD Силовые транзисторы NPN транзисторный Триод 5551 Mark G1 количество в упаковке: 1 шт

В комплекте 10 штук новых транзисторов 2N5401B 331 транзистор (10 шт.) TO-92 2SA709 схема 2N5551 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 5401В Характеристики транзистора 2N5401 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В Напряжение коллектор-база,...

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

Набор электронных компонентов 1900 шт резисторы, 1000 шт 1/4w 1%, 50 видов по 20 шт 0Ω, 0.5Ω, 1Ω, 2.2Ω, 3.3Ω, 4.7Ω, 5.6Ω, 6.8Ω, 8.2Ω, 10Ω, 22Ω, 33Ω, 47Ω, 56Ω, 68Ω, 82Ω, 100Ω, 220Ω, 330Ω, 470Ω, 560Ω, 680Ω, 820Ω 1K, 2.2K, 3.3K, 4.7K, 5.6K, 6.8K, 8.2K, 10K, 20K, 33K, 47K,...

TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более:...

Описание Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor Технические параметры Технология/семейство field stop Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А 180 Напряжение насыщения при номи...

Транзистор 2N7000 N, 60В, 0.4А, TO-92 Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) - 1 Вт. Максимальный постоянный ток истока IDmax - 0,35А Максимальное напряжение сток-исток UDSmax - 60В. Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax - ±18В. тип: транзистор

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность колле...

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222 Характеристики транзистора P2N2222A Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база,...

FGA60N65SMD, IGBT, 650V, 120A, TO-3PN Корпус TO3P Наименование: FGA60N65SMD Тип транзистора: IGBT Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 600 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650 Напряжение насыщения коллектор-...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ34N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1115 схема BUZ101S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ34N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В...

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...

Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 110 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.008 ом при 62a, 10в Макси...

TIP142T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT63B схема BDW42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP142T Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более...

В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки LR7843 транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог CSD17559Q5T (TI) схема AUIRFB8409 (INFIN) характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET Наименование прибора: IRLR7843 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеи...

IGBT, DC=60A, Vce(on)=1.9V, Pd=208W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247-3, tmax-150°C

Тип: Электронные компоненты

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF540N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1116 схема HUF75623P3 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF540N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затво...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не...

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...

В комплекте 5 штук новых транзисторов SS8050 Y1 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1036 схема 2SA1182 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Y-1 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не боле...

В комплекте 5 штук новых транзисторов SS8550 Y2 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1037 схема 2SA1620 характеристики цоколевка datasheet SS8550 Транзистор PNP 25В 1.5А sot23 Описание и характеристики SS8550 Структура - p-n-p Артикул: TRN025 Напряжение коллектор-эмит...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…50...

Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент усиления транзист...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF530N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF530N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В С...

Транзистор оригинальный. Заводского качества. Фото НЕ из интернета! Архитектура: MOSFET Проводимость: n-p-n

В комплекте 5 штук новых транзисторов СМД SOT-23 BC817-40 6C транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог BCW66H схема FMMT619 характеристики цоколевка datasheet FMMTA05 6С Характеристики транзистора ВС817-40 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряже...

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2907 2F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N2907 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40 В Напряжение коллектор-база Uкбо (m...

В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3400 A09T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема FDN339AN аналог SN74LVC1G125DBVR характеристики цоколевка datasheet А09Т MOSFET A03400 Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF_A09T Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальн...

Ac-38717, 5503DM, Транзистор N-канальный, TO-263, ABC, Транзисторы, Биполярные с изолированным затвором (IGBTs), ON Semiconductor,, NP-FET SMD 5503DM orig TO263 (блок управления двигателем Форд/FORD) драйвер катушек зажигания Авто блок управл. двигателем Силовой драйвер...

В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 D331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SD471A схема KSC1008 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 8050 Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база,...

Характеристики транзистора MMBT5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт Коэф...

В комплекте 5 штук новых транзисторов 7002 транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2N7002 аналог MMBT2907A характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Н...

Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

В ----->комплекте MDF13N65B транзистор (1 шт.) TO-220F Наименование прибора: MDF13N65B MOSFET Замена для: FQP4N60C FQP5N50C FQP5N60C FQP6N60C FQP7N60C FQP8N60C FQP9N60C FQP10N60C FQP11N60C FQP12N60C Технические параметры Корпус TO-220F Напряжение исток-сток макс. 650В Т...

Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...

Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...

N Channel, Id=60A, Vds=60V, Rds(on)=0.016ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=1V, Pd=110W, корпус-TO-220-3, t-175°C Структура: n-канал ​Максимальное напряжение сток-исток Uси, В: 60 ​Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А: 60​ Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В...

Тип транзистора: IGBT Маркировка: 50T65FD1 Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 235 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20 Максимальный постоянный то...

Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...

Транзистор IRFZ44NPBF N-канал 55В 41А [TO-220AB] Технические характеристики: Структура: n-канал​ Максимальное напряжение сток-исток Uси, В: 60 ​Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А: 50 ​Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В: 20 Сопротивление канал...

2SJ6920 Биполярный транзистор 20А, 3МГц, 200В Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 1700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 20 Ст...

IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...

Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 300(500) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваем...

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки усилителя моно AX6 мощностью 50 - 60Вт на транзисторах 2N3773 обладающим мягким звучанием, в корпусе TO-3. На плате могут быть ошибки разводки. Сборку осуществляете самостоятельно без сопровождения. тип: Электронные компон...

Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не боле...

Тип транзистора: IGBT Маркировка: H20R1203 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 310 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic|@25℃, A: 40 Напряжение насыщения кол...

Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...

Транзисторы проверены на стенде. Партия 9202 Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Граничная частота коэффициента передачи т...

IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А. Технические характеристики: Структура: n-канал ​Максимальное напряжение сток-исток Uси, В: 100 ​Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А: 33​ Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В: 20 Сопротивление канала в от...

Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси максА 18 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи максВ 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.15 Ом/11А, 10В Максимальная ра...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ46N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1542 схема BUZ102S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ46N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 2...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Тип: транзистор

Корпус: SOT-23-5 тип: микросхема

В комплекте 5 штук новых транзисторов BS170FTA MV транзистор (5 шт.) SOT23 SMD схема DMG6968U-7 характеристики 2N6660 цоколевка SOT-23-3 datasheet N-MOSFET BS170FTA, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3] Наименование прибора: BS170FTA Маркировка: MV Тип транзис...

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc, max 350mW Ucb, max 50V Uce, max 45V Ueb, max 5V Ic, max 100mA Tj, max 150єC Ft, max 300MHz Cctip, pF 4 Hfe 110MIN Производитель CDIL Caps TO236 Применение Low Power, General Purpose Аналоги: BFS36, 2N1964, BC547A,...

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Характеристики транзистора TIP117 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффи...

Производитель STMicroelectronics Серия PowerMESH ™ II Упаковочная трубка Статус детали Устаревший N-канальный полевой транзистор типа FET Технология MOSFET (оксид металла) Напряжение слива к источнику (Vdss) 500 В Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C 8A (Tc) Напряжение...

Транзистор 2SD1398 TO-3P(N), RF & microwave transistor 850-960 MHz applications, 24 volts, 53W по выгодной цене

Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...

Напряжение сток-исток Uси (max): 60В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max) тип: транзистор

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор - база: 75V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база: 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W Граничная частот...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...

Набор транзисторов в корпусе TO-92. 10 видов по 20 шт каждого. В комплекте: BC337 BC327 2N2222 2N2907 2N3904 2N3906 S8050 S8550 A1015 C1815 количество в упаковке: 20 шт. тип: транзистор

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5401 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2SA709 схема 2N5551 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5401 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В Напряжение коллектор-база, н...

N-channel Logic Level Enhancement mode OptiMOS Power-Transistor,Vds=55V, Id=30A, Rds(on)=35 mOhm, Ptot=68W

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 180 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 160 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 5...

Ac-38987, 2N5551, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт TO-92, ABC, Тразисторы биполярные (BJTs), ABC

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=60V, Id=75A, Pd=150W, Rds(on)=13 mOhm

В комплекте 5 штук новых транзисторов ВС337 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC337-16 схема 2N5818 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet MPSA06 Характеристики транзистора BC337 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не...