Mosfet транзистор

11610 товаров
Вы выбрали: Mosfet транзистор x
Сбросить (2)

Драйвер на базе 2-х MOSFET транзисторов D4184. Позволяет получить ШИМ до 36В, используется для светодиодных фонарей, двигателей постоянного тока, помп. Характеристики: Рабочее напряжение: 3.3-20В Выходное напряжение: 0-36 В Выходной ток нагрузки: 15А (до 30А при наличии...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

3.2 1 отзыв
от 213 руб.
Драйвер на базе 2-х MOSFET транзисторов D4184. Позволяет получить ШИМ до 36В, используется для светодиодных фонарей, двигателей постоянного тока, помп. Характеристики: Рабочее напряжение: 3.3-20В Выходное напряжение: 0-36 В Выходной ток нагрузки: 15А (до 30А при наличии дополниельного охлаждения) т...
1 отзыв

от 213 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Модуль на базе MOSFET транзистора FR120N с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в не распаянном виде в комплекте с двумя винтовыми клем...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 257 руб.
Модуль на базе MOSFET транзистора FR120N с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в не распаянном виде в комплекте с двумя винтовыми клеммами. Характеристики: Управляю...

от 257 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Модуль на базе MOSFET транзистора LR7843 с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в не распаянном виде в комплекте с двумя винтовыми клем...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 253 руб.
Модуль на базе MOSFET транзистора LR7843 с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в не распаянном виде в комплекте с двумя винтовыми клеммами. Характеристики: Управляю...

от 253 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro тип: тран...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

5 1 отзыв
от 368 руб.
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro тип: транзистор
1 отзыв

от 368 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать ток до 5А, при токе выше 1А к нему требуется по...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Express доставка
5 2 отзыва
от 182 руб.
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать ток до 5А, при токе выше 1А к нему требуется подключать радиатор. Размер: 33*...
2 отзыва

от 182 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Модуль позволяет получить ШИМ до 36В. С помощью данного модуля и контроллера Arduino, можно управлять нагрузкой постоянного тока до 15 А. Управление осуществляется с помощью напряжения от 3.3 до 20 В (обычно используют 5 В), управляемый ток при этом около 15 А. Так-же н...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 376 руб.
Модуль позволяет получить ШИМ до 36В. С помощью данного модуля и контроллера Arduino, можно управлять нагрузкой постоянного тока до 15 А. Управление осуществляется с помощью напряжения от 3.3 до 20 В (обычно используют 5 В), управляемый ток при этом около 15 А. Так-же надо учитывать, что на модуле н...

от 376 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 390 руб.
Тип: транзистор

от 390 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Модуль способен управлять нагрузкой в ШИМ (PWM) режиме. Это означает, что с помощью MOSFET – транзистора в ШИМ – режиме можно управлять яркостью светодиодной ленты, скоростью вращения двигателя или насоса и другими исполнительными устройствами. Отсутствие механических к...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 390 руб.
Модуль способен управлять нагрузкой в ШИМ (PWM) режиме. Это означает, что с помощью MOSFET – транзистора в ШИМ – режиме можно управлять яркостью светодиодной ленты, скоростью вращения двигателя или насоса и другими исполнительными устройствами. Отсутствие механических контактов в данном модуле управ...

от 390 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Модуль способен управлять нагрузкой в ШИМ (PWM) режиме. Это означает, что с помощью MOSFET – транзистора в ШИМ – режиме можно управлять яркостью светодиодной ленты, скоростью вращения двигателя или насоса и другими исполнительными устройствами. Отсутствие механических к...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 390 руб.
Модуль способен управлять нагрузкой в ШИМ (PWM) режиме. Это означает, что с помощью MOSFET – транзистора в ШИМ – режиме можно управлять яркостью светодиодной ленты, скоростью вращения двигателя или насоса и другими исполнительными устройствами. Отсутствие механических контактов в данном модуле управ...

от 390 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Модуль способен управлять нагрузкой в ШИМ (PWM) режиме. Это означает, что с помощью MOSFET – транзистора в ШИМ – режиме можно управлять яркостью светодиодной ленты, скоростью вращения двигателя или насоса и другими исполнительными устройствами. Отсутствие механических к...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 390 руб.
Модуль способен управлять нагрузкой в ШИМ (PWM) режиме. Это означает, что с помощью MOSFET – транзистора в ШИМ – режиме можно управлять яркостью светодиодной ленты, скоростью вращения двигателя или насоса и другими исполнительными устройствами. Отсутствие механических контактов в данном модуле управ...

от 390 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Модуль способен управлять нагрузкой в ШИМ (PWM) режиме. Это означает, что с помощью MOSFET – транзистора в ШИМ – режиме можно управлять яркостью светодиодной ленты, скоростью вращения двигателя или насоса и другими исполнительными устройствами. Отсутствие механических к...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 390 руб.
Модуль способен управлять нагрузкой в ШИМ (PWM) режиме. Это означает, что с помощью MOSFET – транзистора в ШИМ – режиме можно управлять яркостью светодиодной ленты, скоростью вращения двигателя или насоса и другими исполнительными устройствами. Отсутствие механических контактов в данном модуле управ...

от 390 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 56 руб.
Тип: транзистор

от 56 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: Электронные компоненты

от 651 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 651 руб.

Посмотреть

Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать ток до 5А, при токе выше 1А к нему требуется по...

5 2 отзыва
от 199 руб.
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать ток до 5А, при токе выше 1А к нему требуется подключать радиатор. Размер: 33*...
2 отзыва

от 199 руб.

Посмотреть

Ac-40419, STP60NF06, Транзистор, MOSFET, N-канал, 60В, 0.014Ом, 60А TO-220AB, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), ABC,, STP60NF06, P60NF06, STP60NF06L, 60NF06 количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 235 руб.
Ac-40419, STP60NF06, Транзистор, MOSFET, N-канал, 60В, 0.014Ом, 60А TO-220AB, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), ABC,, STP60NF06, P60NF06, STP60NF06L, 60NF06 количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 235 руб.

Посмотреть

Модуль управления MOSFET MOS развязкой по оптопаре и транзистором AOD4184 (40В, 50А) MS011 (Черный) - это мощное устройство, которое позволяет контролировать передачу электрического сигнала между двумя устройствами, используя оптопару и транзистор. Этот модуль обеспечив...

от 247 руб.
Модуль управления MOSFET MOS развязкой по оптопаре и транзистором AOD4184 (40В, 50А) MS011 (Черный) - это мощное устройство, которое позволяет контролировать передачу электрического сигнала между двумя устройствами, используя оптопару и транзистор. Этот модуль обеспечивает надежную и безопасную рабо...

от 247 руб.

Посмотреть

Транзистор полевой N-канальный 25В 5.8А 1.25Вт

от 266 руб.
Транзистор полевой N-канальный 25В 5.8А 1.25Вт

от 266 руб.

Посмотреть

Транзистор (MOSFET) Infineon Technologies [IRLML2060TRPBF] по выгодной цене

от 230 руб.
Транзистор (MOSFET) Infineon Technologies [IRLML2060TRPBF] по выгодной цене

от 230 руб.

Посмотреть

Транзистор IRF1404 TO-220, IRF1404PBF IR MOSFET N-ch 40В 162А по выгодной цене

от 438 руб.
Транзистор IRF1404 TO-220, IRF1404PBF IR MOSFET N-ch 40В 162А по выгодной цене

от 438 руб.

Посмотреть

Модуль Mosfet полевой МОП транзистора AndyKaLab AOD4184-40V 50A - это высокопроизводительный модуль, который обеспечивает быстрый и надежный контроль над силовыми устройствами. Он идеально подходит для управления двигателями, электромагнитными клапанами и другими устрой...

от 275 руб.
Модуль Mosfet полевой МОП транзистора AndyKaLab AOD4184-40V 50A - это высокопроизводительный модуль, который обеспечивает быстрый и надежный контроль над силовыми устройствами. Он идеально подходит для управления двигателями, электромагнитными клапанами и другими устройствами, где требуется высокая...

от 275 руб.

Посмотреть

SM7320 это сдвоенный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) широко используемый в компьютерной индустрии в системах питания GPU, CPU и других DC-DC преобразователях. тип: Электронные компоненты-запчасти

от 430 руб.
SM7320 это сдвоенный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) широко используемый в компьютерной индустрии в системах питания GPU, CPU и других DC-DC преобразователях. тип: Электронные компоненты-запчасти

от 430 руб.

Посмотреть

Модуль на базе MOSFET транзистора D4184 с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в не распаянном виде в комплекте с двумя винтовыми клемм...

от 257 руб.
Модуль на базе MOSFET транзистора D4184 с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в не распаянном виде в комплекте с двумя винтовыми клеммами. Характеристики: Управляющ...

от 257 руб.

Посмотреть

Вы можете купить упаковку 10 шт. полевых транзисторов мосфетов Mosfet IRFZ44N. Мосфет является незаменимым электронным компонентом современных электронных устройств, таких как блоки питания, персональные компьютеры и пр. Характеристики транзистора IRFZ44N. N-канал. Корп...

5 3 отзыва
от 650 руб.
Вы можете купить упаковку 10 шт. полевых транзисторов мосфетов Mosfet IRFZ44N. Мосфет является незаменимым электронным компонентом современных электронных устройств, таких как блоки питания, персональные компьютеры и пр. Характеристики транзистора IRFZ44N. N-канал. Корпус - TO-220AB. Напряжение проб...
3 отзыва

от 650 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых деталей AO4407A транзистор (2 шт.) SOP-8 аналог AM4407P схема AOSP21307 характеристики BSC130P03LSG цоколевка datasheet MOSFET микросхема AO4407A низковольтный кремниевый P-канальный полевой транзистор, разработанный специально с такими характе...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых деталей AO4407A транзистор (2 шт.) SOP-8 аналог AM4407P схема AOSP21307 характеристики BSC130P03LSG цоколевка datasheet MOSFET микросхема AO4407A низковольтный кремниевый P-канальный полевой транзистор, разработанный специально с такими характеристиками, как быстрое время п...

от 391 руб.

Посмотреть

MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность...

от 214 руб.
MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 120 ВтКрутизна характеристик...

от 214 руб.

Посмотреть

Модуль с распаянным MOSFET транзистором IRF520 (n-канал). Модуль позволяет управлять нагрузкой с током до 10 А. Несмотря на это, при токе выше 1А к нему требуется подключать радиатор. Модуль IRF520N управляться любым микроконтроллером с рабочим напряжением 5 В. Для упра...

5 3 отзыва
от 198 руб.
Модуль с распаянным MOSFET транзистором IRF520 (n-канал). Модуль позволяет управлять нагрузкой с током до 10 А. Несмотря на это, при токе выше 1А к нему требуется подключать радиатор. Модуль IRF520N управляться любым микроконтроллером с рабочим напряжением 5 В. Для управления нагрузкой на вход модул...
3 отзыва

от 198 руб.

Посмотреть

Транзистор (MOSFET) JCET [BSS123

от 210 руб.
Транзистор (MOSFET) JCET [BSS123

от 210 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF530N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF530N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В С...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF530N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF530N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоя...

от 391 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipatio...

4.5 1 отзыв
от 291 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Case Sty...
1 отзыв

от 291 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки LR7843 транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог CSD17559Q5T (TI) схема AUIRFB8409 (INFIN) характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET Наименование прибора: IRLR7843 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеи...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки LR7843 транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог CSD17559Q5T (TI) схема AUIRFB8409 (INFIN) характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET Наименование прибора: IRLR7843 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Пр...

от 391 руб.

Посмотреть

Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открыт...

Express доставка
от 170 руб.
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открытом состоянии, составляющее пор...

от 170 руб.

Посмотреть

Тип: Электронные компоненты

от 1 285 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 1 285 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 700 В Напряжен...

от 391 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых деталей LR024N IOR транзистор (5 шт.) TO-252 DPAK аналог 2SK2018-01S схема 2SK2231 характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET IRLR024N Характеристики транзистора IRLR024N Корпус - D-PAK Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное на...

от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых деталей LR024N IOR транзистор (5 шт.) TO-252 DPAK аналог 2SK2018-01S схема 2SK2231 характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET IRLR024N Характеристики транзистора IRLR024N Корпус - D-PAK Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 16 В Сопротив...

от 391 руб.

Посмотреть

Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных фонарей, двигателей постоянного тока, помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать ток до 5А, при токе выше 1А к нему требуется подключать рад...

от 205 руб.
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных фонарей, двигателей постоянного тока, помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать ток до 5А, при токе выше 1А к нему требуется подключать радиатор. Характеристики:- Рабоче...

от 205 руб.

Посмотреть

Тип: Электронные компоненты

от 720 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 720 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом...

от 391 руб.

Посмотреть

P-Channel HEXFET Power MOSFET, Vds=100V, Id=23A, Rds(on)=117 mOhm, Pd=140W Наименование прибора: IRF9540N Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое на...

от 239 руб.
P-Channel HEXFET Power MOSFET, Vds=100V, Id=23A, Rds(on)=117 mOhm, Pd=140W Наименование прибора: IRF9540N Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 2...

от 239 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2302 маркировка...

от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2302 маркировка A2SHB Тип транзистора: MOSFET...

от 391 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRL2505 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2554 схема IRL2505PBF характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRL2505 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвор...

от 491 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRL2505 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2554 схема IRL2505PBF характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRL2505 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 16 В Сопротивление в открыто...

от 491 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3205 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог BUZ111S схема 2SK2985 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF3205 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 2...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3205 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог BUZ111S схема 2SK2985 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF3205 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом с...

от 391 руб.

Посмотреть

Тип: Электронные компоненты

от 480 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 480 руб.

Посмотреть

Ac-10000, 20N60C3, Транзистор MOSFET N-канал 600В 20.7А TO-220FP, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), Infineon Technologies количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 404 руб.
Ac-10000, 20N60C3, Транзистор MOSFET N-канал 600В 20.7А TO-220FP, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), Infineon Technologies количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 404 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3710 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог HUF75639P3 схема STP40NF10 характеристики цоколевка datasheet MOSFET STP50NE10 Характеристики транзистора IRF3710 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжен...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3710 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог HUF75639P3 схема STP40NF10 характеристики цоколевка datasheet MOSFET STP50NE10 Характеристики транзистора IRF3710 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление...

от 391 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF840 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP9NK50Z схема 2SK2542 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF840 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 500 В Максимальное напряжение затвора...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF840 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP9NK50Z схема 2SK2542 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF840 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 500 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом...

от 391 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ34N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1115 схема BUZ101S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ34N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ34N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1115 схема BUZ101S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ34N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состо...

от 391 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ46N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1542 схема BUZ102S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ46N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 2...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ46N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1542 схема BUZ102S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ46N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом с...

от 391 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC817-25 6B транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема BCW66 аналог FMMT620 характеристики цоколевка datasheet MOSFET ВС807-25 5В Характеристики транзистора BC817-25 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение ко...

от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC817-25 6B транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема BCW66 аналог FMMT620 характеристики цоколевка datasheet MOSFET ВС807-25 5В Характеристики транзистора BC817-25 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Н...

от 291 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3400 A09T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема FDN339AN аналог SN74LVC1G125DBVR характеристики цоколевка datasheet А09Т MOSFET A03400 Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF_A09T Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальн...

от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3400 A09T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема FDN339AN аналог SN74LVC1G125DBVR характеристики цоколевка datasheet А09Т MOSFET A03400 Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF_A09T Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd):...

от 291 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF520N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1927 схема IRFW520A характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF520N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF520N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1927 схема IRFW520A характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF520N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом...

от 391 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF540N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1116 схема HUF75623P3 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF540N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затво...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF540N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1116 схема HUF75623P3 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF540N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открыт...

от 391 руб.

Посмотреть

IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал​ Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500​ Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8​ Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В 20 Сопротивление канала в откры...

от 245 руб.
IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал​ Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500​ Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8​ Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) п...

от 245 руб.

Посмотреть

Тип: Электронные компоненты

от 536 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 536 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3404 A49T транзистор 5 шт. SOT23 SMD MOSFET схема FDN372S аналог характеристики цоколевка datasheet А49Т A03404 Наименование прибора: AO3404 Маркировка: A49TF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощност...

от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3404 A49T транзистор 5 шт. SOT23 SMD MOSFET схема FDN372S аналог характеристики цоколевка datasheet А49Т A03404 Наименование прибора: AO3404 Маркировка: A49TF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допуст...

от 391 руб.

Посмотреть

Тип: Электронные компоненты

Express доставка
от 1 630 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 1 630 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 1 шт

от 215 руб.
Количество в упаковке: 1 шт

от 215 руб.

Посмотреть

MOSFET транзистор IRF640N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 200 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 18 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 0.15 ОмМаксимальная рассеиваемая мощност...

от 232 руб.
MOSFET транзистор IRF640N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 200 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 18 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 0.15 ОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 150 ВтКрутизна характеристи...

от 232 руб.

Посмотреть

Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...

от 499 руб.
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодо...

от 499 руб.

Посмотреть

Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...

от 1 800 руб.
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип корп...

от 1 800 руб.

Посмотреть

2 штуки новых деталей в комплекте 50N06 TO-252 транзистор (2 шт.) ЧИП D-PAK, схема STP55NF06L характеристики NTP60N06LG, цоколевка IRFZ44 datasheet IRLZ34 микросхема IRLR2905 DPAK TO252 Наименование прибора: 50N06 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассе...

от 391 руб.
2 штуки новых деталей в комплекте 50N06 TO-252 транзистор (2 шт.) ЧИП D-PAK, схема STP55NF06L характеристики NTP60N06LG, цоколевка IRFZ44 datasheet IRLZ34 микросхема IRLR2905 DPAK TO252 Наименование прибора: 50N06 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W П...

от 391 руб.

Посмотреть

Тип: Электронные компоненты

от 480 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 480 руб.

Посмотреть

SSS7N60B Полевой транзистор N-канальный MOSFET 600V, 7A MOSFET транзистор SSS7N60B Изготовитель: Fairchild Semiconductor Corp. Исполнение: TO-220F

от 300 руб.
SSS7N60B Полевой транзистор N-канальный MOSFET 600V, 7A MOSFET транзистор SSS7N60B Изготовитель: Fairchild Semiconductor Corp. Исполнение: TO-220F

от 300 руб.

Посмотреть

Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...

от 550 руб.
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибким...

от 550 руб.

Посмотреть

Тип: Электронные компоненты

от 434 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 434 руб.

Посмотреть

Тип: Электронные компоненты

от 446 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 446 руб.

Посмотреть

Тип: Электронные компоненты

от 526 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 526 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 80 Максимальное напр...

от 391 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 80 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс,...

от 391 руб.

Посмотреть

IR53H420 - драйвер MOSFET-транзисторов, полумостовой с автогенератором. тип: Электронные компоненты

от 595 руб.
IR53H420 - драйвер MOSFET-транзисторов, полумостовой с автогенератором. тип: Электронные компоненты

от 595 руб.

Посмотреть

IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...

5 8 отзывов
от 701 руб.
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой транзистор управляет мощным бипо...
8 отзывов

от 701 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

от 419 руб.
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

от 419 руб.

Посмотреть

Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси максА 18 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи максВ 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.15 Ом/11А, 10В Максимальная ра...

от 230 руб.
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси максА 18 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи максВ 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.15 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси максВт...

от 230 руб.

Посмотреть

Конструктор не сложного в сборке Усилителя на транзисторах TIP120 и TIP125 и ОУ TL081. количество в упаковке: 1шт. напряжение: 15 тип: плата SMD-корпус: да

от 929 руб.
Конструктор не сложного в сборке Усилителя на транзисторах TIP120 и TIP125 и ОУ TL081. количество в упаковке: 1шт. напряжение: 15 тип: плата SMD-корпус: да

от 929 руб.

Посмотреть

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

от 930 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – BC560 – 4 шт. • VT4, VT8, VT14,...

от 930 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

от 459 руб.
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

от 459 руб.

Посмотреть

Наименование: IRF2807PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 82А 200Вт Технические параметры Производитель (брэнд) International Rectifier Тип транзистор полевой MOSFET Структура N-канал Корпус TO-220AB Максимальное напряжение сток-исток Uси, 75В Максимальный ток сток-ис...

от 300 руб.
Наименование: IRF2807PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 82А 200Вт Технические параметры Производитель (брэнд) International Rectifier Тип транзистор полевой MOSFET Структура N-канал Корпус TO-220AB Максимальное напряжение сток-исток Uси, 75В Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. 82А Мак...

от 300 руб.

Посмотреть

Транзистор IRF2807 TO-220AB по выгодной цене

от 230 руб.
Транзистор IRF2807 TO-220AB по выгодной цене

от 230 руб.

Посмотреть

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

от 650 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара 2SC2774 и 2SA1170. Сборку осущ...

от 650 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 399 руб.
Тип: транзистор

от 399 руб.

Посмотреть

Производитель STMicroelectronics Серия PowerMESH ™ II Упаковочная трубка Статус детали Устаревший N-канальный полевой транзистор типа FET Технология MOSFET (оксид металла) Напряжение слива к источнику (Vdss) 500 В Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C 8A (Tc) Напряжение...

от 230 руб.
Производитель STMicroelectronics Серия PowerMESH ™ II Упаковочная трубка Статус детали Устаревший N-канальный полевой транзистор типа FET Технология MOSFET (оксид металла) Напряжение слива к источнику (Vdss) 500 В Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C 8A (Tc) Напряжение привода (Максимальное включени...

от 230 руб.

Посмотреть

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

от 1 290 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара 2SC2774 и 2SA1170. Сборку осущ...

от 1 290 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых деталей 4N65F транзистор (2 шт.) ЧИП TO-220F схема RS4N65F характеристики, цоколевка элемент, datasheet Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 57 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V...

от 491 руб.
В комплекте 2 штуки новых деталей 4N65F транзистор (2 шт.) ЧИП TO-220F схема RS4N65F характеристики, цоколевка элемент, datasheet Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 57 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжени...

от 491 руб.

Посмотреть

Напряжение сток-исток Uси (max): 60В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max) тип: транзистор

5 1 отзыв
от 230 руб.
Напряжение сток-исток Uси (max): 60В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max) тип: транзистор
1 отзыв

от 230 руб.

Посмотреть

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

от 1 679 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – BC560 – 4 шт. • VT4, VT8, VT14,...

от 1 679 руб.

Посмотреть

Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

от 1 300 руб.
Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопровождения. тип: Электронные комп...

от 1 300 руб.

Посмотреть

Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5...

от 230 руб.
Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A Максимальная температура кан...

от 230 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Макс...

от 230 руб.

Посмотреть

Тип автотехники: легковые автомобили модель автомобиля: Hyundai Creta, Hyundai Elantra, Kia Ceed, Kia Sportage

от 5 962 руб.
Тип автотехники: легковые автомобили модель автомобиля: Hyundai Creta, Hyundai Elantra, Kia Ceed, Kia Sportage

от 5 962 руб.

Посмотреть

Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

от 690 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопровождения. тип: Электронные комп...

от 690 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене

от 420 руб.
Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене

от 420 руб.

Посмотреть

Ac-80, CEP3205, Транзистор полевой 55V 108A 200W N-Channel MOSFET, TO-220, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), MagnaChip Semiconductor количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 343 руб.
Ac-80, CEP3205, Транзистор полевой 55V 108A 200W N-Channel MOSFET, TO-220, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), MagnaChip Semiconductor количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 343 руб.

Посмотреть

Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...

от 302 руб.
Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)

от 302 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов IRLML6344TRPBF BOXYE транзистор (5 шт.) ЧИП SOT23 SMD схема IRLML6344, характеристики, цоколевка SOT-23-3 datasheet MOSFET Наименование прибора: IRLML6344TRPBF Маркировка: U* Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеи...

от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов IRLML6344TRPBF BOXYE транзистор (5 шт.) ЧИП SOT23 SMD схема IRLML6344, характеристики, цоколевка SOT-23-3 datasheet MOSFET Наименование прибора: IRLML6344TRPBF Маркировка: U* Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Пр...

от 391 руб.

Посмотреть

Наименование прибора: IRF1010E Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V Максимально допустимый постоянный ток сток...

от 250 руб.
Наименование прибора: IRF1010E Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 81 A Максимальная темп...

от 250 руб.

Посмотреть

Описание Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor Технические параметры Технология/семейство field stop Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А 180 Напряжение насыщения при номи...

от 540 руб.
Описание Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor Технические параметры Технология/семейство field stop Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9 Максимальн...

от 540 руб.

Посмотреть

SPA20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)

от 334 руб.
SPA20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)

от 334 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 138 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная темпе...

от 250 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 138 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Вре...

от 250 руб.

Посмотреть

Рубрика Mosfet транзистор содержит 11610 товаров, которые продаются в 58 магазинах по цене от 31 руб. до 939000 руб.
Новые категории
Может быть интересно
Почитайте отзывы покупателей на товары
Отзывы на электронные модули Отзывы на электронные модули стиральных машин Отзывы на регулятор мощности, напряжения переменного тока gsmin ak76 (220в, 50-220в, 2000w) диммер (зеленый)